有机发光显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本申请涉及一种有机发光显示装置。更具体地讲，本申请涉及一种有机发光显示 装置，其适于形成均勾厚度的封顶层（capping layer)而不管子像素的类型，并且确保高发 光效率特性。
【背景技术】
[0002] 如今，随着信息社会的发展，视觉上表现电信息信号的显示领域得以快速发展。依 据此，已开发出具有诸如纤薄、重量轻和功耗低的特征的各种平板显示装置。另外，平板显 示装置已快速取代现有的阴极射线管（CRT)。
[0003] 作为平板显示装置的示例，可引入液晶显示（LCD)装置、有机发光显示（OLED)装 置、电泳显示（电子纸显示（Ero))装置、等离子体显示面板装置（PDP)、场发射显示（FED) 装置、电致发光显示装置（ELD)、电润湿显示（EWD)装置等。这些平板显示装置通常包括实 现图像的平坦显示面板作为必要组件。平坦显示面板利用彼此面对的一对组合的基板来配 置，基板之间具有固有发光或偏振材料层。
[0004] 在这些平板显示装置当中，OLED装置包括与自发光元件对应的有机发光元件。因 此，OLED装置不需要与不发光装置对应的LCD装置中所使用的任何光源。依据此，OLED装 置可变得更轻更薄。另外，与LCD装置相比，OLED装置具有视角更宽、对比度优异、功耗更 低、驱动DC(直流）电压更低以及响应时间更高的特征。此外，OLED装置包括OLED组件。 因此，OLED装置可很好地抵御外部冲击并且在宽温度范围内驱动。
[0005] OLED装置中所使用的有机发光元件包括形成在基板上的阳极电极、阴极电极以及 有机发光层。有机发光层被插入阳极电极与阴极电极之间。阳极电极由诸如铟锡氧化物 ITO的透明导电材料形成，阴极电极由诸如铝Al的金属形成，有机发光层由有机材料形成。 这种OLED装置将电场施加到有机发光层以便发射光。
[0006] 当电压施加在有机发光元件的阳极电极与阴极电极之间时，从阳极电极注入的空 穴和从阴极电极注入的电子朝着有机发光层漂移。另外，空穴和电子在有机发光层内彼此 复合，从而生成激子。因此，OLED装置可使用通过激子从激发态（或三重态）转变至基态 而发射的光。
[0007] 现有技术的OLED装置可按照适合于在向前方向上发射光的顶部发射模式来制 造。顶部发射模式OLED装置可包括：具有反射膜的下电极；有机发光层；以及与半透明电 极对应的上电极。为了提升发光效率，顶部发射模式OLED装置还可包括封顶层，该封顶层 形成在上电极上并用作光学调节（或控制）层。封顶层调节与外部（或大气）的折射率的 差异，并且提升其与外部（或大气）的界面（interfacial surface)的反射率。这种反射 率增长可引起封顶层生成对固定波段的微腔效应。封顶层可由有机材料形成。另选地，为 了使微腔效应最大化，封顶层可由具有高反射率的无机材料形成。与有机封顶层相比，无机 封顶层可提供发光效率更高以及寿命更长的特征。
[0008] 图1是示出现有技术OLED装置的发光效率特性对于封顶层的厚度的数据表。
[0009] 参照图1，示出对于形成现有技术OLED装置的封顶层所使用的无机材料的厚度， 彩色子像素的发光效率。从有机发光元件发射的光可具有根据有机发光元件是否用在红 色、绿色和蓝色子像素中的任一个中而确定的不同波长之一。依据此，可从图1看出，明显 的是可使发光效率最大化的封顶层的最佳厚度必然根据红色、绿色和蓝色子像素而不同。 [0010] 然而，现有技术OLED装置针对每一个子像素强制封顶层形成相同的厚度，而没有 考虑依据子像素的类型的最佳厚度。因此，难以确保各个彩色子像素的最大发光效率。另 选地，现有技术OLED装置可允许封顶层的厚度根据子像素的类型而不同。在这种情况下， 在OLED装置的制造过程中必须使用不同的腔室。因此，OLED装置的生产率必然劣化。
[0011] 换言之，现有技术OLED装置可仅实现最大发光效率和高生产率中的一个。
【发明内容】
[0012] 因此，本申请的实施方式涉及一种基本上避免了由现有技术的局限和缺点引起的 一个或更多个问题的OLED装置。
[0013] 实施方式在于提供一种适于提高生产率并且形成均匀厚度的封顶层而不管子像 素的类型的OLED装置。
[0014] 另外，实施方式在于提供一种适于形成均匀厚度的封顶层而不管子像素的类型并 且确保各个子像素的最大发光效率的OLED装置。
[0015] 实施方式的另外的特征和优点将在以下描述中阐述，并且部分地将从该描述而明 显，或者可通过实施方式的实践而了解。实施方式的优点可通过所撰写的说明书及其权利 要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
[0016] 为了解决现有技术的上述问题，根据本发明实施方式的一般方面的OLED装置包 括：基板，其被限定为包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域的多个子像 素区域；第一电极，其形成在所述基板上；有机发光层，其形成在所述第一电极上；第二电 极，其形成在所述有机发光层上；以及封顶层，其形成在所述第二电极上，其中，所述封顶层 被形成为包含光学调节材料，该光学调节材料具有与入射光的波长成比例升高的可变折射 率。
[0017] 根据本发明实施方式的另一方面的OLED装置包括：基板，其被限定为包括红色子 像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域的多个子像素区域；第一电极，其形成在所述 基板上；有机发光层，其形成在所述第一电极上；第二电极，其形成在所述有机发光层上； 以及封顶层，其形成在所述第二电极上，其中，所述封顶层被形成为包含光学调节材料，该 光学调节材料具有沿着入射光的波长变化的可变折射率。
[0018] 对于本领域技术人员而言通过调查以下附图和详细描述，其它系统、方法、特征和 优点将明显或将变得明显。所有这些附加系统、方法、特征和优点旨在被包括在本说明书 内，在本公开的范围内，并受以下权利要求的保护。这一部分中的内容不应被视作对那些权 利要求的限制。下面结合实施方式讨论另外的方面和优点。应该理解，本公开的以上一般 描述和以下详细描述均为示例性和说明性的，旨在提供对要求保护的公开的进一步说明。
【附图说明】
[0019] 附图被包括以提供对实施方式的进一步理解，并且被并入本文并构成本申请的一 部分，附图示出了本公开的实施方式并与说明书一起用于说明本公开。附图中：
[0020] 图1是示出现有技术的OLED装置的发光效率特性对封顶层的厚度的数据表；
[0021] 图2是示出根据本公开的实施方式的OLED装置的横截面图；
[0022] 图3A和图3B是本公开的OLED装置的折射率特性对入射光的波长的数据表；以及
[0023] 图4是示出本公开的OLED装置的发光效率特性对封顶层的厚度的数据表。
【具体实施方式】
[0024] 现在将详细参照本公开的实施方式，其示例示出于附图中。提供以下介绍的这些 实施方式作为示例以便将它们的精神传达给本领域普通技术人员。因此，这些实施方式可 按照不同的形式具体实现，因此不限于这里所描述的这些实施方式。另外，在图中为了方 便，装置的尺寸和厚度可能被夸大地表示。只要可能，贯穿包括附图的公开将使用相同的标 号来指代相同或相似的部件。
[0025] 图2是示出根据本公开的实施方式的OLED装置的横截面图。
[0026] 参照图2,根据本公开的实施方式的OLED装置包括：元件基板50,其被限定为多个 子像素区域；以及有机发光元件100,其形成在元件基板50上。所述多个子像素区域包括红 色子像素区域R、绿色子像素区域G和蓝色子像素区域B。红色子像素区域R、绿色子像素区 域G和蓝色子像素区域B中的每一个可被限定为发射区域A和非发射区域N。另外，OLED 装置包括形成在有机发光元件100上的封顶层200。
[0027] 有机发光元件100包括第一电极110、有机发光层120和第二电极130。发射区域 A和非发射区域N可通过堤图案140限定。堤图案140与第一电极110的一部分成交叠形 状形成，并且使第一电极110仅暴露于发射区域A。
[0028] 第一电极110可用作阳极电极。这种第一电极可利用反射层101以及堆叠在反射 层110上的电极层102来配置。反射层101可由具有高反射率的金属材料形成。例如，反 射层101可由铝Al形成。电极层102可由诸如铟锡氧化物ITO的透明导电材料形成。然 而，反射层101和电极层102不限于这些。
[0029] 有机发光层120形成在通过堤图案140暴露的第一电极110的表面上。有机发光 层120可利用由发光材料形成的单个层配置。另选地，为了增大发光效率，有机发光层可按 照包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层的多层结构形成。 图中示出在红色子像素区域R、绿色子像素区域G和蓝色子像素区域B中有机发光层120被 形成为具有相同的厚度。然而，有机发光层120可依据子像素的类型按照最佳厚度形成，以 便提供微腔效应。换言之，在红色子像素区域R、绿色子像素区域G和蓝色子像素区域B中 有机发光层120可被形成为不同的厚度。
[0030] 第二电极130形成在有机发光层120上。如果第一电极110用作阳极电极，则第 二电极130可变为阴极电极。这种第二电极130可由半透明电极材料形成，以使得在向上 (或向前）方向上发射光。
[0031] 元件基板50包括由绝缘材料形成的绝缘基板10以及形成在绝缘基板10上的薄 膜晶体管Tr。绝缘材料包括玻璃、塑料等。薄膜晶体管Tr用于驱动各个子像素。薄膜晶 体管Tr包括：栅极，其形成在绝缘基板10上；栅绝缘膜，其被配置为覆盖栅极；半导体层， 其与栅极相对地形成在栅绝缘膜上并被配置为形成沟道；以及源极和漏极，其彼此面对地 布置，并且在其之间具有沟道。平整膜20形成在设置有薄膜晶体管Tr的绝缘基板10上。 形成在元件基板50上的薄膜晶体管Tr的漏极电连接到有机发光元件100的