有机发光显示装置及其制造方法
【专利说明】有机发光显示装置及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求享有于2013年12月30日在韩国提交的韩国专利申请第10-2013-0167693号的权益，通过引用将该申请作为一个整体结合在此。
技术领域
[0003]本申请涉及一种有机发光显示装置。更具体地，本申请涉及一种适合于增强元件的可靠性并减少掩模工序的数量的有机发光显示装置及其制造方法。
【背景技术】
[0004]近来，用于取代重且体积大的阴极射线管(CRT)的平板显示装置正得到发展。平板显示装置包括液晶显示(LCD)装置和有机发光显示(OLED)装置。
[0005]与IXD装置不同，OLED装置是自发光的且不需要额外的光源。因此，与IXD装置相比，OLED装置更薄、重量更轻且色彩再现范围更优异。据此，OLED装置成为下一代显示装置的焦点。
[0006]OLED装置通常划分为无源型和有源型。
[0007]有源型的OLED装置包括与像素相对的薄膜晶体管。因此，与无源型OLED装置相比，有源型OLED装置具有功耗低和清晰度优异的优点。因此，有源型OLED装置主要用于实现大型图像显示装置。
[0008]常规OLED装置的显示面板包括布置成矩阵形状的子像素。所述子像素可包括红色、绿色和蓝色子像素。或者，所述子像素每个可包括白色子像素和颜色转换层，所述颜色转换层配置成将白色子像素的白光转换为红光、绿光和蓝光之一。此外，子像素可以是有源型或无源型。例如，有源型子像素包括配置成响应于扫描信号传输数据信号的开关晶体管、用于存储对应于数据信号的数据电压的存储电容器、配置成产生对应于数据电压的驱动电流的驱动晶体管和配置成发射对应于驱动电流的光的有机发光二极管。因此，有源型OLED的子像素可形成为包括开关晶体管、驱动晶体管、电容器和有机发光二极管的2T1C(两个晶体管和一个电容器)结构。或者，有源型子像素可形成为3T1C结构、4T2C结构和5T2C结构等之一。此外，子像素可形成为基于截面结构的顶发光模式、底发光模式和双发光模式。
[0009]图1是示出在现有技术的制造OLED装置的方法中，通过相同的掩模工序形成的蚀刻阻止层和接触孔的截面图。
[0010]参照图1，在薄膜晶体管结构中形成开关晶体管或驱动晶体管。尽管未在附图中示出，但在形成薄膜晶体管时，同时形成存储电极、像素电极和焊盘。
[0011]现在将描述形成包括在薄膜晶体管中的蚀刻阻止层15的工序。
[0012]在透明绝缘材料的基板上形成金属膜。通过对金属膜执行掩模工序而形成栅极Ilo此外，在设置有栅极11的基板10的整个表面上形成栅极绝缘膜12。
[0013]之后，在栅极绝缘膜上形成与栅极11相对的对应于半导体层的沟道层14，并在沟道层14上形成蚀刻阻止层15。蚀刻阻止层用于保护沟道层14。此外，在栅极绝缘膜12中形成暴露栅极11的一部分的接触孔Ck。一般来说，蚀刻阻止层15和接触孔Ck是通过不同的掩模工序形成的。然而，为了减少掩模工序的数量，现有技术的OLED装置的制造方法能够使蚀刻阻止层15和接触孔Ck同时形成。
[0014]此外，必须对蚀刻阻止层15执行热处理工艺。可对蚀刻阻止层执行热处理工艺，所述蚀刻阻止层是通过沉积用于蚀刻阻止层15的绝缘层并通过掩模工序图案化绝缘层形成的。或者，可在通过掩模工序将绝缘层图案化为蚀刻阻止层15之前，对沉积用于蚀刻阻止层的绝缘层执行热处理工艺。
[0015]然而，优选地对通过掩模工序完成的蚀刻阻止层15执行热处理工艺。在这种情况下，元件能够获得如图4A和4B中所示的优异可靠性。
[0016]针对这一点，如图1B所示，现有技术的制造OLED装置的方法允许对完成的蚀刻阻止层15执行热处理工艺。然而，由接触孔Ck暴露的栅极11的一部分会由于热处理工艺而被损坏。
[0017]换句话说，通过蚀刻工艺和热处理工艺完成蚀刻阻止层15。栅极11的一部分通过栅极接触孔Ck暴露在外部。由于这一点，在蚀刻工艺和热处理工艺期间栅极11可能会被损坏。
[0018]虽然仅描述了附图中所示的栅极11，但在基板10上与栅极相同的层中形成有存储电极和栅极焊盘及数据焊盘，使得它们通过各接触孔被部分地暴露。因此，在蚀刻阻止层15的形成工序期间，存储电极和栅极焊盘及数据焊盘可能会被损坏。
[0019]这些损坏导致元件的可靠性劣化和图像的质量劣化。
【发明内容】
[0020]因此，本发明涉及一种基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的有机发光显示装置及其制造方法。
[0021]本发明提供一种通过在栅极金属膜上形成导电氧化物半导体材料的阻挡层，适合于防止栅极、存储电极和焊盘的损坏的有机发光显示装置及其制造方法。
[0022]本发明提供一种通过在栅极、存储电极和焊盘上形成导电氧化物半导体材料的阻挡层，适合于增强元件的可靠性并减少掩模工序的数量的有机发光显示装置及其制造方法。
[0023]本发明另外的特征和优点将在下面的描述中列出，这些特征和优点的一部分通过下面的描述将是显而易见的，或者可通过对本发明的实施领会到。本发明的优点将通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
[0024]为了解决现有技术的上述问题，一种根据本发明的OLED显示装置的制造方法，包括:在基板上顺序形成第一金属膜和第二金属膜，并对第一金属膜和第二金属膜执行掩模工序，以在薄膜晶体管区域、存储电容器区域和焊盘区域中形成栅极、第一存储电极和焊盘；在设置有栅极的基板上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成与栅极相对的沟道层；在设置有沟道层的基板上形成绝缘层；利用另一掩模工序形成设置于沟道层上的蚀刻阻止层和第一至第三接触孔，所述第一至第三接触孔配置成暴露栅极、第一存储电极和焊盘；形成源极和漏极以及第二存储电极，所述源极和漏极设置在设置有蚀刻阻止层的基板上，所述第二存储电极设置在栅极绝缘膜上并在存储电容器区域内与第一存储电极相对；形成第三存储电极，所述第三存储电极与第二存储电极重叠并连接至漏极，所述第三存储电极与所述第二存储电极之间具有钝化膜；在基板的各像素区域中形成红色、绿色和蓝色滤色器；和形成有机发光二极管，所述有机发光二极管形成于设置有滤色器的基板上并包括电连接至第三存储电极的第一电极、形成于第一电极上的有机发光层和形成于有机发光层上的第二电极。
[0025]根据另一实施方式的一种OLED显示装置，包括:在基板上对应于薄膜晶体管区域、存储电容器区域和焊盘区域形成的栅极、第一存储电极和焊盘；在栅极、第一存储电极和焊盘上形成的阻挡层；在设置有阻挡层的基板上形成的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成的与栅极相对的沟道层；在沟道层上形成的蚀刻阻止层；配置成接触沟道层的一端和蚀刻阻止层的一端的源极；与源极分隔开的漏极，所述漏极通过栅极绝缘膜连接至第一存储电极，并且所述漏极配置成接触沟道层和蚀刻阻止层的另一端；通过栅极绝缘膜连接至栅极上的阻挡层的第一连接部；在栅极绝缘膜上形成的与第一存储电极相对的第二存储电极；通过栅极绝缘膜连接至焊盘的第一焊盘接触层；在设置有第一连接部、源极和漏极、第二存储电极和第一焊盘接触层的基板上形成的钝化膜；通过钝化膜连接至第一连接部的第二连接部；通过钝化膜连接至漏极并与第二存储电极重叠的第三存储电极；通过钝化膜连接至第一焊盘接触层的第二焊盘接触层；在设置有第二连接部、第三存储电极和第二焊盘接触层的基板的像素区域中形成的滤色器；和在设置有滤色器的基板上形成的有机发光二极管，并