有机发光一极管的光效率，并延长有机发光一极管的寿命。
[0071]图5是示出了本公开的一个实施方式的有机发射层内的复合区的扩张原理的截面图。图6和图7是示出了本公开的一个实施方式的复合区的扩张方向的图表，该扩张缘于有机发光二极管的空穴和电子传输层的空穴和电子迀移率之间的差异。
[0072]参考图5?7，本公开的第一实施方式的有机发光显示装置利用空穴传输层HTL的空穴迀移率与电子传输层ETL的电子迀移率之间的差异，并使有机发射层EML内的电荷分布区的中心位置(或轴)(或峰值电荷密度位置(或轴))能够不与空穴-电子复合区的中心位置(或轴)(或峰值复合位置(或轴))重叠。
[0073]如图5所示，空穴传输层HTL的空穴迀移率(例如为3X10_4cm2/Vs)大于电子传输层ETL的电子迀移率(例如为6.6X10_8cm2/Vs)。在该实施方式中，如图6所示，空穴-电子复合区RZ以下述方式形成在电荷分布区内:使空穴-电子复合区的对应于峰值复合密度区(或轴)的中心区域(或轴)从峰值电荷密度区(或轴)向电子传输层ETL偏移。
[0074]如果电子传输层ETL的电子迀移率大于空穴传输层HTL的空穴迀移率，那么有机发射层EML的空穴-电子复合区以下述方式形成在电荷分布区内:使峰值复合密度区(或轴)从峰值电荷密度区(或轴)向空穴传输层HTL偏移。
[0075]如此，空穴-电子复合区的中心区域内的电子和空穴彼此复合并发光。此外，空穴-电子复合区其余部分内的电子和空穴向峰值电荷密度区(或轴)漂移，并以与空穴-电子复合区中心区域(或轴)的空穴-电子复合比相似的复合比彼此复合。据此，有机发射层EML的空穴-电子复合比可以变高。
[0076]换言之，本公开的一个实施方式的有机发光显示装置使空穴-电子复合区的中心区域(或轴)和空穴-电子复合区的其他部分内的电子和空穴均能够向峰值电荷密度区(或轴)漂移。如此，空穴-电子复合区可以扩大。因此，可以提高有机发光二极管的光效率，并可以延长有机发光二极管的寿命。
[0077]如图6和图7所示，根据图5示出的原理，空穴-电子复合区RZ的中心区域(或轴)和电荷分布区的峰值电荷密度区可以以彼此不重叠的形式在有机发光二极管的有机发射层内形成。
[0078]当具有上述结构的有机发光二极管受驱动时，空穴-电子复合区RZ向峰值电荷密度区(或轴)扩张。如此，可以无任何损耗地提高有机发光二极管的光效率。据此，可以延长有机发光二极管的寿命，并且有机发光二极管的亮度在高温可靠性检测后不劣化。
[0079]如图6所示，空穴-电子复合区RZ可以邻接电子传输层ETL而形成，并向空穴传输层HTL扩张。为此，在有机发光二极管的制造过程中，可以将空穴传输层HTL形成为使其空穴迀移率大于电子传输层ETL的电子迀移率。
[0080]在该实施方式中，空穴传输层HTL由空穴迀移率大于电子传输层ETL的电子迀移率的材料形成。电子传输层ETL由电子迀移率小于空穴传输层HTL的空穴迀移率的另一材料形成。
[0081]相反，如图7所示，空穴-电子复合区RZ可以邻接空穴传输层HTL而形成，并向电子传输层ETL扩张。为此，在有机发光二极管的制造过程中，可以将空穴传输层HTL形成为使其空穴迀移率小于电子传输层ETL的电子迀移率。
[0082]因此，根据一个实施方式，有机发光二极管中所包括的各层可以由多种材料形成，从而将空穴传输层HTL的空穴迀移率设定为与电子传输层ETL的电子迀移率不同。
[0083]图8是示出了本公开的一个实施方式的有机发光二极管的寿命特性的图表。图9是示出了本公开的一个实施方式的有机发光二极管在高温可靠性检测后的亮度特性的图表。图10是示出了本公开的一个实施方式的有机发光二极管的量子效率特性的表。图11是示出了本公开的一个实施方式的有机发光二极管的电流密度特性的图表。
[0084]参考图8?11，本公开的一个实施方式的有机发光二极管使得其间布置有有机发射层EML的空穴传输层HTL和电子传输层ETL能够具有彼此不同的空穴迀移率和电子迀移率。如此，峰值电荷密度区(或轴)和空穴-电子复合区中心区域(或轴)可以以彼此不重叠的形式在有机发射层EML内形成。
[0085]当有机发光二极管受驱动时，空穴-电子复合区向迀移率相对较大的空穴传输层(HTL)或电子传输层(ETL)扩张。换言之，空穴-电子复合区可以扩张至峰值电荷密度区(或轴)。
[0086]据此，如附图所示，有机发光二极管的寿命随时间T的推移而有所延长。而且，在高温下驱动的有机发光二极管的亮度特性曲线与在室温下驱动的有机发光二极管的亮度特性曲线几乎相同。换言之，本公开的一个实施方式的有机发光二极管的亮度在高温可靠性检测后不会劣化，这与现有技术的情况不同。
[0087]如图10和11可见，本公开的一个实施方式的有机发光二极管包括空穴-电子复合区和峰值电荷密度区不重叠的结构，且具有与现有技术几乎相同的量子效率。
[0088]此外，在相对于驱动电压的电流密度方面，本公开的一个实施方式的有机发光二极管表现出与参考例(或现有技术)几乎相同的特性。不过，与参考例(或现有技术)相比，本公开的一个实施方式的有机发光二极管提供了陡度(或倾斜度)更为缓和的电流密度特性。清楚的是，该电流密度特性归因于空穴传输层HTL的空穴迀移率和电子传输层ETL的电子迀移率之间的差异。
[0089]图12是显示了本公开的第二实施方式的有机发光显示装置的结构的截面图。图13A和13B是显示了图12中的空穴传输层和电子传输层的结构的截面图。
[0090]第二实施方式的有机发光显示装置具有与第一实施方式相同的结构，不过使邻接有机发射层的空穴传输层和电子传输层各自形成为多层结构。如此，将主要描述第二实施方式中与第一实施方式不同的组件。
[0091]参考图12、13A和13B，本公开的第二实施方式的有机发光显示装置使第一电极210形成在被界定为红色、绿色和蓝色区域的基板的整个表面上。第一电极210可以形成为第一金属层210a和第二金属层210b的层叠结构。各自对应于全部红色、绿色和蓝色区域的空穴注入层(HIL) 220和第一空穴传输层(HTL) 225层叠在第一电极210上。
[0092]空穴注入层220可以由选自以下材料组的一种材料形成，该材料组包括芳基胺类化合物(例如NATA、2T-NATA和NPNPB)和p掺杂型材料(例如F4-TCNQ和PTON)，但是并不限于此。
[0093]第一空穴传输层(HTL)225可以由选自以下材料组的一种材料形成，该材料组具有芳基胺类化合物、放射状芳香族胺类材料、螺旋梯型材料、NPD (N, N- 二萘基-N，N’ - 二苯基联苯胺)、s-TAD和MTDATA (4，4’，4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)_三苯基胺)，不过并不限于此。芳基胺类化合物可以包括TPD (N，N’ -双(3-甲基苯基)-N，N’-双(苯基)-联苯胺)、PH)、TTBND、FFD、p-dmDPS和TAPC。放射状芳香族胺类材料可以包括TCTA、PTDATA, TDAPB, TDBA、4_a和TCTA。螺旋梯型材料可以包括螺-TPD、螺-mTTB和螺-2。
[0094]可以在第一空穴传输层(HTL) 225上形成第二空穴传输层(R’HTL)、第三空穴传输层(G’HTL)和第四空穴传输层(B’HTL)，以对应于相应的红色、绿色和蓝色亚像素区域。第二、第三和第四空穴传输层(R’ HTL、G’ HTL和B’ HTL)可以以厚度彼此不同的方式形成。
[0095]对应于红色亚像素区域的第二空穴传输层(R’ HTL)可以形成为第一、第二和第三红色空穴传输层310、311和312的层叠结构。相似地，对应于绿色亚像素区域的第三空穴传输层(G’HTL)可以形成为第一、第二和第三绿色空穴传输层320、321和322的层叠结构，第四空穴传输层(B’ HTL)可以形成为第一、第二和第三蓝色空穴传输层330、331和332的层叠结构。
[0096]第一、第二和第三红色空穴传输层310、311和312、第一、第二和第三绿色空穴传输层320、321和322以及第一、第二和第三蓝色空穴传输层330、331和332可以由与第一空穴传输层225相同的材料形成。作为另一选择，第一、第二和第三红色空穴传输层310、311和312、第一、第二和第三绿色空穴传输层320、321和322以及第一、第二和第三蓝色空穴传输层330、331和332可以由彼此不同的材料形成。
[0097]如图13B所示，红色亚像素区域内的第二红色空穴传输层(H-RCL) 311和第一及第三红色空穴传输层(HTL_1&HTL_2)310及312可以由彼此不同的材料形成。第一红色空穴传输层310和第三红色空穴传输层312可以由相同的材料形成。
[0098]此外，绿色亚像素区域内的第一、第二和第三绿色空穴传输层320、321和322和蓝色亚像素区域内的第一、第二和第三蓝色空穴传输层330、331和332可以以与红色亚像素区域的那些层相同的方式形成。
[0099]所述第二、第三和第四空穴传输层R’HTL、G’HTL和B’HTL可以由与第一空穴传输层(HTL) 125相同的材料形成。作为另一选择，第二、第三和第四空穴传输层R’ HTL、G’ HTL和B’ HTL可以还包含低聚噻吩衍生物、低聚苯衍生物、三苯基胺衍生物和咔唑衍生物中的一种，以调整其空穴迀移率。
[0100]具体而言，邻接有机发射层235的第三红色、绿色和蓝色空穴传输层312、322和332各自可以由空穴迀移率为约3X10_4cm2/Vs的材料