有机发光二极管显示器及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种有机发光二极管显示器，尤其涉及一种有机电致发光显示器，其通过在相邻子像素之间以对称方式配置电路图案，使得子像素共用信号线，从而能提供更佳的孔径比。
【背景技术】
[0002]用于替代现有的阴极射线管显示器的平板显示器包括液晶显示器、场致发光显示器、等离子显示面板和有机发光二极管显示器(OLED显示器)。
[0003]其中，OLED显示器是一种自发光显示器，其中，在显示面板上提供的有机发光二极管具有亮度高和操作电压低的特点，并且自身能发光。因此，OLED显示器具有高的比度并能做得极薄。此外，OLED显示器因其短短数微秒(ys)的响应时间而易于实现运动图像，并具有无限的视角，在低温下也很稳定。
[0004]图1为示出按照现有技术的有机发光二极管显示器中的一个像素的等效电路图的视图。
[0005]如图所示，有机发光二极管显示器的一个像素可由两个薄膜晶体管SWT和DRT、电容Cl以及有机发光二极管EL构成。
[0006]开关薄膜晶体管SWT响应于扫描信号Vscan将数据电压Vdata施加到第一节点1，驱动薄膜晶体管DRT从源极接收驱动电压ELVDD，在数据电压Vdata施加到第一节点NI后，将与栅极-源极电压Vgs对应的电流施加到有机发光二极管EL。电容Cl用于在一帧内维持施加到栅极的电压。
[0007]有机发光二极管EL包括位于阴极和阳极之间的有机发光层，阴极与驱动薄膜晶体管DRT的漏极相连接，且阴极与地ELVSS相连接。有机发光层可由空穴传输层、发光层和电子传输层构成。
[0008]有机发光二极管显示器利用驱动薄膜晶体管DRT调整流经有机发光二极管的电流量，从而表现图像的渐变(gradient)。图像质量取决于驱动薄膜晶体管DRT的特性。
[0009]但是，即使在同一显示面板中，驱动薄膜晶体管的阈值电压和电子迀移率也会随每个像素而改变，流经每个有机发光二极管EL的电流量也会不同，从而难以通过补偿获得期望的渐变。
[0010]为了解决该问题，如图2所示，近期提出了一种结构，增加一个或多个采样薄膜晶体管SPT，从而施加基准电压Vref。在该结构中，将基准电压SPT施加到采样薄膜晶体管SPT,利用波形类似于第一扫描信号Vscanl的第二扫描信号Vscan2来感测驱动薄膜晶体管DRT的阈值电压Vth和电子迀移率μ，并通过外部补偿或内部补偿对感测到的驱动薄膜晶体管DRT的阈值电压Vth和电子迀移率μ的变化进行补偿。
[0011]图3为示出按照现有技术具有采样薄膜晶体管的有机发光二极管显示器的像素结构的视图。
[0012]参照图3，现有技术的有机发光二极管显示器具规则排列的多个像素PXl和ΡΧ2。一个像素PXl被分为多个子像素，且子像素包括具有发出红(R)、绿(G)或蓝(B)光的有机发光二极管的开口区域，以及与有机发光二极管相连接的电路区域13，其中形成包括采样薄膜晶体管在内的多个薄膜晶体管。与像素PXl垂直相邻的另一个像素PX2的子像素同样包括开口区域和电路区域，并按照与像素PXl相同的结构并排排列。
[0013]如上文所述，每个电路区域包括用于感测驱动薄膜晶体管的阈值电压的采样薄膜晶体管。经分配给每个像素的基准电压线12施加提供给采样薄膜晶体管的基准电压Vref。考虑到像素PXl和PX2的孔径比，基准电压线12与数据线和电源电压供给线形成于同一层面，彼此平行。
[0014]在图3中，举例来说，为三个子像素红(R)、绿(G)、蓝(B)形成一条基准电压线12。垂直相邻的像素PXl和PX2经同一条基准电压线12接收基准电压Vref。
[0015]利用该结构，由于基准电压线12与数据线等形成于同一金属层，因此基准电压线12不能以穿过每个子像素的电路部分的方式连接。因此，在垂直相邻的两个像素PXl和PX2之间形成了接触区域，且基准连接图案15或25与栅极和栅线17或27形成于同一金属层，从而将基准电压Vref提供给每个子像素的采样薄膜晶体管的一个电极。
[0016]按照该结构，现有技术的有机发光二极管显示器需要接触区域，从而在垂直相邻的像素PXl和PX2之间形成基准电压线12。接触区域占用了每个像素的一部分开口区域，并在有限的区域中形成每个像素的电路区域，因此会导致孔径比下降。
【发明内容】
[0017]本发明的一个方面是使有机发光二极管显示器的每个像素中的接触区域所占用的区域最小化，接触区域中形成用于将基准电压提供给采样薄膜晶体管的基准连接图案。
[0018]本发明的一个实施方式提供的有机发光二极管显示器包括:多个像素，每个像素包括形成有机发光二极管的开口区域和在垂直方向上与开口区域连接的电路区域，还具有多个薄膜晶体管，所述多个像素包括垂直相邻的第一和第二像素；形成有基准连接图案的接触区域，基准连接图案与第一和第二像素的薄膜晶体管连接以提供基准电压。
[0019]本发明的另一个实施方式提供制造具有多个像素的有机发光二极管显示器的方法，包括以下步骤:准备基板；在基板上形成包括栅线、栅极和基准连接图案的栅极金属层；在栅极金属层上形成包括数据线、源极和漏极以及基准电压供给线的数据金属层；将基准连接图案与源极和漏极以及基准电压电源线电性连接；形成由阳极、有机发光层和阴极构成并覆盖数据金属层的有机发光二极管，从而限定多个像素中的每个像素，其中所述像素包括相对于形成基准连接图案的接触区域是呈对称的两个垂直相邻的像素。
[0020]按照本发明的各个实施方式，由于有机发光二极管显示器的每个像素是按照相对于一个接触区域呈对称的方式形成的，所以可以减少基准连接图案的数量，因此能使开口区域的占用面积更宽，进而提高孔径比。
【附图说明】
[0021]附图提供对本发明的进一步理解并且并入说明书而组成说明书的一部分。所述附图示出本发明的实施方式，并且与说明书文字一起用于解释本发明的原理。在附图中:
[0022]图1为示出按照现有技术的有机发光二极管显示器中的一个像素的等效电路图的视图；
[0023]图2为示出按照现有技术具有接收基准电压的采样薄膜晶体管的有机发光二极管显示器的一个像素的等效电路图的视图；
[0024]图3为示出按照现有技术具有采样薄膜晶体管的有机发光二极管显示器的像素结构的视图；
[0025]图4为示出按照本发明的实施方式的有机发光二极管显示器的像素结构的视图；
[0026]图5为示出图4的V-V’部分的截面的视图；以及
[0027]图6A至6F为依次示出按照本发明的实施方式制造有机发光二极管显示器的方法的工艺截面图。
【具体实施方式】
[0028]下文将参照附图描述按照本发明的实施方式的有机发光二极管显示器的配置。
[0029]图4为示出按照本发明的实施方式的有机发光二极管显示器的像素结构的视图。图5为示出图4的V-V’部分的截面的视图。图中示出了红、绿、蓝子像素R、G、B按颜色在垂直方向上排列成条纹结构的一个示例。
[0030]参照图4和图5，有机发光二极管显示器包括:多个像素PXl和PX2，每个像素包括形成有机发光二极管的开口区域Ο/A以及在垂直方向上与开口区域Ο/A相连接的电路区域T/A，并且具有多个薄膜晶体管，所述多个像素PXl和PX2包括垂直相邻的第一和第二像素PXl和PX2 ;形成基准连接图案170的接触区域C/A，所述基准连接图案170与第一和第二像素PXl和PX2的薄膜晶体管相连接以提供基准电压Vref。
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