有机发光显示装置的制造方法
【专利说明】有机发光显不装置
[0001]对相关申请的交叉援引
[0002]本申请要求2013年12月31日递交的韩国专利申请第10_2013_0169365号的优先权和权益，在此出于全部目的通过援引将其并入，如同在本文中对其进行完整叙述一样。
技术领域
[0003]本申请涉及有机发光显示装置。更具体而言，本申请涉及一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置适合于通过调整在有机发光二极管中形成的空穴传输层和电子传输层的空穴和电子迀移率来提高高温可靠性并延长元件寿命。
【背景技术】
[0004]有机发光显示装置中使用的有机发光二极管是自发光元件，其包括形成在两个电极之间的发射层。有机发光二极管通过将电子和空穴经电子注入电极(即阴极)和空穴注入电极(即阳极)注入发射层中并使电子和空穴在发射层中复合而生成激子。而且，当激子从激发态跃迀至基态时，有机发光二极管发光。
[0005]根据发光方向，采用有机发光二极管的有机发光显示装置的类别分为顶部发射模式、底部发射模式和双发射模式。此外，有机发光显示装置可划分为无源阵列型和有源阵列型。
[0006]为了显示图像，有机发光显示装置可以对以阵列形式排列的多个亚像素施加扫描信号、数据信号和供给电压，并使选定的亚像素能够发光。
[0007]此外，为了提高显示面板的发光效率和色彩协调度，已经开发出具有微腔结构的有机发光显示装置，所述微腔结构使红色、绿色和蓝色亚像素可以以厚度彼此不同的方式形成。
[0008]图1是示出了现有技术的形成在有机发光显示装置的亚像素区域中的有机发光二极管的结构的截面图。
[0009]图1中所示的有机发光二极管相当于将电能转化为光能的有机电子元件。这种有机发光二极管包括介于阳极电极El和阴极电极E2之间的有机发射层EML，其被配置为发光。阳极电极El用于注入空穴，而阴极电极E2用于注入电子。
[0010]由该两个电极El和E2注入的电子和空穴漂移进入有机发射层EML中，并形成激子。激子的电能转变为可见光，并由此发射可见光。为了容易且顺利地将电子和空穴从该两个电极El和E2注入有机发射层EML，不仅在有机发射层EML和阳极电极El之间形成空穴注入层HIL和空穴传输层HTL，而且在有机发射层EML和阴极电极E2之间形成电子传输层ETL和电子注入层EIL (未示出)。
[0011]通常，在有机发光二极管的有机发射层EML中形成了空穴和电子所在的电荷分布区。而且，电荷密度在电荷分布区的中心区域(或轴，下文称为“峰值电荷密度区(或轴)”)具有最大值，并随着其向电荷分布区边缘的移动而逐渐降低。
[0012]除电荷分布区外，在有机发射层EML中还形成有空穴-电子复合区，其中空穴和电子彼此复合。有机发光二极管通常以使得空穴-电子复合区的中心区域(或轴)与峰值电荷密度区(或轴)重叠的方式来制造。空穴-电子复合区的中心区域(或轴)对应于将要彼此复合的空穴和电子的密度最高的区域(或轴；下文称为“峰值复合密度区(或轴)”)。
[0013]根据有机发射层EML的形成材料，可以使峰值电荷密度区(或轴)固定于有机发射层EML的中心区域(或轴)。空穴-电子复合区可因漂移进入有机发射层EML以彼此复合的空穴和电子的分散程度而发生偏移。
[0014]为了使峰值复合密度区(或轴)与峰值电荷密度区(或轴)重叠，有机发光二极管通常允许调整有机发射层EML以及空穴传输层HTL和电子传输层ETL的厚度。
[0015]图2是示出了现有技术的有机发光二极管的寿命特性的图表。图3是示出了现有技术的有机发光二极管在高温可靠性检测后的亮度特性的图表。
[0016]由图2和图3清楚可见，红光有机发光二极管的寿命随时间推移而减少，而且红光有机发光二极管在高温可靠性检测后的亮度随时间推移而逐渐劣化。
[0017]附图中，特性曲线.-:红色”表示在室温下驱动的有机发光二极管的电流效率(cd/A)随时间的变化。另一特性曲线“一:R_240小时后”表示在高温下驱动的有机发光二极管的电流效率(cd/A)随时间的变化。基于两个电流效率特性曲线之间的比较，清楚的是，有机发光二极管的电流效率在高温可靠性检测后劣化。
[0018]有机发光二极管的电流效率影响有机发光二极管的亮度。因此，有机发光二极管的亮度在高温可靠性检测后也劣化。
[0019]本申请的发明人发现，这种劣化归因于以下事实:有机发光二极管的有机发射层以峰值复合密度区(或轴)与峰值电荷密度区(或轴)重叠的形式形成，而且在有机发光二极管受驱动时，空穴-电子复合区趋于向低电荷区扩张。
【发明内容】
[0020]鉴于此，本申请的实施方式涉及一种有机发光显示装置及其制造方法，其基本上消除了因现有技术的局限和缺陷而导致的一个或多个问题。
[0021]所述实施方式在于提供一种有机发光显示装置，其适合于利用有机发光二极管的空穴传输层的空穴迀移率与该有机发光二极管的电子传输层的电子迀移率之间的差别来防止有机发射层内峰值电荷密度位置与峰值复合位置之间的重叠，由此提高光效率并延长寿命O
[0022]而且，所述实施方式在于提供一种有机发光显示装置，其利用空穴传输层的空穴迀移率与电子传输层的电子迀移率之间的差别来在有机发光二极管受驱动时使有机发射层的复合区向着高电荷密度区扩大，从而提高高温可靠性并延长元件寿命。
[0023]所述实施方式的其他特征和优势将在以下说明书中阐述，其一部分将通过说明书而显而易见，或可以通过实践该实施方式而获知。所述实施方式的优势将通过书面说明书、其权利要求以及附图中所具体指明的结构来实现或获得。
[0024]为了解决现有技术的上述问题，本实施方式的总体方面的有机发光显示装置包括:第一电极，其包括红色、绿色和蓝色亚像素区域；设置在第一电极上的第一空穴注入层；设置在空穴注入层上的第一空穴传输层；第二、第三和第四空穴传输层，其布置在第一空穴传输层上并分别对应于红色、绿色和蓝色区域；设置在第二、第三和第四空穴传输层上的有机发射层；设置在有机发射层上的电子传输层；和设置在电子传输层上的第二电极，其中，第二、第三和第四空穴传输层各自的空穴迀移率都与电子传输层的电子迀移率不同。
[0025]本实施方式的另一总体方面的有机发光显示装置包括:第一电极，其包括红色、绿色和蓝色亚像素区域；设置在第一电极上的第一空穴注入层；设置在空穴注入层上的第一空穴传输层；第二、第三和第四空穴传输层，其布置在第一空穴传输层上并对应于红色、绿色和蓝色区域，并形成为多个传输层的层叠结构；设置在第二、第三和第四空穴传输层上的有机发射层；电子传输层，其设置在有机发射层上并形成为多个层的层叠结构；和设置在电子传输层上的第二电极，其中，第二、第三和第四空穴传输层各自的空穴迀移率都与电子传输层的电子迀移率不同。
[0026]对于本领域技术人员而言，在查阅以下附图和具体说明后，其他系统、方法、特征和优势将是显而易见的，或将变得显而易见。意在将所有这些另外的系统、方法、特征和优势均涵盖于本说明书中、涵盖于本公开的范围内、并受以下权利要求的保护。本节的任何内容都不应当作为对所述权利要求的限制。下文将结合上述实施方式来说明其他方面和优势。应理解的是，本公开的前述总体说明和下述具体说明均是示例性和说明性的，意在提供对所要求保护的本公开内容的进一步说明。
【附图说明】
[0027]本申请包括附图来提供对实施方式的进一步理解，附图并入本文中并构成本申请的一部分，附图示出了本公开的实施方式，并与说明书一起用于说明本公开内容。在附图中:
[0028]图1是示出了现有技术的形成在有机发光显示装置的亚像素区域中的有机发光二极管的结构的截面图；
[0029]图2是示出了现有技术的有机发光二极管的寿命特性的图表；
[0030]图3是示出了现有技术的有机发光二极管在高温可靠性检测后的亮度特性的图表;
[0031]图4是示出了本公开的第一实施方式的有机发光显示装置的结构的截面图；
[0032]图5是示出了本公开的一个实施方式的有机发射层内的复合区的扩张原理的截面图；
[0033]图6和图7是示出了本公开的一个实施方式有机发光二极管的复合区的扩张方向的图表，该扩张缘于空穴和电子传输层的空穴和电子的迀移率之间的差异；
[0034]图8是示出了本公开的一个实施方式的有机发光二极管的寿命特性的图表；
[0035]图9是示出了本公开的一个实施方式的有机发光二极管在高温可靠性检测后的亮度特性的图表；
[0036]图10是不出了本公开的一个实施方式的有机发光二极管的量子效率(Q.E.)特性的表；
[0037]图11是示出了本公开的一个实施方式的有机发光二极管的电流密度特性的图表;
[0038]图12是显示了本公开的第二实施方式的有机发光显示装置的结构的截面图；
[0039]图13A和13B是显示了图12中的空穴和电子传输层的结构的截面图。
【具体实施方式】
[0040]现将详细说明本发明的实施方式，其实例在附图中示出。下文介绍的这些实施方式作为实例提供，目的是将其主旨传达给本领域普通技术人员。因此，这些实施方式可以以不同的形式实施，因而其不限于本文描述的这些实施方式。而且，为了绘图方便，装置的尺寸和厚度可能以夸大的方式表现。在任何可能的情况下，本公开全文(包括附图)中将使用相同的附图标记来指示相同或相似的部分。
[0041]本公开的一个实施方式的有机发光显示装置包括时序控制器、数据驱动器