附图所示的部分重复了第一和第二像素PXl和PX2的相同结构。
[0032]每个像素PXl和PX2包括发出红、绿、蓝三基色的三个子像素R、G、B，且每个子像素R、G、B都被分为开口区域Ο/A和电路区域T/A。
[0033]开口区域Ο/A是形成与三基色对应的有机发光二极管143或243的区域，从而向外发光并形成图像。每个有机发光二极管143或243包括第一电极(空穴注入电极)、有机化合物层和第二电极(电子注入层)。
[0034]有机化合物层包括真正发光的发光层，并且除发光层以外，还包括多个不同的有机层，用于有效地向发光层传送空穴和电子载体。这些有机层可包括位于第一电极和发光层之间的空穴注入层和空穴传输层，以及位于第二电极和发光层之间的电子注入层和电子传输层。
[0035]电路区域T/A是形成薄膜晶体管图案153或253的区域，从而向有机发光二极管143或243提供与图像对应的电流。薄膜晶体管图案153或253可以包括用于将电流施加到有机发光二极管143或243的驱动薄膜晶体管，用于将与图像数据对应的数据电压提供给驱动薄膜晶体管的栅极的开关薄膜晶体管，以及接收基准电压Vref并感测和补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压和电子迀移率的采样薄膜晶体管SPTl或SPT2。因此，薄膜晶体管图案153或253包括至少三个薄膜晶体管。
[0036]薄膜晶体管图案153或253与在垂直方向上形成的R数据线131、G数据线132和B数据线133电性连接，并将相应的数据电压施加到子像素R、G、B。薄膜晶体管图案153或253与在平行于数据线131至133的方向上形成的电源电压供给线141以及在垂直于电源电压供给线141的方向上形成的栅线107、117、207电性连接。
[0037]在第一和第二像素PXl和PX2的电路区域T/A之间所限定的接触区域C/A具有与两个薄膜晶体管图案153和253相连接的基准连接图案170，以施加基准电压Vref。基准电压Vref由在平行于电源电压供给线141的方向上形成的基准电压供给线150提供。
[0038]数据线131至133和电源电压供给线141形成于同一金属层，栅极和栅线107、117、207和217以及基准连接线170形成于数据金属层下的栅极金属层。因此，基准连接图案170与基准电压供给线150形成于不同层，且基准连接图案170经接触区域C/A的交叉点上的接触孔157与基准电压供给线150电性连接。
[0039]虽然附图示出的示例中，电源电压供给线141形成于红色子像素R和绿色子像素G之间，而基准电压供给线150形成于绿色子像素G和蓝色子像素B之间，但本发明不限于该示例，只要每个像素PXl和PX2中都分配有至少一条电源电压供给线141和至少一条基准电压供给线150，那么这两条线就可互相替换。
[0040]栅极和栅线107、117、207、217中，第一和第二栅极107和207分别构成了像素PXl和PX2的采样薄膜晶体管SPTl和SPT2的栅极，其形成于半导体层103和203之上，并经接触孔分别与第一像素PXl的第一采样薄膜晶体管SPTl的漏极113b以及第二像素PX2的第二采样薄膜晶体管SPT2的源极213a电性连接。由于第一像素PXl的第一采样薄膜晶体管SPTl的源极113b以及第二像素PX2的第二采样薄膜晶体管SPT2的漏极213b分别与薄膜晶体管图案153和253相连接，因此它们利用第二扫描信号(图2中的Vscan2)将基准电压Vref传送给第一和第二像素PXl和PX2。
[0041]也就是说，在按照本发明的实施方式的有机发光二极管显示器中，两个垂直相邻的像素PXl和PX2相对于接触区域C/A具有对称的结构，且分别形成于两个像素PXl和PX2中的采样薄膜晶体管SPTl和SPT2的两个电极在接触区域C/A与基准连接图案170相连接。因此，所述两个像素PXl和PX2共用基准连接图案170。因此，总共六个子像素与一个基准连接图案170相连接。上述实施方式阐述的结构中，第一像素PXl和第二像素PX2相对于基准连接图案170对称，开口区域Ο/A中包括的有机发光二极管143以及电路区域T/A中包括的薄膜晶体管图案153也全部对称，但是本发明不限于该结构，第一像素PXl的开口区域0/A、电路区域T/A以及第二像素PX2的开口区域0/A、电路区域T/A也可以设计为具有不同的内部结构。
[0042]也就是说，在第一和第二像素PXl和PX2的开口区域Ο/A和电路区域T/A相对于基准连接图案170对称的同时，第一像素PXl与第二像素PX2相比，开口区域Ο/A和电路区域T/A中形成的薄膜晶体管图案153和有机发光二极管143的层叠结构、栅线117和217、数据线131和电源电压供给线141的连接结构、以及其他电路图案结构可以不同。
[0043]因此，按照本发明实施方式的有机发光二极管显示器仅包括一个接触区域C/A对应于两个像素PXl和PX2，还包括空白区域B/A，与现有技术的发光二极管显示器相比，开口区域Ο/A的尺寸可根据空白区域B/A的宽度而增大。本发明可具有比现有技术约增大7%的空白区域。
[0044]下文将参照附图描述按照本发明的实施方式制造有机发光二极管显示器的基准连接图案及与基准连接图案相连接的采样薄膜晶体管的方法。
[0045]图6A至6F为依次示出按照本发明实施方式的制造有机发光二极管显示器的方法的工艺截面图。
[0046]按照本发明实施方式的制造有机发光二极管显示器的方法包括以下步骤:准备基板101 ;在基板101上形成包括栅线107、栅极和基准连接图案170的栅极金属层；在栅极金属层上形成包括数据线、源极和漏极113a、113b、213a和213b以及基准电压供给线的数据金属层；将基准连接图案170与源极和漏极113a、113b、213a和213b以及基准电压供给线电性连接；以及形成由阳极、有机发光层和阴极构成的有机发光二极管，并覆盖数据金属层，从而限定一个像素。所述像素可以包括相对于形成基准连接图案170的接触区域C/A呈对称的两个垂直相邻的像素PXl和PX2。
[0047]如图6A所示，首先，在由玻璃或塑料制成的透明基板101上形成由绝缘材料制成的缓冲层，所述绝缘材料例如诸如二氧化硅Si02或硅的氮化物SiNx之类的无机绝缘材料。如下文所述，依据半导体层103的特性，可以省略缓冲层。
[0048]然后，在缓冲层上形成由纯多晶硅制成并由第一区域103a、203a和第二区域130b、103c、203b和203c构成的半导体层103、203，从而对应于第一和第二像素PX1、PX2的采样薄膜晶体管区域，其中，第一区域103a、203a具有中央形成通道，第二区域130b、103c、203b和203c形成于第一区域103a、203a的任意一侧并掺有高浓度的杂质。
[0049]然后，如图6B所示，在包括半导体层103、203的缓冲层上形成是栅极绝缘膜105，然后在栅极绝缘膜105、205上形成包括栅线、栅极107、207以及基准连接图案170的栅极金属层，从而对应于半导体层103、203的第一区域103a、203a。
[0050]栅线、栅极107、207以及基准连接图案170可具有由低电阻金属制成的单层结构，例如铝Al、铝合金AINd、铜Cu、铜合金、钼Mo或钛化钼MoTi，或者具有由两种或更多种金属的组合制成的两层或三层结构。在附图中，举例来说，栅线、栅极107、207以及基准连接图案170具有单层结构。
[0051]下面，如图6C所示，在栅线107、207、栅极和基准连接图案170上形成中间层绝缘膜109，覆盖显示区域的整个表面，中间