层绝缘膜109由绝缘材料制成，例如诸如二氧化硅S12或硅的氮化物SiNx之类的无机绝缘材料。
[0052]然后，通过选择性地构图绝缘膜109及下方的栅极绝缘膜105，暴露出位于半导体层103的第一区域103a的任意一侧的第二区域103b和103c。
[0053]接着，如图6D所示，在中间层绝缘膜109上形成数据金属层。构成数据金属层的金属可以是铝Al、铝合金AlNdJH Cu、铜合金、钼Mo或钛化钼MoTi，也可以使用它们中的至少两种。
[0054]数据金属层包括数据线以及与数据线相距预定距离电源电压供给线。
[0055]在形成数据线的同时，在绝缘膜109上形成彼此分离的源极113a、213a与漏极113b、213b，它们与经接触孔暴露出的第二区域103b、203b以及103c、203c接触，并由与数据线相同的数据金属制成。虽然附图仅示出了采样薄膜晶体管SPTl和SPT2，但驱动薄膜晶体管以及开关薄膜晶体管也具有与采样薄膜晶体管SPTl和SPT2相同的结构。被半导体层153分隔开的源极113a、213a和漏极113b、213b、栅极绝缘膜105、205、栅极107,207以及中间层绝缘膜109依次层叠在相应的采样薄膜晶体管区域，构成了第一像素PXl的采样薄膜晶体管SPTl和第二像素PX2的采样薄膜晶体管SPT2。
[0056]虽然附图示出的示例中，数据线、源极113a、213a和漏极113b、213b都具有单层结构，但这些组件也可以具有由两种或更多种不同金属的组合制成的两层或三层结构。在附图中，举例来说，栅极107、207以及基准连接线170具有单层结构。
[0057]特别是，本发明的一个实施方式所示的示例中，每个薄膜晶体管为共面型，具有多晶硅半导体层103、203。
[0058]第一和第二像素PXl和PX2的采样薄膜晶体管SPTl和SPT2相对于接触区域C/A呈对称的。
[0059]下面，如图6E所示，在采样薄膜晶体管SPTl上形成中间层绝缘膜115。中间层绝缘膜115可以由绝缘材料制成，例如诸如二氧化娃3;102或氮化娃SiNx之类的无机绝缘材料。然后，在中间层绝缘膜115上形成由阳极、有机发光层和阴极构成并覆盖数据金属层的有机发光二极管。
[0060]然后，如图6F所示，在有机发光二极管上形成钝化层123和保护层127，由此实现有机发光二极管显示器。
[0061]虽然上述说明包含许多特定细节，但这些特定细节不应被理解为是对本发明保护范围的限制，而是优选实施方式的示例。因此，本发明的保护范围不应由所示实施方式确定，而是由权利要求及其等同物确定。
【主权项】
1.一种有机发光二极管显示器，包括: 多个像素，每个像素包括形成有机发光二极管的开口区域和在垂直方向上与开口区域相连接的电路区域，以及还具有多个薄膜晶体管，所述多个像素包括垂直相邻的第一像素和第二像素；以及 具有基准连接图案的接触区域，所述基准连接图案与第一像素和第二像素的薄膜晶体管相连接以提供基准电压。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，第一像素和第二像素相对于接触区域是呈对称的。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，第一像素和第二像素的有机发光二极管结构和多个薄膜晶体管结构不同。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，多个薄膜晶体管包括: 与有机发光二极管相连接的驱动薄膜晶体管； 与驱动薄膜晶体管的栅极相连接的开关薄膜晶体管；和 连接在驱动薄膜晶体管的一个电极和有机发光二极管的阳极之间的、用于接收基准电压的采样薄膜晶体管。
5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中，基准连接图案与采样薄膜晶体管的栅极被包括在同一金属层上。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，基准连接图案经接触孔与采样薄膜晶体管的一个电极相连接。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，基准连接图案在接触区域与基准电压供给线交叉，并经接触孔与基准电压供给线相连接，基准电压供给线布置为与连接到薄膜晶体管的数据线平行。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中，基准电压供给线在从构成第一像素和第二像素每个的红、绿、蓝子像素中选出的两个子像素之间排列，且彼此平行排列。
9.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中，基准连接图案与第一像素和第二像素每个的红、绿、蓝子像素连接。
10.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中，红色和绿色子像素相对于电源电压供给线是呈对称的。
11.如权利要求10所述的有机发光二极管显示器，其中，电源电压供给线与基准连接图案垂直且平行于基准电压供给线。
12.一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括: 准备基板； 在基板上形成包括栅线、栅极和基准连接图案的栅极金属层； 在栅极金属层上形成包括数据线、源极和漏极以及基准电压供给线的数据金属层； 将基准连接图案与源极和漏极以及基准电压供给线电性连接；以及 形成由阳极、有机发光层和阴极构成并覆盖数据金属层的有机发光二极管，从而限定多个像素中的每个像素， 其中所述像素包括相对于形成基准连接图案的接触区域呈对称的两个垂直相邻的像素。
13.如权利要求12所述的方法，其中，两个垂直相邻的像素的有机发光二极管结构和多个薄膜晶体管结构不同。
14.如权利要求12所述的方法，进一步包括: 形成具有有机发光二极管的开口区域；以及 形成在垂直方向与开口区域相连接的电路区域，其具有分别对应于多个像素的多个薄膜晶体管。
15.如权利要求12所述的方法，进一步包括: 形成对应于每个像素的多个薄膜晶体管，其中所述多个薄膜晶体管包括: 与每个像素的有机发光二极管相连接的驱动薄膜晶体管； 与驱动薄膜晶体管的栅极相连接的开关薄膜晶体管；以及 连接在驱动薄膜晶体管的一个电极与有机发光二极管的阳极之间的用于接收基准电压的采样薄膜晶体管。
16.如权利要求15所述的方法，其中，于同一金属层形成基准连接图案与采样薄膜晶体管的栅极。
17.如权利要求16所述的方法，进一步包括: 经接触孔将基准连接图案连接至采样薄膜晶体管的一个电极。
18.如权利要求12所述的方法，其中，基准连接图案在接触区域与基准电压供给线交叉，并经接触孔与基准电压供给线相连接，所述基准电压供给线布置为与连接至多个薄膜晶体管的数据线平行。
19.如权利要求18所述的方法，其中，基准电压供给线在从红、绿、蓝子像素中选出的两个子像素之间排列，且彼此平行排列。
20.如权利要求19所述的方法，进一步包括: 在基板上形成电源电压供给线，其中红色和绿色子像素相对于电源电压供给线是呈对称的。
【专利摘要】本发明涉及一种有机发光二极管显示器及其制造方法，通过在相邻子像素之间以对称方式配置电路图案，使得子像素共用信号线，从而能提供更佳的孔径比。有机发光二极管显示器的每个像素是相对于一个接触区域对称地形成的，可以减少基准连接图案的数量，因此能使开口区域的占用面积更宽，进而提高孔径比。
【IPC分类】H01L51-52, H01L27-32, H01L51-56
【公开号】CN104752479
【申请号】CN201410822190
【发明人】李瑛长, 李智惠
【申请人】乐金显示有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2014年12月24日
【公告号】US20150187851