栅氧器件的制作工艺，相比于相关技术中生长两次栅氧化层，缩短了炉管作业的时间，提高了炉管作业的产能，同时也提高了双栅氧器件的生产效率，且制作工艺完全兼容传统生产流程，无设备成本增加，流程相对简单。
[0031]在上述技术方案中，优选的，所述刻蚀掉所述第一阱区上预定厚度的栅氧化层的步骤具体包括:在所述第一阱区上的栅氧化层表面涂覆光刻胶，以形成光刻胶窗口 ；刻蚀所述光刻胶窗口区域的预定厚度的栅氧化层。
[0032]在上述技术方案中，优选的，所述刻蚀为湿法刻蚀。
[0033]在上述技术方案中，优选的，所述刻蚀为干法刻蚀。
[0034]在上述技术方案中，优选的，所述刻蚀所述光刻胶窗口区域的预定厚度的栅氧化层的步骤具体为:采用干法刻蚀刻蚀掉所述光刻胶窗口区域的第一厚度的栅氧化层；采用化学溶剂清洗经过干法刻蚀之后的所述光刻胶窗口区域的栅氧化层，以刻蚀掉第二厚度的栅氧化层；其中，所述第一厚度大于所述第二厚度，所述预定厚度等于所述第一厚度与所述第二厚度之和。
[0035]具体来说，在对第一阱区上的栅氧化层进行刻蚀时，可以采取湿法刻蚀的方法(刻蚀效果良好)，也可以采取干法刻蚀的方法(刻蚀速度较快)，还可以采取干法刻蚀与湿法刻蚀相结合的方法，以在确保刻蚀效果的前提下，提高对栅氧化层的刻蚀速度。
[0036]在上述技术方案中，优选的，采用热氧化生长工艺生长所述栅氧化层。
[0037]在上述技术方案中，优选的，生长所述栅氧化层的温度为900°C至1150°C。
[0038]在上述技术方案中，优选的，所述在形成有第一阱区和第二阱区的衬底表面生长栅氧化层的步骤之前，还包括:在所述衬底表面生长氧化层；对所述氧化层通过离子注入工艺形成所述第一阱区和所述第二阱区。
[0039]在上述技术方案中，优选的，所述厚度差为100埃至1000埃。
[0040]下面结合图3A至图3C详细说明根据本发明的实施例的双栅氧器件的制造流程。
[0041]图3A至图3C示出了根据本发明的实施例的双栅氧器件的制造流程示意图。
[0042]如图3A所示，在衬底302的表面生长第一阱区304和第二阱区306，在第一阱区304和第二阱区306的表面分别生长栅氧化层308和栅氧化层310。
[0043]如图3B所示，刻蚀掉第一阱区304表面上预定厚度的栅氧化层后，得到栅氧化层312。
[0044]如图3C所示，在栅氧化层312和栅氧化层310的表面淀积多晶硅层314，以完成双栅氧器件的制造。
[0045]具体来说，在制造12V的CMOS器件时，在第一阱区和第二阱区上可以都生长350埃的栅氧层，然后在第一阱区上刻蚀掉200埃的栅氧层，以在第一阱区上的保留150埃的栅氧层，避免了相关技术中刻蚀掉第一阱区上所有的栅氧层之后再生长栅氧层，导致炉管作业时间长，影响生产效率的问题。
[0046]以上结合附图详细说明了根据本发明的技术方案，本发明提出了一种新的双栅氧器件的制造方法，通过本发明的技术方案，使得在制造双栅氧器件时，只需生长一次栅氧化层便可实现双栅氧器件中两层栅氧化层之间存在厚度差的要求，优化了双栅氧器件制作工艺，提高了双栅氧器件的制造效率，同时，缩短了炉管作业时间，提高了炉管作业产能。
[0047]以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种双栅氧器件的制造方法，其特征在于，包括: 在形成有第一阱区和第二阱区的衬底表面生长栅氧化层，所述栅氧化层位于所述第一阱区和所述第二阱区的上方； 刻蚀掉所述第一阱区上预定厚度的栅氧化层，以使所述第一阱区上的栅氧化层与所述第二阱区上的栅氧化层存在厚度差； 在形成有栅氧化层的衬底表面生长多晶硅层，以得到所述双栅氧器件。
2.根据权利要求1所述的双栅氧器件的制造方法，其特征在于，所述刻蚀掉所述第一阱区上预定厚度的栅氧化层的步骤具体包括: 在所述第一阱区上的栅氧化层表面涂覆光刻胶，以形成光刻胶窗口 ； 刻蚀所述光刻胶窗口区域的预定厚度的栅氧化层。
3.根据权利要求2所述的双栅氧器件的制造方法，其特征在于，所述刻蚀为湿法刻蚀。
4.根据权利要求2所述的双栅氧器件的制造方法，其特征在于，所述刻蚀为干法刻蚀。
5.根据权利要求2所述的双栅氧器件的制造方法，其特征在于，所述刻蚀所述光刻胶窗口区域的预定厚度的栅氧化层的步骤具体为: 采用干法刻蚀刻蚀掉所述光刻胶窗口区域的第一厚度的栅氧化层； 采用化学溶剂清洗经过干法刻蚀之后的所述光刻胶窗口区域的栅氧化层，以刻蚀掉第二厚度的栅氧化层； 其中，所述第一厚度大于所述第二厚度，所述预定厚度等于所述第一厚度与所述第二厚度之和。
6.根据权利要求1所述的双栅氧器件的制造方法，其特征在于，采用热氧化生长工艺生长所述栅氧化层。
7.根据权利要求6所述的双栅氧器件的制造方法，其特征在于，生长所述栅氧化层的温度为900°C至1150°C。
8.根据权利要求1所述的双栅氧器件的制造方法，其特征在于，所述在形成有第一阱区和第二阱区的衬底表面生长栅氧化层的步骤之前，还包括: 在所述衬底表面生长氧化层； 对所述氧化层通过离子注入工艺形成所述第一阱区和所述第二阱区。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的双栅氧器件的制造方法，其特征在于，所述厚度差为100埃至1000埃。
10.一种双栅氧器件，其特征在于，所述双栅氧器件采用权利要求1至9中任一项所述的双栅氧器件的制造方法制造而成。
【专利摘要】本发明提供了一种双栅氧器件的制造方法和一种双栅氧器件，其中，所述双栅氧器件的制造方法，包括：在形成有第一阱区和第二阱区的衬底表面生长栅氧化层，所述栅氧化层位于所述第一阱区和所述第二阱区的上方；刻蚀掉所述第一阱区上预定厚度的栅氧化层，以使所述第一阱区上的栅氧化层与所述第二阱区上的栅氧化层存在厚度差；在形成有栅氧化层的衬底表面生长多晶硅层，以得到所述双栅氧器件。本发明只需生长一次栅氧化层便可实现双栅氧器件中两层栅氧化层之间存在厚度差的要求，优化了双栅氧器件制作工艺，提高了双栅氧器件的制造效率，同时，缩短了炉管作业时间，提高了炉管作业产能。
【IPC分类】H01L21-8238, H01L27-092, H01L29-423
【公开号】CN104835787
【申请号】CN201410046097
【发明人】崔金洪, 贺冠中
【申请人】北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2014年2月8日