数字助手)、便携式计算机、网络平板电脑、无线电话、移动电话、数字音乐播放器、存储卡和/或能够在无线通信环境中传输和/或接收数据的所有装置。
[0078]电子系统1100可以包括控制器1110、输入/输出(I/O)装置1120(例如，按键和/或显示装置)、存储器1130、接口 1.140和总线1.150。存储器1130和接口 11.40可以通过总线1150彼此通信。
[0079]控制器1110可以包括微处理器、数字信号处理器、微控制器和/或与微处理器、数字信号处理器、微控制器相似的其它处理装置。存储器1130可以用于存储由控制器1110执行的命令。输入/输出装置1120可以接收来自电子系统1100的外部的数据和/或信号，和/或将数据和!或信号传输至电子系统1100的外部。例如,输入!输出装置1120可以包括键盘、按键和/或显示器。
[0080]存储器1130可以包括根据本发明构思的示例实施例的半导体器件。存储器1130还可以包括不同类型的存储器、能够随机存取的易失性存储装置和各种类型的存储器。
[0081]接口 1140可以将数据传输至通信网络和/或可以接收来自通信网络的数据。
[0082]根据本发明构思的示例实施例，可以以将辅助图案设置在位于有源图案中的薄弱的有源图案上的主栅极图案附近的方式来制备用于半导体器件的布图设计。所述薄弱的有源图案可以是例如有源图案中的最外侧的有源图案,可以是在实际制造工艺期间预期宽度增大的有源图案。辅助图案的存在可以降低或可能防止出现泄漏电流，因此可以改善晶体管的电特性的均匀性。从而，半导体器件可以具有改善的可靠性。
[0083]上面公开的主题将被认为是示意性的，而不是限制性的，权利要求意图覆盖落入本发明构思的真实精神和范围内的所有这样的修改、改进和其它实施例。因此,为了得到法律允许的最大程度，将由权利要求和它们的等同物的最广泛可允许的解释来确定范围，所述范围不应受前述具体描述限制或限定。
【主权项】
1.一种半导体器件,所述半导体器件包括: 基板； 器件隔离层，设置在基板中以限定设置成彼此相邻的第一有源区、第二有源区和第三有源区，第二有源区从第一有源区和第三有源区的最外侧边缘横向突出;以及栅电极，与第二有源区交叉,其中: 栅电极包括与第二有源区交叉并且彼此面对的第^-侧壁和第二侧壁； 第二有源区设置在第一有源区和第三有源区之间，并且包括彼此相对且分别与第一侧壁和第二侧壁相邻的第一端和第二端； 第一侧壁和第二侧壁具有不同的宽度； 第一端和第二端具有不同的宽度。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，第一侧壁和第二侧壁中的每个侧壁的与器件隔离层叠置的宽度至少为大约30nm。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中: 第二端与第--有源区和第三有源区的最外侧边缘横向分隔开； 第二端的宽度大于第一端的宽度。4.如权利要求3所述的半导体器件，其中,第二侧壁的宽度大于第一侧壁的宽度。5.如权利要求1所述的半导体器件，其中: 器件隔离层的与第^-端相邻的侧壁相对于基板的顶表面形成第一角； 器件隔离层的与第二端相邻的另一侧壁相对于基板的顶表面形成第二角； 第一角与第二角不同。6.如权利要求5所述的半导体器件，其中,第一角小于第二角。7.如权利要求1所述的半导体器件,其中,栅电极在平面图中具有不对称的形状。8.一种制备半导体器件的布图设计的方法，所述方法包括..将有源图案设置成彼此相邻； 将主栅极图案设置在各个有源图案上； 将至少一个辅助图案设置成与主栅极图案中的设置在有源图案中的最外侧的有源图案上的主栅极图案相邻。9.如权利要求8所述的方法，其中: 设置有源图案的步骤包括设置彼此平行并且沿第一方向延伸的第一有源图案和第二有源图案； 第二有源图案包括从第一有源图案朝着第一方向突出的部分； 设置主栅极图案的步骤包括设置主栅极图案中的与第二有源图案交叉的最外侧的主栅极图案； 所述至少-个辅助图案包括与主栅极图案中的所述最外侧的主栅极图案接触的第一辅助图案；以及 第一辅助图案被设置成与主栅极图案中的所述最外侧的主栅极图案的一侧相邻，所述一侧不与第一有源图案的侧面相邻并且被设置成与第一有源图案分隔开至少第一有源图案和所述最外侧的主栅极图案之间的距离。10.如权利要求9所述的方法,其中，主栅极图案中的所述最外侧的主栅极图案与第一辅助图案具有位于与第一有源图案等距的偏位线上的侧面。11.如权利要求9所述的方法,所述方法还包括: 设置与第一有源图案分隔开的第三有源图案，其中，第二有源图案设置在第一有源图案和第三有源图案之间,第二有源图案的从第一有源图案朝着第一方向突出的所述部分从第三有源图案朝着第一方向突出； 设置与主栅极图案中的最外侧的主栅极图案接触的第二辅助图案，其中，主栅极图案中的所述最外侧的主栅极图案与第二辅助图案具有位于与第三有源图案等距的偏位线上的侧面。12.一种光掩模,所述光掩模包括: 透明基板； 挡光图案，在透明基板上限定栅电极,其中: 挡光图案包括分别与栅电极对应的栅极开口，或者分别与栅电极对应的栅极挡光图案； 栅极开口中的最外侧的栅极开口或栅极挡光图案中的最外侧的栅极挡光图案具有与其它栅极开口或其它栅极挡光图案不同的形状。13.如权利要求12所述的光掩模，其中,栅极开口中的最外侧的栅极开口或栅极挡光图案中的最外侧的栅极挡光图案在平面图中具有不对称的形状。14.如权利要求12所述的光掩模，其中..栅极开口中的最外侧的栅极开口具有布置成与其它栅极开口相邻的第一侧和沿远离所述其它栅极开口的方向布置的第二侧； 第一侧和第二侧彼此面对； 第二侧比第一侧长。15.如权利要求12所述的光掩模，其中: 栅极挡光图案中的最外侧的栅极挡光图案具有布置成与其它栅极挡光图案相邻的第一侧和沿远离所述其它栅极挡光图案的方向布置的第二侧； 第一侧和第二侧彼此面对； 第二侧比第一侧长。16.—种制造半导体器件的方法,所述方法包括: 在基板上形成有源区； 在有源区上形成导电层； 在导电层上形成限定栅电极的光致抗蚀剂图案； 通过利用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来形成栅电极， 其中,光致抗蚀剂图案中的最外侧的光致抗蚀剂图案具有与其它光致抗蚀剂图案不同的形状。17.如权利要求16所述的方法，其中: 光致抗蚀剂图案中的最外侧的光致抗蚀剂图案包括与有源区中的最外侧的有源区交叉并且彼此面对的第一侧壁和第二侧壁； 第一侧壁和第二侧壁具有不同的宽度。18.如权利要求16所述的方法，其中，形成有源区的步骤包括: 在基板上形成限定有源区的掩模图案； 利用掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻基板以形成沟槽； 形成器件隔离层以填充沟槽，其中: 掩模图案中的最外侧的掩模图案具有布置成与其它掩模图案相邻的第三侧壁和沿远离所述其它掩模图案的方向布置的第四侧壁； 第四侧壁比第三侧壁长。19.如权利要求18所述的方法，其中: 栅电极中的最外侧的栅电极包括与有源区中的最外侧的有源区交叉并且彼此面对的第五侧壁和第六侧壁； 第五侧壁和第六侧壁中的每个与器件隔离层叠置； 第五侧壁和第六侧壁中的每个侧壁的与器件隔离层叠置的宽度为至少大约30nm。20.如权利要求18所述的方法，其中: 第三侧壁相对于掩模图案中的最外侧的掩模图案的底表面形成第一角； 第四侧壁相对于掩模图案中的最外侧的掩模图案的底表面形成第二角； 第一角与第二角不同。
【专利摘要】提供了制备半导体器件的布图设计的方法、光掩模、利用该布图设计制造的半导体器件及其制造方法。制备半导体器件的布局设计的步骤可以包括将辅助图案设置在位于薄弱的有源图案上的主栅极图案附近。薄弱的有源图案可以是例如有源图案中的最外侧的有源图案，并且可以是预期在制造工艺期间宽度增大的有源图案。
【IPC分类】H01L23/528, H01L21/77, H01L27/02, H01L21/027, G03F1/48, H01L21/768
【公开号】CN104916634
【申请号】CN201510105265
【发明人】李宪国, 金泓秀, 李朱嬿
【申请人】三星电子株式会社
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年3月10日
【公告号】US20150261905