弯曲)。此外，屏蔽插入件140可以通过限制缆线114的旋转运动，提供扭转应变消除。
[0023]屏蔽插入件140与凹部156的轮廓匹配，使得在底座144中实现相对紧密的配合。屏蔽插入件140包括凸缘164和166，它们沿着屏蔽插入件140的主体径向相对。凸缘164、166分别抵靠凹部156中的止动部168、170。例如，凸缘164可抵靠止动部168，使得止动部168限制屏蔽插入件140在方向D上的移动。类似地，凸缘166可抵靠止动部170，使得止动部170限制屏蔽插入件140在方向D上的移动。在所示的实施例中，凸缘164、166被示出为与屏蔽插入件140 —体成型。然而，在其它实施例中，凸缘164、166可以是固定到屏蔽插入件140的单独部件。可选地，屏蔽插入件140在顶盖142和底座144之间是可压缩的，以便在顶盖142和底座144之间提供密封。在缆线端110处的顶盖142和底座144之间不存在间隙。
[0024]屏蔽插入件140提供电磁屏蔽，屏蔽插入件140在壳体108中的相对紧密配合限制了电磁辐射传输穿过缆线端110。导体150和/或导线152可以在高频下传输电信号，并且可以发射电磁辐射。例如，连接器电路板148和/或导线152可将电磁辐射发射到腔室146中，而且电磁辐射可从壳体108的顶盖142和底座144之间的缆线端110、配合端112处和/或接缝(未示出)的开口或间隙排出。电磁辐射可能有害地干扰缆线114中所承载的信号，从而降低了缆线连接器102的性能。另外，电磁辐射可能导致电磁干扰(EMI)，并且可破坏或降低缆线连接器102附近的其它电气设备和/或其它电气部件的操作。例如，EMI可能降低主机设备和/或电气设备116 (如图1所示)的性能。屏蔽插入件140的实施例基本抑制、减少、或消除了电磁辐射传输穿过缆线端110。在另一示例性实施例中，屏蔽插入件140由吸收和/或反射电磁辐射的材料制造。
[0025]图4是根据实施例的屏蔽插入件140的截面图，其被配置为吸收电磁辐射。在所示的实施例中，缆线114被示为穿过屏蔽插入件140，然而，在其他实施例中，如图2所示的实施例中，仅导体150可穿过屏蔽插入件140。在各种实施例中，屏蔽插入件140由电磁辐射吸收材料制造，这种材料配置为在电磁辐射从壳体108 (如图1所示)的缆线端110(如图1所示)排出之前吸收基本所有电磁辐射。电磁辐射吸收材料172配置为抑制电磁辐射或波传播的材料。例如，屏蔽插入件140可由具有高电磁辐射吸收特性的材料制造，例如具有低导磁率因数或低电容率因数。在各种实施例中，屏蔽插入件140的组成和/或密度可以基于电磁辐射吸收的所需数量。
[0026]图5是根据实施例的屏蔽插入件140的截面图，其配置为反射电磁福射。在所不的实施例中，缆线114和导体150被示为穿过屏蔽插入件140。在各种实施例中，屏蔽插入件140可以配置为反射、收集和/或引导将电磁辐射到壳体108内(如图1所示)，以防止电磁辐射传输穿过缆线端110(如图1所示)。屏蔽插入件140由导电浸渍的电介质材料174制造。导电浸渍的电介质材料174通过反射(例如，散射、漫射、或引导)电磁辐射到所述壳体内，驱散基本上所有的从缆线端110排出的电磁辐射。导电浸渍的电介质材料174包括电介质底座或基底176以及嵌入电介质基底176的导电颗粒或薄片178。例如，导电薄片178可以包括金属纤维或薄片，如银颗粒。电介质基底176可以是电磁辐射吸收材料172 (如图4所示)。尽管在所示实施例中示出了具有接近均匀的随机分布，导电薄片178可选择地分布在整个电介质基底176中。例如，导电薄片178可以紧密接触，使得产生导电路径穿过屏蔽插入件140，允许辐射发射到壳体108中。导电薄片178被电连接到壳体108，以引导电磁辐射进入壳体108。导电浸渍的电介质材料174随后被电接地到壳体108。
[0027]图6是根据实施例的屏蔽插入件140的分解透视图。在示例性实施例中，屏蔽插入件140可以通过连结前部180和后部182而形成。前部和后部180、182可由不同的材料形成。例如，前部180可由较不昂贵的电介质材料形成，而后部182由电磁辐射吸收材料172(如图4所示)或导电浸渍的电介质材料174(如图5所示)形成。后部182的第二材料比前部180的第一材料具有更高的电磁辐射吸收特性。
[0028]前部和后部180、182可呈分割注入式(split-shot)包覆模制(overmold)以多阶段模制工序包覆模制在缆线114和/或导体150上(如图2所示)。分割注入式包覆模制的第一注入是通过第一材料完成的，而分割注入式包覆模制的第二注入是通过与第一材料不同的第二材料完成的。例如，分割注入式包覆模制的第一注入可通过电磁辐射吸收材料172或导电浸渍的电介质材料174完成。分割注入式包覆模制的第二注入可以是非导电性(例如，电绝缘)热熔，其配置为提供应变消除和结构刚度。然后，第二注入可以是比第一材料更不昂贵的材料。足够的第一材料用在第一注入中，以提供所需数量的辐射吸收或耗散，而且插入件140的剩余部分通过在凹部156中模制第二材料而形成。在示例的实施例中，第二注入被现场模制为抵靠第一注入。
[0029]包覆模制的第一和第二注入与凹部156轮廓(如图2所示)匹配。分割注入式包覆模制通过减少形成屏蔽插入件140所需的电磁辐射吸收材料172或导电浸渍的电介质材料174的量，降低了制造成本。分割注入式包覆模制还允许电磁辐射吸收材料172或导电浸渍的电介质材料174位于缆线端110附近和/或缆线的缆线屏蔽附近。
【主权项】
1.一种缆线连接器，包括具有配合端(112)和缆线端(110)的壳体(108)，所述壳体具有腔室(146)，至少一个导体(150)设置在该腔室内并延伸到配合端用于端接到配合连接器，所述壳体具有缆线(114)，所述缆线电连接到所述至少一个导体并从所述腔室延伸穿过缆线端，其特征在于屏蔽插入件(140)设置在壳体内，靠近缆线端，屏蔽插入件周向地围绕缆线，并被配置成阻止电磁辐射传输穿过缆线端。2.如权利要求1所述的缆线连接器，其中所述屏蔽插入件(140)包括电磁辐射吸收材料(172)，该电磁辐射吸收材料被配置为在电磁辐射从壳体的缆线端(110)排出之前吸收基本上所有的电磁辐射。3.如权利要求1所述的缆线连接器，其中所述屏蔽插入件(140)包括导电浸渍电介质材料(174)，该导电浸渍的电介质材料被配置为通过对电磁福射向壳体中的传输进行反射来驱散基本所有的电磁辐射。4.如权利要求3所述的缆线连接器，其中所述导电浸渍的电介质材料(174)包括电介质元件(176)和嵌入整个电介质元件中的导电颗粒，导电颗粒(178)被电连接到壳体(108)，以将电磁辐射引导到所述壳体(108)内。5.如权利要求1所述的缆线连接器，其中所述壳体(108)在靠近缆线端(110)处在腔室(146)中限定出凹部(156)，缆线(114)穿过所述凹部，并且屏蔽插入件(140)在凹部中围绕缆线被模制在位。6.如权利要求5所述的缆线连接器，其中所述屏蔽插入件(140)进一步被配置为限制缆线(114)在凹部(156)中的移动。7.如权利要求1所述的缆线连接器，其中所述屏蔽插入件(140)包括前部(180)和后部(182)，前部由第一材料(172)形成，后部由不同于所述第一材料的第二材料(174)形成，所述第一材料是不导电的，第二材料是导电的。8.如权利要求1所述的缆线连接器，其中所述屏蔽插入件(140)为缆线(114)上的分割注入式包覆模制件，其中所述分割注入式模制件的第一注入是通过电磁辐射吸收材料(172)实现的，分割注入式模制成型的第二注入是通过非电磁辐射吸收材料(174)实现的。9.如权利要求1所述的缆线连接器，还包括位于所述腔室(146)中的电路板(148)，该电路板包括导体(150)，所述缆线(114)端接于电路板。10.如权利要求1所述的缆线连接器，其中屏蔽插入件包括前部(180)和后部(182)，前部由第一材料(177)形成，后部由不同于所述第一材料的第二材料(174)形成，所述第二材料具有比第一材料更高的电磁辐射吸收特性。
【专利摘要】一种缆线连接器包括具有配合端(112)和缆线端(110)的壳体(108)。所述壳体具有一腔室(146)，至少一个导体(150)设置在该腔室内并延伸到配合端，用于端接到配合连接器。所述壳体具有缆线(114)，所述缆线电连接到至少一个导体并从所述腔室延伸穿过缆线端。屏蔽插入件(140)设置在壳体内，靠近缆线端。屏蔽插入件周向地围绕缆线，并被配置成阻止电磁辐射传输穿过缆线端。
【IPC分类】H01R13/6598, H01R13/6585, H01R13/6599
【公开号】CN104979713
【申请号】CN201510259144
【发明人】T·L·布莱泽克, M·R·施米特
【申请人】泰科电子公司
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2015年3月24日
【公告号】US20150270649