一种光刻胶、量子点层图案化的方法及qled、量子点彩膜和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种光刻胶、量子点层图案化的方法及QLED、 量子点彩膜和显示装置。
【背景技术】
[0002] 量子点（Quantum Dot，QD)又可称为纳米晶，是一种由II-VI族或III-V族元素组 成的纳米颗粒，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成具有分子特性的分立能 级结构，受激后可以发射荧光，其发光光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制，荧光强 度和稳定性都很好，是一种很好的电致发光材料。
[0003]目前，量子点作为一种显示材料已经被广泛使用在了显示领域，例如，利用量子点 作为发光材料用于发光层制造出的量子点发光二极管（QLED)。
[0004] 发明人发现现有技术中至少存在如下问题：由于量子点并不是小分子有机材料， 因此目前没有适合量产的量子点图案化手段。如图1所示，现有方法包括在基板1上涂布 光刻胶2并曝光后，再在上述基板1上涂布整层的量子点3,其中基板1的无光刻胶2处的 量子点3是需要保留的；但由于量子点3与光刻胶2的结合力较强，故此时如果直接清洗光 刻胶2上的量子点3,则基板1无光刻胶2处的也被洗掉；又由于量子点3是完整的层，如 果此时直接剥离光刻胶2,则光刻胶2在量子点3之下，无法与剥离液接触，剥离不了。
[0005] 同时，也无法通过蒸镀方式和喷墨方式进行图案化；目前行业普遍接受的方法是 转印法，但该方法很不成熟，工艺难度极大，目前均未量产，另外转印设备的供应商也很少， 因此制约了 QLED的发展。
【发明内容】
[0006] 本发明针对现有的图案化的方法破坏量子点的问题，提供一种量子点层图案化的 方法。
[0007] 解决本发明技术问题所采用的技术方案是：
[0008] -种量子点层图案化的方法，包括以下步骤：
[0009] 在基板上形成光刻胶材料层的步骤，对光刻胶进行构图的步骤，对光刻胶进行亲 水处理的步骤；
[0010] 涂布量子点的步骤；
[0011] 除去剩余光刻胶上的量子点的步骤；
[0012] 剥离光刻胶的步骤。
[0013] 其中，在基板上形成光刻胶材料层的步骤，对光刻胶进行构图的步骤，对光刻胶进 行亲水处理的步骤，步骤不限定先后顺序；
[0014] 对光刻胶进行亲水处理的步骤可以在在基板上形成光刻胶材料层之后构图之前 进行，也可以在形成光刻胶材料层并构图之后进行。
[0015] 优选的，所述对光刻胶进行亲水处理的步骤在形成光刻胶材料层的步骤之前进 行；所述在基板上形成光刻胶材料层的步骤和对光刻胶进行亲水处理的步骤包括：
[0016] 将光刻胶与亲水性二醛混合得到含有亲水基团的亲水性光刻胶；
[0017] 在基板上形成上述亲水性光刻胶材料层之后进行构图。
[0018] 优选的，所述亲水性光刻胶中亲水性二醛含量为l_20wt%。
[0019] 优选的，所述对光刻胶进行亲水处理的步骤在形成光刻胶材料层的步骤之后进 行；对光刻胶进行亲水处理的步骤包括：
[0020] 调节含酸的亲水性二醛水溶液，所述亲水性二醛中含有亲水基团；
[0021] 将形成光刻胶材料层的基板浸泡于上述水溶液中；
[0022] 将基板加热，光刻胶表面形成亲水基团。
[0023] 优选的，所述酸选自草酸、马来酸、马来酸酐、乙酸、三氯乙酸、苯磺酸、酒石酸、柠 檬酸、消旋苹果酸中的一种或几种。
[0024] 优选的，所述亲水性二醛水溶液质量浓度为3~20 %、pH为2~5. 5。
[0025] 优选的，所述浸泡的时间为5~30min。
[0026] 优选的，所述将基板加热包括：在90~160°C的温度下加热5~60min。
[0027] 优选的，所述亲水性二醛结构式为：
[0028]
[0029] 其中R为亲水基团，叫为0或正整数，η 2为正整数，η 3为0或正整数，η 4为正整数， 并且（1^+?+?)*]?= 3 ~10。
[0030] 优选的，所述亲水基团包括羧基、羧盐、羟基、氨基、季铵盐、酯基、酰肼基、酰胺基 或磺酸基中的一种或几种。
[0031 ] 优选的，所述光刻胶包括酚醛树脂。
[0032] 优选的，在基板上形成光刻胶材料层的步骤之前还包括：对所述基板进行量子点 锚定力处理的步骤。
[0033] 本发明提供一种亲水性二醛的制备方法，2-乙醇-己二醛的合成：以3-环己 烯-1-甲醇（CAS :1679-51-2)为原料，经过三步反应生成亲水性二醛2-乙醇-己二醛，反 应过程如下：
[0034]
[0035] 其中，上述制备亲水性二醛的方法仅为举例，本领域技术人员可以根据经验，采用 其它相类似的原料制备出上述含有亲水基团的亲水性二醛。
[0036] 本发明还提供一种量子点图案化用光刻胶，所述光刻胶含有亲水基团。
[0037] 本发明还提供一种量子点发光二极管（QLED)，包括发光层，所述发光层包括上述 的图案化的方法制备的量子点层。
[0038] 本发明还提供一种量子点彩膜，所述量子点彩膜包括上述的图案化的方法制备的 量子点层。
[0039] 本发明还提供一种显示装置，包括上述的QLED或量子点彩膜。
[0040] 本发明的量子点层图案化的方法中，包括对光刻胶进行亲水处理的步骤，这样可 以提高光刻胶的亲水性能，由于量子点具有亲油性，使得量子点在光刻胶上的附着力极低。 在剥离光刻胶的时候，不会造成基板目标位置上的量子点脱落。本发明的量子点图案化的 方法适用于包括量子点的发光二极管。
【附图说明】
[0041] 图1为现有的量子点层图案化的方法的步骤示意图；
[0042] 图2为本发明的实施例2的量子点层图案化的方法的步骤示意图；
[0043] 图3为本发明的实施例2的另一种量子点层图案化的方法的步骤示意图；
[0044] 图4为本发明的实施例2的量子点结构示意图；
[0045] 其中，附图标记为：1、基板；2、光刻胶；3、量子点；31、发光核；32、半导体壳；33、 有机配体。
【具体实施方式】
[0046] 为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方 式对本发明作进一步详细描述。
[0047] 实施例1 :
[0048] 本实施例提供一种量子点层图案化的方法，包括以下步骤：
[0049] 在基板上形成光刻胶材料层的步骤，对光刻胶进行构图的步骤，对光刻胶进行亲 水处理的步骤；
[0050] 涂布量子点的步骤；
[0051] 除去剩余光刻胶上的量子点的步骤；
[0052] 剥离光刻胶的步骤。
[0053] 其中，在基板上形成光刻胶材料层的步骤，对光刻胶进行构图的步骤，对光刻胶进 行亲水处理的步骤，步骤不限定先后顺序；
[0054] 对光刻胶进行亲水处理的步骤可以在形成光刻胶材料层之后构图之前进行，也可 以在形成光刻胶材料层并构图之后进行。
[0055] 本实施例的量子点层图案化的方法中，包括对光刻胶进行亲水处理的步骤，这样 可以提高光刻胶的亲水性能，由于量子点具有亲油性，使得量子点在光刻胶上的附着力极 低。在剥离光刻胶的时候，不会造成基板目标位置上的量子点脱落。本发明的量子点图案 化的方法适用于包括量子点的发光二极管。
[0056] 实施例2 :
[0057] 本实施例提供一种量子点层图案化的方法，如图2-4所示，包括以下步骤：
[0058] 在基板1上形成光刻胶2材料层的步骤，对光刻胶2进行构图的步骤，对光刻胶2 进行亲水处理的步骤；
[0059] 涂布量子点3的步骤；
[0060] 除去剩余光刻胶上的量子点的步骤；
[0061 ] 剥离光刻胶2的步骤。
[0062] 也就是说，本实施例将光刻胶2进行亲水处理，以提高光刻胶2的亲水性能。
[0063] 量子点3的结构不意图如图4所不，量子点3由三部分构成，分别是发光核 31，半导体壳32,有机配体33 ;所述有机配体33包括亲油基团，如油胺CH3(CH2)7CH = CH(CH2)7CH2NH2，或油酸CH 3(CH2)7CH = CH(CH2)7C00H。由于量子点3具有亲油性，使得量子 点3在光刻胶2上的附着力极低。在剥离光刻胶2的时候，不会造成基板1目标位置上的 量子点3脱落。本发明的量子点图案化的方法适用于包括量子点的发光二极管显示器。
[0064] 优选的，所述对光刻胶2进行亲水处理的步骤在形成光刻胶2材料层的步骤之后 进行；对光刻胶2进行亲水处理的步骤包括：
[0065] 调节含酸的亲水性二醛水溶液，亲水性二醛中含有亲水基团；
[0066] 将形成光刻胶2材料层的基板1浸泡于上述含酸的亲水性二醛水溶液中；
[0067] 将基板