换电流方向损耗的三分之一(a third)。
[0093]图5A到提及包括基于具有在Vdd与Gnd之间串行连接的负载电流路径的两个半导体开关器件711、712的一个或多个半桥电路710的电子电路700。半导体开关器件711、712可以是IGFET或IGBT。半导体开关器件711、712中的至少一个可以是或者可以包括先前的图中的半导体器件500中的一个。可以将半桥电路710或完整的电子电路700集成在电源模块中。
[0094]电子电路700可以包括生成和驱动第一驱动器端子Goutl处的第一栅极信号和第二驱动器端子Gout2处的第二栅极信号的栅极驱动器电路720。第一和第二驱动器端子Goutl、Gout2电耦合或连接到半导体开关器件711、712的栅极端子G。栅极驱动器电路720控制栅极信号，使得在规则开关周期期间，第一和第二开关器件711、712交替地处于导通状态。在减饱和周期期间，栅极驱动器电路720可以在将开关器件711、712中的一个切换成导通状态之前施加减饱和脉冲。
[0095]在图5A中开关器件711、712是n_IGFET，其中第一开关器件711的源极端子S和第二开关器件712的漏极端子D电连接到开关端子Sw0
[0096]在图5B中第一开关器件711、712是p-1GFET并且第二开关器件712是n_IGFET。
[0097]在图5C中开关器件711、712是η沟道IGBT，其中第一开关器件711的发射极端子E和第二开关器件712的集电极端子C电连接到开关端子Si
[0098]图示出了具有两个半桥710的电子电路700，所述两个半桥710的负载路径并行连接并且在全桥配置下操作。例如电感负载的负载900可以连接到两个半桥710的开关端子Sw。以示例的方式，负载900可以是电机绕组、电感热炼(cooking)板或开关模式电源中的变压器绕组。根据另一个实施例，电子电路700可以包括用于驱动具有三个绕组的电机的三个半桥710，其中每个绕组被连接在电机绕组的一个星形节点与半桥710的开关端子Sw中的一个之间。
[0099]尽管本文中已经图示和描述了特定实施例，但是本领域普通技术人员将意识到的是，各种替换方案和/或等同实现方式可以在不偏离本发明的范围的情况下替代所示和描述的特定实施例。本申请意图覆盖本文中讨论的特定实施例的任何调适或变化。因此，所意图的是本发明仅由权利要求及其等同物限制。
【主权项】
1.一种半导体器件，包括: 半导体本体，其包括布置在有源区域中且不在有源区域与所述半导体本体的侧表面之间的边缘区域中的晶体管单元； 场电介质，其邻接所述半导体本体的第一表面并且在所述边缘区域中将连接到所述晶体管单元的栅极电极的导电结构与所述半导体本体相分离，所述场电介质包括从第一到第二更大的垂直延伸部的过渡部；以及 所述晶体管单元的本体/阳极区的导电类型的且电连接到所述本体/阳极区中的至少一个的非可耗尽延伸区，其中，所述过渡部在所述非可耗尽延伸区的垂直突出部中。2.权利要求1所述的半导体器件，其中 所述非可耗尽延伸区电连接到金属负载电极。3.权利要求1所述的半导体器件，其中 所述非可耗尽延伸区包含大于2.5E12cm2的有效掺杂剂剂量。4.权利要求1所述的半导体器件，还包括: 所述本体/阳极区的导电类型的可耗尽延伸区，其直接邻接所述非可耗尽延伸区，并且布置在所述非可耗尽延伸区与所述侧表面之间。5.权利要求4所述的半导体器件，其中 所述可耗尽延伸区包含至多2.0E12cm2的有效掺杂剂剂量。6.权利要求4所述的半导体器件，还包括: 在所述第一表面和所述可耗尽延伸区之间的且与所述可耗尽延伸区形成Pn结的间隔区。7.权利要求1所述的半导体器件，其中 所述导电结构是在栅极构造与所述晶体管单元的栅极电极之间的电连接的区段。8.权利要求1所述的半导体器件，其中 所述非可耗尽延伸区直接邻接所述晶体管单元中的至少一个的本体/阳极区。9.权利要求1所述的半导体器件，其中 所述非可耗尽延伸区的垂直于所述第一表面的垂直延伸部超过所述晶体管单元的所述本体/阳极区的垂直延伸部。10.权利要求1所述的半导体器件，还包括: 与由所述本体/阳极区的所述导电类型所给出的第二导电类型相反的第一导电类型的第一区；以及 所述第二导电类型的第二区，所述第一和第二区交替地布置在所述有源区域和所述边缘区域中的半导体本体中，其中在所述有源区域中所述第二区直接邻接于所述本体/阳极区，并且所述第一区与所述本体/阳极区形成pn结。11.权利要求1所述的半导体器件，其中 所述非可耗尽延伸区中的杂质浓度在所述过渡部的起点与在到所述起点至少I μπι的距离处的参考点之间不降低超过50%，在所述起点处所述过渡部的垂直延伸部开始从所述第一垂直延伸部增长。12.权利要求1所述的半导体器件，其中 所述非可耗尽连接区围绕所述有源区域。13.权利要求12所述的半导体器件，其中 所述非可耗尽连接区包含第一区段中的第一掺杂剂剂量和第二区段中的比所述第一掺杂剂浓度更高的第二掺杂剂浓度，所述第二区段包括弯曲部。14.权利要求1所述的半导体器件，其中 所述非可耗尽连接区包含在所述有源区域与所述侧表面之间的第一区段中的第一掺杂剂剂量和在所述有源区域与栅极构造的垂直垂直突出部中的栅极区域之间的第二区段中的比所述第一掺杂剂浓度更高的第二掺杂剂浓度。15.一种半导体器件，包括: 半导体本体，其包括布置在有源区域中且不在所述有源区域与所述半导体本体的侧表面之间的边缘区域中的晶体管单元； 中间层电介质结构，其邻接所述半导体本体的第一表面，并且在边缘区域中将栅极构造与所述半导体本体相分离；以及 在所述半导体本体中的所述栅极构造的至少一部分的垂直突出部中的晶体管单元的本体/阳极区的导电类型的且电连接到所述本体/阳极区中的一个的非可耗尽延伸区。16.权利要求15所述的半导体器件，其中 所述非可耗尽延伸区在所述栅极构造的垂直突出部的至少40%的范围内延伸。17.权利要求15所述的半导体器件，其中 所述非可耗尽延伸区电连接到负载电极。18.权利要求15所述的半导体器件，其中 所述非可耗尽延伸区包含大于2.5E12cm2的有效掺杂剂剂量。19.权利要求15所述的半导体器件，还包括: 所述本体/阳极区的导电类型的可耗尽延伸区，其直接邻接所述非可耗尽延伸区且布置在所述非可耗尽延伸区与所述侧表面之间。20.权利要求19所述的半导体器件，其中 所述可耗尽延伸区包含至多2.0E12cm2的有效掺杂剂剂量。21.—种半桥电路，包括: 半导体本体，其包括布置在有源区域中且不在所述有源区域与所述半导体本体的侧表面之间的边缘区域中的晶体管单元； 场电介质，其邻接所述半导体本体的第一表面并且在所述边缘区域中将连接到所述晶体管单元的栅极电极的导电结构与所述半导体本体相分离，所述场电介质包括从第一到第二更大的垂直延伸部的过渡部；以及 所述晶体管单元的本体/阳极区的导电类型的的且电连接到所述本体/阳极区中的至少一个的非可耗尽延伸区，其中，所述过渡部在所述非可耗尽延伸区的垂直突出部中。
【专利摘要】本发明涉及在边缘区域具有场电介质的半导体器件。一种半导体器件包括具有布置在有源区域中且不在有源区域与侧表面之间的边缘区域中的晶体管单元的半导体本体。场电介质邻接半导体本体的第一表面并且在边缘区域中将连接到晶体管单元的栅极电极的导电结构与半导体本体相分离。场电介质包括从第一垂直延伸部到第二更大的垂直延伸部的过渡部。该过渡部在半导体本体中的非可耗尽延伸区的垂直突出部中，其中非可耗尽延伸区具有晶体管单元的本体/阳极区的导电类型，并且电连接到本体/阳极区中的至少一个。
【IPC分类】H01L29/78, H01L29/739, H01L29/40
【公开号】CN105185821
【申请号】CN201510244477
【发明人】S.加梅里特, F.希尔勒, W.彦切尔, W.M.斯耶德, J.韦耶斯
【申请人】英飞凌科技奥地利有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年5月14日
【公告号】DE102015107456A1, US20150333168