平面vdmos器件的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体芯片制造工艺技术领域，尤其涉及一种平面VDMOS器件的制造方法。
【背景技术】
[0002]目前，在平面纵向双扩散MOS场效应晶体管(Vertical-Double-Diffused MOSFET,VDM0S)的结构中，栅漏电容是衡量器件性能的一个关键参数，该电容过大，会导致平面VDMOS器件的动态特性变差。而栅漏电容，主要为多晶硅层与外延层之间的寄生电容。
[0003]现有技术中，降低栅漏电容的方法主要有两种，一种是增加栅氧层的厚度，从而降低栅漏电容，如图1所示；另一种方法是局部增加栅氧层的厚度，如图2所示。上述两种方法都可以在一定程度上降低栅漏电容，然而上述两种方法中栅漏电容的降低效果不大，且栅氧层厚度的增加，导致平面VDMOS器件的阈值电压受到影响。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种平面VDMOS器件的制造方法，用于解决现有技术中栅漏电容的降低效果不大，且平面VDMOS器件的阈值电压受到影响的问题。
[0005]本发明的第一个方面是提供一种平面VDMOS器件的制造方法，包括:
[0006]在外延层的表面上生成栅氧层；
[0007]在所述栅氧层的表面上依次生成多晶娃层和光刻胶层,对所述光刻胶层和多晶石圭层进行光刻和刻蚀，形成体区注入窗口 ；
[0008]通过所述体区注入窗口对所述外延层进行第一离子的注入和驱入，形成体区；
[0009]在所述体区注入窗口中所述栅氧层的表面上生成光刻胶层，对所述栅氧层表面上和所述多晶硅层表面上的光刻胶层进行光刻和刻蚀，形成源区注入窗口 ；
[0010]通过所述源区注入窗口对所述外延层进行第二离子的注入和驱入，形成源区；
[0011]通过所述体区注入窗口对所述外延层进行第三离子的注入，形成深体区；
[0012]在所述多晶硅层的表面上依次生成介质层和金属层，并对所述金属层进行光刻和刻蚀，形成栅极弓I线和源极弓I线，得到平面VDMOS器件。
[0013]结合第一个方面，在第一个方面的第一种实施方式中，所述在所述栅氧层的表面上依次生成多晶硅层和光刻胶层，对所述光刻胶层和多晶硅层进行光刻和刻蚀，形成体区注入窗口，包括:
[0014]在所述栅氧层的表面上依次生成多晶娃层和光刻胶层；
[0015]对所述光刻胶层进行光刻，对所述多晶硅层进行干法刻蚀，形成所述体区注入窗□。
[0016]结合第一个方面和第一种实施方式，在第一个方面的第二种实施方式中，所述在所述体区注入窗口中所述栅氧层的表面上生成光刻胶层，对所述栅氧层表面上和所述多晶硅层表面上的光刻胶层进行光刻和刻蚀，形成源区注入窗口，包括:
[0017]去掉所述多晶娃层表面上的光刻胶层；
[0018]在所述多晶硅层的表面上和所述体区注入窗口中所述栅氧层的表面上生成光刻胶层，对所述栅氧层表面上和所述多晶硅层表面上的光刻胶层进行光刻和刻蚀，形成所述源区注入窗口。
[0019]结合第一个方面，在第一个方面的第三种实施方式中，所述通过所述体区注入窗口对所述外延层进行第三离子的注入，形成深体区之前，所述方法还包括:
[0020]去掉所述栅氧层表面上和所述多晶娃层表面上的光刻胶层。
[0021]结合第一个方面，在第一个方面的第四种实施方式中，所述在所述多晶娃层的表面上依次生成介质层和金属层，并对所述金属层进行光刻和刻蚀，形成栅极引线和源极引线，得到平面VDMOS器件，包括:
[0022]在所述多晶硅层的表面上生成介质层，对所述介质层进行光刻和刻蚀，形成接触孔；
[0023]在所述介质层的表面上生成金属层，对所述金属层进行光刻和刻蚀，形成栅极引线和源极引线，得到平面VDMOS器件。
[0024]结合第一个方面的第四种实施方式，在第一个方面的第五种实施方式中，所述介质层的材料为氧化硅。
[0025]本发明中，在通过体区注入窗口对外延层进行第一离子的注入和驱入，形成体区之前，在多晶硅层的表面上生成光刻胶层，以避免进行第一离子的注入和驱入过程中在多晶硅层引入可动电荷，形成体区之后，进行第二离子的注入和驱入之前，在体区注入窗口中栅氧层的表面上生成光刻胶层，以避免进行第二离子的注入和驱入过程中在多晶硅层引入大量可动电荷，从而减少了平面VDMOS器件的多晶硅层中可动电荷的数量，降低了栅漏电容，提高平面VDMOS器件的动态特性，并且减小对平面VDMOS器件的阈值电压的影响。
【附图说明】
[0026]图1为现有技术中整体增加栅氧层厚度后平面VDMOS器件的结构示意图；
[0027]图2为现有技术中局部增加栅氧层厚度后平面VDMOS器件的结构示意图；
[0028]图3为本发明提供的平面VDMOS器件的制造方法一个实施例的流程图；
[0029]图4为在外延层的表面上生成栅氧层时平面VDMOS器件的结构示意图；
[0030]图5为形成体区注入窗口时平面VDMOS器件的结构示意图；
[0031]图6为形成体区时平面VDMOS器件的结构示意图；
[0032]图7为形成源区注入窗口时平面VDMOS器件的结构示意图；
[0033]图8为形成源区时平面VDMOS器件的结构示意图；
[0034]图9为形成深体区时平面VDMOS器件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0035]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0036]图3为本发明提供的平面VDMOS器件的制造方法一个实施例的流程图，如图3所示，包括:
[0037]301、在外延层的表面上生成栅氧层。
[0038]本发明提供的平面VDMOS器件的制造方法的执行主体具体可以为用于制造平面VDMOS器件的设备。其中，在外延层的表面上生成栅氧层时平面VDMOS器件的结构示意图可以如图4所示，包括:衬底I (N-Sub)、外延层2 (N-Epi)和栅氧层3，外延层2位于衬底I之上。
[0039]302、在栅氧层的表面上依次生成多晶娃层和光刻胶层，对光刻胶层和多晶娃层进行光刻和刻蚀，形成体区注入窗口。
[0040]其中，步骤302具体可以包括:在栅氧层3的表面上依次生成多晶硅层4和光刻胶层5 ;对光刻胶层5进行光刻，对多晶硅层4进行干法刻蚀，形成体区注入窗口 6。形成体区注入窗口 6时平面VDMOS器件的结构示意图可以如图5所示。
[0041]303、通过体区注入窗口对外延层进行第一离子的注入和驱入，形成体区。
[0042]其中，形成体区7时平面VDMOS器件的结构示意图可以如图6所示。可选的，第一离子可以为硼离子。
[0043]304、在体区注入窗