部填充层212，晶圆级底流层210围绕导电焊盘206。这种层210、212可以为芯片封装202提供稳定性和绝缘。出于相同或其它目的，这种层210、212可以省略或由其它层补充。
[0023]在电子封装100包括以上所提供的示例性尺寸的示例中，焊盘206和晶圆级底流层210可以具有大约十六(16)微米的厚度。焊球208A以及毛细管底部填充层212可以具有从十(10)至十五(15)微米的厚度。焊球208B、208C可以具有大约二十(20)微米的厚度。
[0024]图3示出了在示例性实施例中电子封装300的示例。电子封装300可以与电子封装100相同或类似并且还包括诸如膏状印刷焊料之类的耦合到过孔106的处理层110的焊球302。因此，电子封装300可以完全被配置为耦合到诸如芯片封装202之类的芯片封装。
[0025]图4是在示例性实施例中用于使用微电子组件的流程图。该微电子组件可以是微电子组件100或者可以是包括温度传感器102的任何微电子组件。
[0026]在操作400，形成导电焊盘。在示例中，焊盘耦合到硅桥。
[0027]在操作402，形成包括实质上非导电的材料的封装绝缘体层，该封装绝缘体层是实质上平坦的。在示例中，封装绝缘体层包括增层电介质材料和阻焊剂中的至少一种。在示例中，增层电介质材料是Aiinomoto增层膜。在示例中，封装绝缘体层至少部分地围绕导电焊盘。
[0028]在操作404，过孔的导体形成为垂直延伸贯穿封装绝缘体层的至少部分并且具有接近导电焊盘的第一端部和与第一端部相对的第二端部。
[0029]在操作406，过孔的处理层耦合到导体的第二端部，处理层包括钯-金复合物。
[0030]在操作408，第二过孔形成为电耦合在过孔与导电焊盘之间，并且至少部分地由封装绝缘体层围绕。在示例中，第一过孔的导体由第一材料构成，并且第二过孔包括由不同于第一材料的第二材料构成的导体。在示例中，第一材料是镍。
[0031]在操作410，焊球耦合到处理层。在示例中，焊料被配置为电耦合到硅管芯的连接件。
[0032]包括了使用如在本公开内容中所描述的电子组件的电子器件的示例，以示出针对所公开主题的更高级器件应用的示例。图5是并入了诸如电子封装100或与本文示例有关的其它电子或微电子组件之类的至少一个电子组件的电子装置500的框图。电子装置500仅是在其中可以使用本发明的实施例的电子系统的一个示例。电子装置500的示例包括但不限于个人计算机、台式计算机、移动电话、个人数字助理、MP3或者其它数字音乐播放器、可穿戴装置、物联网(10TS)装置等。在此示例中，电子装置500包括数据处理系统，该数据处理系统包括用以耦合系统的各个部件的系统总线502。系统总线502在电子装置500的各个部件之中提供了通信链路，并且能够实现为单总线、为总线的组合或者以其它任何合适的方式。
[0033]电子组件510耦合到系统总线502。电子组件510可以包括任何电路或者电路的组合。在一个实施例中，电子组件510包括可以是任何类型的处理器512。如在此所使用的，“处理器”意指任何类型的计算电路，诸如但不限于微处理器、微控制器、复杂指令集计算(CISC)微处理器、精简指令集计算(RISC)微处理器、超长指令字(VLIW)微处理器、图形处理器、数字信号处理器(DSP)、多核处理器、或者任何其它类型的处理器或处理电路。
[0034]可以包括在电子组件510中的其它类型电路是定制电路、专用集成电路(ASIC)等，诸如例如在像移动电话、呼机、个人数字助理、便携式计算机、双向无线电装置以及类似电子系统的无线装置中使用的一个或多个电路(诸如，通信电路514)。该1C可以执行任何其它类型的功能。
[0035]电子装置500还可以包括外部存储器520，外部存储器520继而可以包括适于特定应用的一个或多个存储器元件，诸如以随机存取存储器(RAM)形式的主存储器522、一个或多个硬盘驱动器524、和/或操纵诸如光盘(⑶)、数字化视频盘(DVD)等的可移动介质526的一个或多个驱动器。
[0036]电子装置500还可以包括显示器装置516、一个或多个扬声器518以及键盘和/或控制器530，键盘和/或控制器530可以包括鼠标、线路连接、触摸屏、语音识别装置，或者允许系统用户将信息输入到电子装置500以及从电子装置500接收信息的任何其它装置。
[0037]附加示例
[0038]示例1可以包括的主题(诸如设备、方法、用于执行动作的装置)可以包括:导电焊盘；封装绝缘体层，该封装绝缘体层包括实质上非导电的材料，该封装绝缘体层是实质上平坦的；以及过孔，该过孔形成在封装绝缘体层内并且电耦合到导电焊盘，该过孔包括垂直延伸贯穿封装绝缘体层的至少部分并且具有接近导电焊盘的第一端部和与第一端部相对的第二端部的导体以及被固定到该导体的第二端部的处理层，该处理层包括金复合物。
[0039]在示例2中，示例1的电子封装可选地还包括:金复合物是钯-金复合物。
[0040]在示例3中，示例1和2中的任何一个或多个示例中的电子封装可选地还包括:金复合物是无电镀镍浸金(ENIG)、ENIG加上无电镀金(ENIG+EG)、以及镍-钯-金(NiPdAu)中的一种。
[0041 ] 在示例4中，示例1-3中的任何一个或多个示例中的电子封装可选地还包括:封装绝缘体层包括增层电介质材料和阻焊剂中的至少一种。
[0042]在示例5中，示例1-4中的任何一个或多个示例中的电子封装可选地还包括:增层电介质材料是Aiinomoto增层膜。
[0043]在示例6中，示例1-5中的任何一个或多个示例中的电子封装可选地还包括:封装绝缘体层至少部分围绕导电焊盘。
[0044]在示例7中，示例1-6中的任何一个或多个示例中的电子封装可选地还包括:过孔是第一过孔，并且电子封装还包括第二过孔，该第二过孔电耦合在过孔与导电焊盘之间并且至少部分地由封装绝缘体层围绕。
[0045]在示例8中，示例1-7中的任何一个或多个示例中的电子封装可选地还包括:第一过孔的导体由第一材料构成，并且第二过孔包括由不同于第一材料的第二材料构成的导体。
[0046]在示例9中，示例1-8中的任何一个或多个示例中的电子封装可选地还包括:第一材料是银。
[0047]在示例10中，示例1-9中的任何一个或多个示例中的电子封装可选地还包括:焊球耦合到处理层。
[0048]在示例11中，示例1-10中的任何一个或多个示例中的电子封装可选地还包括:焊料被配置为电耦合到硅管芯的连接件。
[0049]在示例12中，示例1-11中的任何一个或多个示例中的电子封装可选地还包括:焊盘親合到娃桥。
[0050]在示例13中，示例1-12中的任何一个或多个示例中的电子封装可选地还包括:硅桥由硅、陶瓷以及有机内插件中的至少一种制备。
[0051]示例14可以包括的主题(诸如设备、方法、用于执行行动的装置)可以包括:形成导电焊盘；形成封装绝缘体层，该封装绝缘体层包括实质上非导电的材料，该封装绝缘体层是实质上平坦的；形成过孔的导体，该导体垂直延伸贯穿封装绝缘体层的至少部分并且具有接近导电焊盘的第一端部和与第一端部相对的第二端部；以及将过孔的处理层耦合到导体的第二端部，该处理层包括钯-金复合物。
[0052]在示例15中，示例14的方法可选地还包括:金复合物是钯-金复合物。
[0053]在示例16中，示例14和15中的任何一个或多个示例的方法可选地还包括:金复合物是无电镀镍浸金(ENIG)、ENIG加上无电镀金(ENIG+EG)、以及镍-钯-金(NiPdAu)中的一种。
[0054]在示例17中，示例14-16中的任何一个或多个示例的方法可选地还包括:封装绝缘体层包括增层电介质材料和阻焊剂中至少一种。
[0055]在示例18中，示例14-17中的任何一个或多个示例的方法可选地还包括:增层电介质材料是Aiinomoto增层膜。
[0056]在示例19中，示例14