-18中的任何一个或多个示例的方法可选地还包括:封装绝缘体层至少部分围绕导电焊盘。
[0057]在示例20中，示例14-19中的任何一个或多个示例的方法可选地还包括:过孔是第一过孔，并且该方法还包括形成第二过孔，该第二过孔电耦合在过孔与导电焊盘之间并且至少部分地由封装绝缘体层围绕。
[0058]在示例21中，示例14-20中的任何一个或多个示例的方法可选地还包括:第一过孔的导体由第一材料构成，并且第二过孔包括由不同于第一材料的第二材料构成的导体。
[0059]在示例22中，示例14-21中的任何一个或多个示例的方法可选地还包括:第一材料是银。
[0060]在示例23中，示例14-22中的任何一个或多个示例的方法可选地还包括:将焊球耦合到处理层。
[0061 ] 在示例24中，示例14-23中的任何一个或多个示例的方法可选地还包括:焊料被配置为电耦合到硅管芯的连接件。
[0062]在示例25中，示例14-24中的任何一个或多个示例的方法可选地还包括:将焊盘親合到娃桥。
[0063]在示例26中，示例14-25中的任何一个或多个示例的方法可选地还包括:由娃、陶瓷以及有机内插件中的至少一种来制备硅桥。
[0064]这些非限制性示例中的每一个均可以立足于其自身，或者可以与其它示例中的一个或多个示例以任何置换或组合进行组合。
[0065]以上的【具体实施方式】包括对附图的参照，附图形成了【具体实施方式】的一部分。附图以示例的方式示出了在其中可以实现本发明的具体实施例。这些实施例在此也被称为“示例”。这些示例可以包括除了所示出或者所描述的元素之外的元素。然而，本发明人还预期了在其中仅提供了所示出的或所描述的那些元素的示例。此外，相对于特定示例(或者其一个或多个方面)或者相对于在此所示出的或所描述的其它示例(或者其一个或多个方面)，本发明人还预期了使用所示出的或所描述的那些元素(或者其一个或多个方面)的任何组合或者置换的示例。
[0066]在本文献中，使用了专利文献中常见的术语“一”或“一个”以包括一个或者多于一个，独立于“至少一个”或者“一个或多个”的任何其它实例或用法。在本文献中，术语“或者”用于指代是无排他性或者使得“A或者B”包括“A而无B”、“B而无A”以及“A和B”，除非另有指示。在本文献中，属于“包含”以及“在其中”用作各自术语“包括”和“其中”的通俗英语等价词。而且，在下面的权利要求中，术语“包含”和“包括”是开放式的，即，在权利要求中包括除了在这种术语之后列出的那些元素之外的元素的系统、装置、制品、组分、构思或者过程还仍然被视为落入该权利要求的范围内。此外，在下面的权利要求中，术语“第一”、“第二”和“第三”等仅用作标记，并且不旨在对其对象施加数值要求。
[0067]以上的描述旨在是示例性的而非限制性的。例如，上述示例(或者其一个或多个方面)可以彼此结合使用。一旦回顾了以上描述，就可以诸如由本领域技术人员使用其它实施例。摘要提供为符合37C.F.R.§ 1.72(b)，以容许读者快速地确定技术公开内容的本质。提交了摘要，应理解为其将不用于解释或限制权利要求的范围或意义。此外，在上述【具体实施方式】中，各个特征可以组合在一起以使得本公开内容简单化。这不应解释为旨在使得未要求保护的所公开的特征对于任何权利要求是必需的。相反，发明的主题可以在于少于特定的所公开的实施例的所有特征。因此，下面的权利要求在此被并入到【具体实施方式】中，其中每一个权利要求自身作为一单独实施例，并且可以预期，这种实施例可以以各种组合或者置换彼此组合。本发明的范围应当参考所附的权利要求连同这种权利要求所要求的等同方式的全部范围一起来确定。
【主权项】
1.一种电子封装，包括: 导电焊盘； 封装绝缘体层，所述封装绝缘体层包括实质上非导电的材料，所述封装绝缘体层是实质上平坦的；以及 过孔，所述过孔形成在所述封装绝缘体层内，所述过孔电耦合到所述导电焊盘，所述过孔包括: 导体，所述导体垂直延伸贯穿所述封装绝缘体层的至少部分并且具有接近所述导电焊盘的第一端部和与所述第一端部相对的第二端部；以及 处理层，所述处理层被固定到所述导体的所述第二端部，所述处理层包括金复合物。2.根据权利要求1所述的电子封装，其中，所述金复合物是钯-金复合物。3.根据权利要求1所述的电子封装，其中，所述金复合物是无电镀镍浸金(ENIG)、ENIG加上无电镀金(ENIG+EG)、以及镍-钯-金(NiPdAu)中的一种。4.根据权利要求1-3中的任一项所述的电子封装，其中，所述封装绝缘体层包括增层电介质材料和阻焊剂中的至少一种。5.根据权利要求4所述的电子封装，其中，所述增层电介质材料是Ajinomoto增层膜。6.根据权利要求1-3中的任一项所述的电子封装，其中，所述封装绝缘体层至少部分地围绕所述导电焊盘。7.根据权利要求1-3中的任一项所述的电子封装，其中，所述过孔是第一过孔，并且所述电子封装还包括第二过孔，所述第二过孔电耦合在所述过孔与所述导电焊盘之间并且至少部分地由所述封装绝缘体层围绕。8.根据权利要求7所述的电子封装，其中，所述第一过孔的所述导体由第一材料构成并且所述第二过孔包括由不同于所述第一材料的第二材料构成的导体。9.根据权利要求8所述的电子封装，其中，所述第一材料是镍。10.根据权利要求1-3中的任一项所述的电子封装，还包括耦合到所述处理层的焊球。11.根据权利要求10所述的电子封装，其中，焊料被配置为电耦合到硅管芯的连接件。12.根据权利要求1-3中的任一项所述的电子封装，其中，所述焊盘耦合到硅桥。13.根据权利要求12所述的电子封装，其中，所述硅桥由硅、陶瓷、以及有机内插件中的至少一种制备。14.一种制造电子封装的方法，包括: 形成导电焊盘； 形成封装绝缘体层，所述封装绝缘体层包括实质上非导电的材料，所述封装绝缘体层是实质上平坦的； 形成过孔的导体，所述导体垂直延伸贯穿所述封装绝缘体层的至少部分并且具有接近所述导电焊盘的第一端部和与所述第一端部相对的第二端部；以及 将所述过孔的处理层耦合到所述导体的所述第二端部，所述处理层包括金复合物。15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述金复合物是钯-金复合物。16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述金复合物是无电镀镍浸金(ENIG)、ENIG加上无电镀金(ENIG+EG)、以及镍-钯-金(NiPdAu)中的一种。17.根据权利要求14-16中的任一项所述的方法，其中，所述封装绝缘体层包括增层电介质材料和阻焊剂中的至少一种。18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述增层电介质材料是Ajinomoto增层膜。19.根据权利要求14-16中的任一项所述的方法，其中，所述封装绝缘体层至少部分地围绕所述导电焊盘。20.根据权利要求14-16中的任一项所述的方法，其中，所述过孔是第一过孔，并且所述方法还包括形成第二过孔，所述第二过孔电耦合在所述过孔与所述导电焊盘之间并且至少部分地由所述封装绝缘体层围绕。
【专利摘要】本公开内容涉及具有包括处理层的窄因子过孔的电子封装。本公开内容总体上涉及电子封装以及方法，所述电子封装包括：导电焊盘、封装绝缘体层以及过孔，所述封装绝缘体层包括实质上非导电的材料，所述封装绝缘体层是实质上平坦的。所述过孔可以形成在所述封装绝缘体层内并且电耦合到所述导电焊盘。所述过孔可以包括导体和处理层，所述导体垂直延伸贯穿所述封装绝缘体层的至少部分并且具有接近所述导电焊盘的第一端部和与所述第一端部相对的第二端部，所述处理层被固定到所述导体的所述第二端部，所述处理层包括金复合物。
【IPC分类】H01L21/60, H01L23/488
【公开号】CN105374780
【申请号】CN201510629023
【发明人】R·斯瓦米纳坦, S·阿加阿拉姆, A·P·阿卢尔, R·维斯瓦纳思, 任纬伦
【申请人】英特尔公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2015年7月10日
【公告号】DE102015111191A1, US20160044786