导电层，例如透明导电层 材料是氧化铟锡（ΙΤ0)，镀膜速率为8A/S,厚度为2丨00~2400A。
[0057] 步骤404,在透明导电层中开出第一孔洞及切割道区域，露出P型GaN层。
[0058] 在本发明的一实施例中，可进一步通过黄光光刻、湿法蚀刻等制作ΙΤ0图案，同时 在透明导电层中开出第一孔洞、PN型电极区域及切割道区域，露出P型GaN层。需注意的 是，本发明并不限于第一孔洞的具体形状及/或大小。例如形状可以为方形、圆形、花瓣形 等等。在本发明的一实施例中，腐蚀溶液为ΙΤ0蚀刻液，温度60~70°C，腐蚀时间4~5分 钟。
[0059] 步骤405,在第一孔洞的基础上开出第二孔洞、N型电极区域及切割道区域，露出N 型GaN层。
[0060] 在本发明的一实施例中，可采用黄光光刻、电感偶和等离子体（ICP)刻蚀、去胶清 洗等方法在第一孔洞的基础上在P型GaN层、有源层、N型GaN层中开出第二孔洞、N型电极 区域及切割道区域。在本发明的一实施例中在第一孔洞中继续垂直开出第二孔洞，制造出 单颗芯粒的N-GaN发光区台面，露出N型GaN层及沟槽（切割道区域）。需注意的是，本发 明并不限于第二孔洞的具体形状及/或大小。例如形状可以为方形、圆形、花瓣形等等。在 本发明的一实施例中，采用花瓣形的第二孔洞，因为这种形状的孔洞使得光提取面积最大， 角度最多。在本发明的另一实施例中，所述第二孔洞在所述第一孔洞的基础上相应地为方 形、圆形或花瓣形。
[0061] 步骤406,高温退火。
[0062] 将上述步骤处理后的晶片进行高温退火，使ΙΤ0与P-GaN之间形成良好的欧姆接 触，同时ΙΤ0更加致密，导电性更优。在本发明的一实施例中，退火方式使用炉管退火，温度 为520°C，时间为10分钟。
[0063] 步骤407、制作P型和N型电极。
[0064] 用去离子水冲洗并甩干后，通过负胶光刻，并采用E-Gun蒸镀电极，经过剥离技术 (lift off)、去胶清洗等步骤制作P型和N型电极。其中P型和N型电极材料均为Ni、Al、 Cr、Ni和Au的复合材料，厚度分为30、2000、400、200、15:〇〇0各《
[0065] 步骤408，沉积钝化层。
[0066] 对步骤407处理后的晶片进行清洗后采用PECVD方法沉积钝化层。在本发明的一 实施例中，进一步通过黄光光刻、湿法蚀刻等步骤制作钝化层图案，覆盖除P型电极和N型 电极的其他部分，仅露出P、N型电极。此时，钝化层在步骤404形成的第一孔洞和步骤405 形成的第二孔洞上均匀铺设用以防止漏电，形成复合式孔洞。其中，使用的腐蚀溶液为Β0Ε， 室温腐蚀，腐蚀时间2~3分钟。
[0067] 图5为利用图4的LED制作方法生产出的LED的剖面结构示意图。其中，图5与 图1中相同结构的用相同的数字表示。如图5所示，待清洗的外延片包括衬底1，形成于衬 底1顶面上的缓冲层2,形成于缓冲层2顶面上的N型GaN层3,形成于N型GaN层3顶面 上的有源层4,形成于有源层4顶面上的P型GaN层5。6为依据上述步骤402沉积的电流 阻挡层，7为依据上述步骤403蒸镀的透明导电层。1-1为依据上述步骤404在透明导电层 开出的第一孔洞。需注意的是，本发明并不限于第一孔洞1-1的具体形状及/或大小。例 如形状可以为方形、圆形、花瓣形等等。1-2为依据上述步骤405在P型GaN层、有源层、N 型GaN层中开出的第二孔洞。在本发明的一实施例中，如图5所示在第一孔洞1-1中继续垂 直开出第二孔洞1-2。需注意的是，本发明并不限于第二孔洞1-2的具体形状及/或大小。 例如形状可以为方形、圆形、花瓣形等等。在本发明的一实施例中，采用花瓣形的第二孔洞 1-2,因为这种形状的孔洞使得光提取面积最大，角度最多。8为依据上述步骤406和407制 作的P型电极，9为依据上述步骤406和407制作的N型电极。10为依据上述步骤408制 作的钝化层，1-3为依据步骤408在第一孔洞1-1和第二孔洞1-2上沉积钝化层10之后形 成的复合式孔洞。
[0068] 图6为是复合式孔洞技术制作的LED芯片的发光图示意图。依据图4的方法制 作的LED芯片，用惠特6001点测的图（mapping)显示，该LED芯片片内生产综合良率达到 95. 6%，漏电良率为98%，其他电性参数正常。用远方积分球（HAAS-2000)测试封装芯粒， 比现有方法制作的芯片亮度高5. 6 %，电压高0. 03V，可靠性提高9. 8 %。虽然依据图4的方 法制作的LED芯片亮度和可靠性得到提到，但电压却增高了，这将会导致芯片的寿命缩短。
[0069] 图7为依据本发明另一实施例的LED制作方法的流程示意图。在本发明的一实施 例中，对LED外延片做处理。其中LED外延片可以为市场上售卖的LED外延片，其结构如图 1所示，包括衬底1，形成于衬底1顶面上的缓冲层2,形成于缓冲层2顶面上的N型GaN层 3,形成于N型GaN层3顶面上的有源层4,形成于有源层4顶面上的P型GaN层5。具体制 作方式如下述步骤。
[0070] 步骤701，清洗外延片。
[0071] 其中该外延片是在PSS蓝宝石衬底上生长的具有GaN基的外延片。
[0072] 步骤702，沉积电流阻挡层。
[0073] 在本发明的一实施例中，可采用等离子体增强化学气相沉积方法（PECVD)沉积电 流阻挡层，进一步通过黄光光刻、湿法蚀刻等方法制作电流阻挡层图案。其中，腐蚀溶液为 Β0Ε，温度60~65°C，腐蚀时间为1~2分钟。
[0074] 步骤703,蒸镀透明导电层。
[0075] 在本发明的一实施例中，可采用电子束蒸发法蒸镀透明导电层，例如透明导电层 材料是氧化铟锡（ΙΤ0)，镀膜速率为8人S,厚度为210:0~24〇〇農。
[0076] 步骤704,在透明导电层中开出第一孔洞及切割道区域，露出P型GaN层并扩大 ΙΤ0的面积。
[0077] 在本发明的一实施例中，可进一步通过黄光光刻、湿法蚀刻等制作ΙΤ0图案，同时 在透明导电层中开出第一孔洞、PN型电极区域及切割道区域，露出P型GaN层，同时扩大 ΙΤ0的面积。需注意的是，本发明并不限于第一孔洞的具体形状及/或大小。例如形状可 以为方形、圆形、花瓣形等等。在本发明的一实施例中，腐蚀溶液为ΙΤ0蚀刻液，温度60~ 70°C,腐蚀时间4~5分钟。
[0078] 步骤705,在第一孔洞的基础上开出第二孔洞、N型电极区域，露出N型GaN层，对 于ΙΤ0扩大面积的这部分的下面不进行P型GaN层，有源层，N型GaN层的刻蚀。
[0079] 在本发明的一实施例中，可采用黄光光刻、电感偶和等离子体（ICP)刻蚀、去胶清 洗等方法在第一孔洞的基础上在P型GaN层、有源层、N型GaN层中开出第二孔洞、N型电 极区域。在本发明的一实施例中在第一孔洞中继续垂直开出第二孔洞，制造出单颗芯粒的 N-GaN发光区台面，露出N型GaN层。需注意的是，本发明并不限于第二孔洞的具体形状及 /或大小。例如形状可以为方形、圆形、花瓣形等等。在本发明的一实施例中，采用花瓣形 的第二孔洞，因为这种形状的孔洞使得光提取面积最大，角度最多。在本发明的另一实施例 中，所述第二孔洞在所述第一孔洞的基础上相应地为方形、圆形或花瓣形。请注意，在本发 明的一实施例中，取消传统的切割道被刻蚀工艺，还原切割道，也就是，在步骤705中对于 切割道这部分的ΙΤ0,蚀刻掉的面积缩小（远远缩小，如图8所示中2-2的位置），也就是单 颗芯粒ΙΤ0面积扩大，并且切割道这部分不进行有源区的刻蚀（也就是这个部分不刻蚀P 型GaN层、有源层、N型GaN层）。
[0080] 步骤706，高温退火。
[0081] 将上述步骤处理后的晶片进行高温退火，使ΙΤ0与P-GaN之间形成良好的欧姆接 触，同时ΙΤ0更加致密，导电性更优。在本发明的另一实施例中，退火方式使用炉管退火，温 度为520°C，时间为10分钟。
[0082] 步骤707、制作P型和N型电极。
[0083] 用去离子水冲洗并甩干后，通过负胶光刻，并采用E-Gun蒸镀电极，经过剥离技术 (lift off)、去胶清洗等步骤制作P型和N型电极。其中P型和N型电极材料均为Ni、Al、 Cr、Ni 和 Au 的复合材料，厚度分为 30、2000、400、200、15000A。
[0084] 步骤708，沉积钝化层。<