后得到的生巧放入烧结炉中 在Iioor高溫下进行烧结，烧结时间控制在4h。然后在900°C下进行一次回火化，然后风 冷，风冷后在560°C下进行二次回火地后取出，得到低失重钦铁棚磁体巧体。最后，巧体表 面进行化金属电锻，形成表面金属锻层化，并对金属锻层化采用锋系憐化液进行憐化处 理，憐化处理后再涂覆一层环氧树脂涂层，得到低失重钦铁棚磁体。
[0044] 表4 :本发明实施例4钦铁棚磁体的组成成分及其质量百分比（％ )
阳046] 实施例4:
[0047] 首先，按表4中钦铁棚磁体的组成成分W及质量百分比配比原料并进行烙炼，烙 炼完全后诱注成甩带。甩带进行氨碎和气流磨，制成粒径为3-5ym粉料。粉料在惰性气体 保护下放入成型压机模具中加磁场进行取向，取向后压制成型、退磁并真空封装，将真空封 装的生巧放入等静压机中加压18MPa、保压4分钟后取出。成型后得到的生巧放入烧结炉中 在112(TC高溫下进行烧结，烧结时间控制在4h。然后在920°C下进行一次回火化，然后风 冷，风冷后在570°C下进行二次回火地后取出，得到低失重钦铁棚磁体巧体。最后，巧体表 面进行Ni金属电锻，形成表面金属锻层Ni,并对金属锻层Ni采用锋系憐化液进行憐化处 理，憐化处理后再涂覆一层环氧树脂涂层，得到低失重钦铁棚磁体。
[0048]表5:本发明实施例5钦铁棚磁体的组成成分及其质量百分比（％ )
阳化0] 实施例5 :
[0051] 首先，按表5中钦铁棚磁体的组成成分W及质量百分比配比原料并进行烙炼，烙 炼完全后诱注成甩带。甩带进行氨碎和气流磨，制成粒径为3-5ym粉料。粉料在惰性气体 保护下放入成型压机模具中加磁场进行取向，取向后压制成型、退磁并真空封装，将真空封 装的生巧放入等静压机中加压20MPa、保压3分钟后取出。成型后得到的生巧放入烧结炉中 在113(TC高溫下进行烧结，烧结时间控制在地。然后在930°C下进行一次回火化，然后风 冷，风冷后在575°C下进行二次回火4h后取出，得到低失重钦铁棚磁体巧体。最后，巧体表 面进行化金属电锻，形成表面金属锻层化，并对金属锻层化采用锋系憐化液进行憐化处 理，憐化处理后再涂覆一层环氧树脂涂层，得到低失重钦铁棚磁体。
[0052] 表6:本发明实施例6钦铁棚磁体的组成成分及其质量百分比（％ )
阳化4] 实施例6: 阳化5] 首先，按表6中钦铁棚磁体的组成成分W及质量百分比配比原料并进行烙炼，烙 炼完全后诱注成甩带。甩带进行氨碎和气流磨，制成粒径为3-5ym粉料。粉料在惰性气体 保护下放入成型压机模具中加磁场进行取向，取向后压制成型、退磁并真空封装，将真空封 装的生巧放入等静压机中加压25MPa、保压2分钟后取出。成型后得到的生巧放入烧结炉中 在115(TC高溫下进行烧结，烧结时间控制在化。然后在950°C下进行一次回火化，然后风 冷，风冷后在580°C下进行二次回火地后取出，得到低失重钦铁棚磁体巧体。最后，巧体表 面进行化金属电锻，形成表面金属锻层化，并对金属锻层化采用锋系憐化液进行憐化处 理，憐化处理后再涂覆一层环氧树脂涂层，得到低失重钦铁棚磁体。
[0056] 将本发明实施例1-6制得的低失重钦铁棚磁体按照GB/T3217永磁（硬磁）材料 磁性试验方法规定进行检测，磁性能检测结果如表7所示。
[0057] 表7:本发明实施例1-6低失重钦铁棚磁体磁性能
[0058]
[0059]从表7可知，本发明配方和制备方法制成的低失重钦铁棚磁体的综合磁性能较 好。 W60] 对比例1:
[0061] 市售传统工艺制成的钦铁棚磁体。 W62] 对比例2:
[0063]对比例2与实施例2的区别仅在于，对比例2钦铁棚磁体表面没有进行金属电锻 及涂覆有机涂层。 W64] 对比例3 : W65] 对比例3与实施例2的区别仅在于，对比例3钦铁棚磁体表面进行金属电锻后没 有涂覆有机涂层。
[0066] 将本发明实施例制得的低失重钦铁棚磁体和对比例中的钦铁棚磁体在相同环境 下进行失重率对比，对比结果如表8所示。
[0067] 表8:本发明实施例和对比例钦铁棚磁体的失重率
[0070] 从表8可知，本发明配方和制备方法制成的低失重钦铁棚磁体明显降低了产品的 失重率，提高产品的耐蚀性。
[0071] 实施例7-12与实施例1-6的区别仅在于Nb元素的含量为0。 阳072] 实施例13-18与实施例1-6的区别仅在于还含有0. 3%的化元素。
[0073] 实施例19-24与实施例1-6的区别仅在于还含有0. 3%的Ga元素。
[0074] 实施例25-30与实施例1-6的区别仅在于还含有0. 5%的化元素。 阳0巧]实施例31-36与实施例1-6的区别仅在于还含有0. 5%的Ga元素。
[0076] 实施例37-42与实施例1-6的区别仅在于还含有0. 3%的化元素和0. 5%的Ge 兀素。
[0077] 实施例43-48与实施例1-6的区别仅在于还含有0. 3%的Mo元素。 阳07引实施例49-54与实施例1-6的区别仅在于还含有0. 5%的Mo元素。
[0079] 实施例55-60与实施例1-6的区别仅在于还含有0. 3%的Mo元素和0. 2%的化 兀素。
[0080] 实施例61-66与实施例1-6的区别仅在于还含有0. 2%的Mo元素和0. 3%的Ga 兀素。
[0081] 实施例67-72与实施例1-6的区别仅在于还含有0. 3%的Mo元素、0. 5%的化元 素和0.2%的Ga元素。
[0082] 实施例73-78与实施例1-6的区别仅在于金属锻层为化。
[0083] 实施例79-84与实施例1-6的区别仅在于金属锻层为化。
[0084] 实施例85-90与实施例1-6的区别仅在于有机涂层为丙締酸树脂涂层。 阳0化]实施例91-96与实施例1-6的区别仅在于有机涂层为聚酷胺树脂涂层。
[0086] 鉴于本发明方案实施例众多，各实施例实验数据庞大众多，不适合于此处逐一列 举说明，但是各实施例所需要验证的内容和得到的最终结论均接近，故而此处不对各个实 施例的验证内容进行逐一说明，仅W实施例1-6作为代表说明本发明申请优异之处。
[0087] 本处实施例对本发明要求保护的技术范围中点值未穷尽之处，同样都在本发明要 求保护的范围内。
[0088] 本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领 域的技术人员可W对所描述的具体实施例做各种修改或补充或采用类似的方式替代，但并 不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
[0089] 尽管对本发明已作出了详细的说明并引证了一些具体实施例，但是对本领域熟练 技术人员来说，只要不离开本发明的精神和范围可作各种变化或修正是显然的。
【主权项】
1. 一种低失重钕铁硼磁体，其特征在于，所述低失重钕铁硼磁体主要由以下成分 (以质量百分比计）组成：Nd:27% -32. 5%，B:1% -1. 2%，Co:2% -3%，合金元素Ml: 0. 15%-2. 75%，合金元素M2 :0. 05%-l. 1%，稀土元素（排除稀土元素Nd) :0. 7%-1. 3%， 余量为Fe。2. 根据权利要求1所述的一种低失重钕铁硼磁体，其特征在于，所述合金元素Ml为 Al、Cu、Zn、Ga中的两种及以上；其中，A1的添加量为钕铁硼磁体的0. 1% -1. 5%，Cu的添 加量为钕铁硼磁体的〇. 05% -0. 25%，其余元素的添加量均为钕铁硼磁体的0% -0. 5%。3. 根据权利要求1所述的一种低失重钕铁硼磁体，其特征在于，所述合金元素M2为 Mo、Nb、Zr中的一种或多种；其中，Zr的添加量为钕铁硼磁体的0. 05% -0. 1%，其余元素的 添加量均为钕铁硼磁体的〇 % -〇. 5 %。4. 根据权利要求1所述的一种低失重钕铁硼磁体，其特征在于，所述稀土元素为La、Gd 中的一种或两种。5. 根据权利要求4所述的一种低失重钕铁硼磁体，其特征在于，所述稀土元素由La和 Gd按质量比为（2-10) :1混合而成。6. -种低失重钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述制备方法主要包括以下步 骤： 51、 按钕铁硼磁体的组成成分以及质量百分比配比原料并进行熔炼，熔炼完全后浇注 成甩带； 52、 将上述得到的甩带进行氢碎和气流磨，制成粉料； 53、 将上述粉料在惰性气体保护下放入成型压机模具中加磁场进行取向，取向后压制 成型、退磁并真空封装，将真空封装的生坯放入等静压机中加压l〇_25MPa、保压2-6分钟后 取出； 54、 将上述成型后得到的生坯放入烧结炉中在高温下进行烧结，然后进行一次回火和 风冷，风冷后的生坯进行二次回火后取出，得到低失重钕铁硼磁体坯体； 55、 将上述取出的低失重钕铁硼磁体坯体表面进行金属电镀，形成表面金属镀层，并对 金属镀层进行磷化处理，磷化处理后再涂覆一层有机涂层，得到低失重钕铁硼磁体。7. 根据权利要求6所述的一种低失重钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，步骤S2中 所述粉料的粒径为3-5μm。8. 根据权利要求6所述的一种低失重钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，步骤S4中 烧结温度控制在1050-1150°C，烧结时间控制在3-5h。9. 根据权利要求6所述的一种低失重钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，步骤 S4中一次回火温度控制在850-950 °C，一次回火时间控制在2-3h;二次回火温度控制在 550-580 °C，二次回火时间控制在4-5h。10. 根据权利要求6所述的一种低失重钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，步骤S5中 所述金属镀层为Zn、Ni、Cu、Cr中的一种，所述有机涂层为环氧树脂涂层、丙烯酸树脂涂层、 聚酰胺树脂涂层中的一种。
【专利摘要】本发明涉及一种低失重钕铁硼磁体及其制备方法，该低失重钕铁硼磁体主要由以下成分(以质量百分比计)组成：Nd：27％-32.5％，B：1％-1.2％，Co：2％-3％，合金元素M1：0.15％-2.75％，合金元素M2：0.05％-1.1％，稀土元素(排除稀土元素Nd)：0.7％-1.3％，余量为Fe。并通过以下方法制备而成：按钕铁硼磁体的组成成分以及质量百分比配比原料、熔炼、浇注成甩带，然后氢碎和气流磨制成粉料，粉料压制成型后经高温烧结和表面处理后得到低失重钕铁硼磁体。本发明通过改善磁体本身的耐腐蚀性与在磁体表面采用金属镀层与有机涂层组成的保护层的共同作用，有效的改善了钕铁硼磁体腐蚀失重的问题。
【IPC分类】C23F17/00, C22C33/02, H01F41/02, H01F1/057, C21D6/00, C22C38/16
【公开号】CN105427993
【申请号】CN201510845805
【发明人】潘道良, 苏广春, 关井和, 胡剑
【申请人】宁波科星材料科技有限公司
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2015年11月27日