相邻的两个像素PU分别相邻的两个像素PU之间的第二分离区BA2对应。
[0071]第二穿透部分112可与在第二方向上相邻的两个像素HJ中的每个的一个侧表面对应，并且与在第一方向上与在第二方向上相邻的两个像素PU相邻的两个像素PU中的每个的一个侧表面对应。例如，可基于一个第二穿透部分112来设置四个像素HJ。
[0072]参照图2，两个像素PU可在第二穿透部分112的左区域处设置在第二穿透部分112的顶侧和底侧上，两个像素PU可在第二穿透部分112的右区域处设置在第二穿透部分112的顶侧和底侧上。
[0073]第一穿透部分111和第二穿透部分112可彼此分隔开。
[0074]在根据示例性实施例的显示设备100中，基板101可包括穿透部分110，穿透部分110可包括多个第一穿透部分111和多个第二穿透部分112。
[0075]根据示例性实施例，第二穿透部分112可设置在所述多个第一穿透部分111当中的两个相邻的第一穿透部分111之间。第一穿透部分111可设置在所述多个第二穿透部分112当中的两个相邻的第二穿透部分112之间。
[0076]图3示出沿图2的线II1-1II截取的剖视图。参照图3，没有组件可形成在第一穿透部分111的上面和下面，可增加基板101的柔性。
[0077]在实施例中，各种组件中的任何一种可形成为与第一穿透部分111对应。另外，虽然未示出，但相同的描述可应用于第二穿透部分112。
[0078]图4和图5示出图3的修改示例的剖视图。首先，参照图4，第一绝缘层120可形成在基板101上。第一绝缘层120可形成为与第一穿透部分111对应。第一绝缘层120可与第一穿透部分111的至少一部分叠置，或者根据示例性实施例，可与第一穿透部分111完全叠置。
[0079]在图4中，第一绝缘层120包括一个层。在实施例中，第一绝缘层120可包括多个层。
[0080]根据示例性实施例，第一绝缘层120可具有包括在像素PU中的至少一个绝缘层延伸的结构。
[0081]参照图5，第一绝缘层120可形成在基板101上，并且可包括具有至少与第一穿透部分111叠置的区域的绝缘穿透部分121。
[0082]绝缘穿透部分121可在形成第一绝缘层120的同时形成，并且可与第一穿透部分111叠置，从而可改善基板101的柔性。
[0083]如上所述，像素PU可包括将参照图6和图7详细地描述的显示器件(未示出)。
[0084]图6示出沿图2的线V1-VI截取的剖视图。参照图6，有机发光器件(OLED) 130可形成在基板101上。在当前的实施例中，OLED 130可用作显示器件。
[0085]虽然未示出，但是根据示例性实施例，诸如液晶显示装置的任何显示装置可不仅应用于根据当前实施例的显示设备100，而且应用于根据一个或更多个示例性实施例的任何显示设备。
[0086]OLED 130可包括第一电极131、第二电极132和中间层133。
[0087]第一电极131可形成在基板101上。虽然未示出，但缓冲层(未示出)可形成在基板101与第一电极131之间。
[0088]第一电极131可由各种导电材料中的任何一种形成。根据不例性实施例，第一电极131可由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)形成。根据另一示例性实施例，第一电极131可包括由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铀(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、镱(Yb)或钙(Ca)形成的反射膜。
[0089]中间层133可形成在第一电极131上。中间层133可包括可实现可见光的有机发射层。中间层133可由低分子或高分子有机膜形成。中间层133可包括有机发射层并且还可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一种。
[0090]第二电极132可形成在中间层133上。第二电极132可由各种导电材料中的任何一种形成。根据示例性实施例，第二电极132可由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、Li或Ca的金属形成。
[0091]图7示出图6的修改示例的剖视图。参照图7，OLED 130和薄膜晶体管(TFT)可形成在基板101上。
[0092]OLED 130可包括第一电极131、第二电极132和中间层133。
[0093]TFT可包括有源层103、栅电极105、源电极107和漏电极108。
[0094]有源层103可形成在基板101上，并且根据示例性实施例，缓冲层102可形成在基板101与有源层103之间。
[0095]有源层103可包含诸如娃的无机半导体材料、有机半导体材料或氧化物半导体材料，并且可通过将P型掺杂剂或η型掺杂剂选择性地注入到半导体材料中来形成。
[0096]栅绝缘层104可形成在有源层103上。栅电极105可与有源层103对应地形成在栅绝缘层104上。
[0097]层间绝缘层106可形成为覆盖栅电极105，源电极107和漏电极108可形成在层间绝缘层106上同时与有源层103的特定区域接触。
[0098]钝化层109可形成为覆盖源电极107和漏电极108。根据示例性实施例，钝化层109的顶表面可以是平坦表面。根据另一示例性实施例，平坦化膜(未示出)可进一步形成在钝化层109上。
[0099]第一电极131可形成在钝化层109上。第一电极131可电连接到源电极107和漏电极108中的任何一个。在图7中，为了便于描述，第一电极131连接到漏电极108。
[0100]像素限定膜119可形成在第一电极131上。像素限定膜119可形成为例如至少不覆盖第一电极131的顶表面的特定区域。包括有机发射层的中间层133可形成在第一电极131的顶表面的该特定区域上。第二电极132可形成在中间层133上。
[0101]根据示例性实施例，缓冲层102、栅绝缘层104、层间绝缘层106、钝化层109和像素限定膜119中的至少一个可形成为与穿透部分110叠置，或者在实施例中，可具有与穿透部分110对应的绝缘穿透部分(未示出)。
[0102]在根据当前实施例的显示设备100中，穿透部分110可形成在基板101中，可改善基板101的柔性并且可减小基板101的重量。
[0103]穿透部分110可形成在基板101的区域当中的像素HJ之间的分离区BA中，使得基板101可在像素HJ周围容易地变形(例如，弄弯、弯曲或卷绕)，并且可减小或阻挡在变形期间产生的应力。如果显示设备100被应用为弯曲显示设备、柔性显示设备或可伸展显示设备，则显示设备100可具有高柔性和减小的不规则变形。
[0104]根据示例性实施例，由于穿透部分110可包括在一个方向上延伸的第一穿透部分111和在与所述一个方向交叉的方向上延伸的第二穿透部分112，因此即使当基板101在任意方向上被弄弯、弯曲或卷绕时也可获得基板101的柔性，可防止基板101的不规则变形，并且可改善基板101的耐久性。因此，当使用显示设备100时可改善用户的便利性，显示设备100可应用于可穿戴设备。
[0105]根据示例性实施例，穿透部分110的第一穿透部分111可以以细长的形状形成以与在一个方向上相邻地的两个像素PU以及分别与所述两个像素HJ相邻的另外两个像素PU对应，可防止变形特性在像素PU之间的边界处被改变以改善显示设备100的耐久性，基板101可应用于诸如弯曲显示设备、柔性显示设备或可伸展显示设备的会需要柔性的显示设备 100。
[0106]根据示例性实施例，穿透部分110的第二穿透部分112可形成在与形成有第一穿透部分111的方向交叉的方向上并且以细长的形状形成以与两个像素PU和分别与所述两个像素PU相邻的另外两个像素PU对应，可防止变形特性在像素HJ之间的边界处被改变以改善显示设备100的耐久性，基板101可应用于诸如弯曲显示设备、柔性显示设备或可伸展显示设备的会需要柔性的显示设备100。
[0107]根据示例性实施例，第二穿透部分112可设置在所述多个第一穿透部分111当中的两个相邻的第一穿透部分111之间，可通过在一个方向上延伸第一穿透部分111来防止在基板101的第一穿透部分111的长度方向上产生裂纹。
[0108]第一穿透部分111可设置在所述多个第二穿透部分112当中的两个相邻的第二穿透部分112之间，可通过在一个方向上延伸第二穿透部分112来防止在基板101的第二穿透部分112的长度方向上产生裂纹。
[0109]图8示出根据另一示例性实施例的显示设备200的示意性平面图，图9示出图8的区域PA的放大图。参照图8和图9，显示设备200可包括基板201和至少一条导线，例如，第一导线SLl至SL3、第二导线Vl至V3和第三导线Dl至D3。
[0110]显示区DA和非显示区NDA可限定在基板201上。至少一个像素PU和穿透部分210可形成在显示区DA中。
[0111]基板201可由各种材料中的任何一种形成。基板201可由玻璃、金属或有机材料形成。
[0112]根据示例性实施例，基板201可由柔性材料形成。例如，基板201可由可弯曲、可扭卷、可折叠或可卷绕的材料形成。形成基板201的柔性材料可以是超薄玻璃、金属或塑料。如果基板201由塑料形成，则基板201可包含PI。
[0113]基板201可被划分成显示区DA和非显示区NDA。由于上面已经描述了显示区DA和非显示区NDA的位置，因此不再提供它们的细节。
[0114]至少一个像素HJ和穿透部分210可形成在显示区DA中。
[0115]分离区BA可形成在两个相邻的像素HJ之间。穿透部分210可形成在分离区BA中。根据示例性实施例，穿透部分210可与像素HJ分隔开。
[0116]像素PU可包括如上所述的实现可见光的至少一个显示器件(未示出)，参照图6和图7描述的结构可应用于图9的像素PU。
[0117]穿透部分210可形成在基板201中。穿透部分210可包括第一穿透部分211和第二穿透部分212。分尚区BA可包括第一分尚区BAl和第二分尚区BA2。第一穿透部分211可形成在第一分离区BAl中，第二穿透部分212可形成在第二分离区BA2中。
[0118]由于关于穿透部分210和分离区BA的描述与上面描述的那些相同，因此不再提供它们的细节。
[0119]在实施例中，所述至少一条导线电连接到像素PU，并且不与穿透部分210叠置而与穿透部分210分隔开。
[0120]所述至少一条导线可包括至少一条第一导线，即，第一导线SLl至SL3。
[0121]第一导线SLl至SL3可电连接到像素HJ。
[0122]根据示例性实施例，第一导线SLl可电连接到在第一方向(图9的X轴方向)上排列成一行的多个像素HJ中的每个。
[0123]第一导线SLl可形成为具有至少一个弯曲区。第一导线SLl可具有沿第一方向延伸的区域，以及在第一穿透部分211周围的在与第一方向交叉的第二方向(图9的Y轴方向)上弯曲的区域，其中，在第二方向上弯曲的区域可以是在第二方向上突出的区域。因此，第一导线SLl可与第一穿透部分211和第二穿透部分212分隔开。
[0124]根据示例性实施例，第一导线SL2可设置在第一导线SLl下面，即，在与第一方向交叉的第二方向上与第一导线SLl相邻，并且可电连接到在第一方向上排列成一行的多个像素HJ。
[0125]第一导线SL2可形成为具有至少一个弯曲区。第一导线SL2可具有在第一方向上延伸的区域，以及在第一穿透部分211周围的在第二方向上弯曲的区域，其中，在第二方向上弯曲的区域可以是在第二方向上突出的区域。因此，第一导线SL2可与第一穿透部分211和第二穿透部分212分隔开。
[0126]根据不例性实施例，第一导线SL2可与第一导线SLl对称，第一导线SL2可与第一导线SLl关于第二穿透部分212对称。
[0127]第一导线SL3可具有与第一导线SLl相同的形状。第一导线SL3可电连接到在第一方向上排列成一行的多个像素HJ中的每个。
[0128]第一导线SL3可形成为具有至少一个弯曲区。第一导线SL3可具有在第一方向上延伸的区域，以及在第一穿透部分211周围的在与第一方向交叉的第二方向上弯曲的区域，其中，