一种阵列基板及其制备方法、oled显示装置的制造方法
【专利摘要】本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、OLED显示装置，涉及显示技术领域，可以提高显示装置的出光效率。该阵列基板包括设置在衬底上的阳极、有机材料功能层、阴极以及像素界定层，所述阳极延伸到所述像素界定层内，且所述阳极延伸到所述像素界定层内的部分包括倾斜面，所述倾斜面与所述衬底的夹角小于90°；所述倾斜面用于对所述有机材料功能层发出的射向所述倾斜面的光进行反射。用于提高显示装置出光效率。
【专利说明】
一种阵列基板及其制备方法、OLED显示装置
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、OLED显示装置。
【背景技术】
[0002]目前，OLED(OrganicLight Emitting D1de，有机发光二极管)显示装置由于具有自发光、宽视角、响应速度快、可柔化等特点而受到广泛关注。
[0003]现有的OLED显示装置，如图1所示，包括阳极10、有机材料功能层20及阴极30，不同子像素之间通过像素界定层40隔开。然而，由于从有机材料功能层20发出的平行于有机材料功能层20的光(如图1中箭头所示)无法从显示装置出射，因而降低了 OLED显示装置的出光效率。
【发明内容】
[0004]本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、OLED显示装置，可以提高显示装置的出光效率。
[0005]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:
[0006]第一方面，提供一种阵列基本，包括设置在衬底上的阳极、有机材料功能层、阴极以及像素界定层，其特征在于，所述阳极延伸到所述像素界定层内，且所述阳极延伸到所述像素界定层内的部分包括倾斜面，所述倾斜面与所述衬底的夹角小于90°;所述倾斜面用于对所述有机材料功能层发出的射向所述倾斜面的光进行反射。
[0007]优选的，所述阳极包括依次设置在所述衬底上的第一透明导电层、金属反射层和第二透明导电层。
[0008]进一步优选的，所述第一透明导电层靠近所述衬底设置，所述金属反射层和所述第二透明导电层延伸到所述像素界定层内。
[0009]进一步优选的，所述金属反射层的材料为Ag;所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的材料为ΙΤ0。
[0010]优选的，所述衬底为柔性衬底。
[0011]优选的，上述阵列基板还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极与所述阳极电联接。
[0012]第二方面，提供一种OLED显示装置，包括上述的阵列基板，还包括封装层。
[0013]第三方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括:形成像素界定层，所述像素界定层包括层叠的第一像素界定子层和第二像素界定子层;形成阳极，所述阳极延伸到所述第一像素界定子层和所述第二像素界定子层之间，且所述阳极延伸到所述像素界定层内的部分包括倾斜面，所述倾斜面与所述衬底的夹角小于90°;所述倾斜面用于对有机材料功能层发出的射向所述倾斜面的光进行反射;形成有机材料功能层和阴极。
[0014]优选的，所述阳极包括依次形成在所述衬底上的第一透明导电层、金属反射层和第二透明导电层。
[0015]进一步优选的，所述方法具体包括:通过一次构图工艺，在所述衬底上形成所述第一透明导电层;通过一次构图工艺形成所述第一像素界定子层;通过一次构图工艺形成位于所述第一透明导电层上方的所述金属反射层和所述第二透明导电层，所述金属反射层和所述第二透明导电层还延伸到所述第一像素界定子层上方;通过一次构图工艺形成所述第二像素界定子层;通过蒸镀工艺形成所述有机材料功能层;通过蒸镀工艺形成阴极。
[0016]本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、OLED显示装置，由于阵列基板中的阳极延伸到像素界定层内，且延伸到像素界定层内的部分包括倾斜面，这样从有机材料功能层发出的光，在射到倾斜面后，就可以被倾斜面反射出去，相对于现有技术中，将阳极做成平坦结构，而使得从有机材料功能层发出的平行于有机材料功能层的光无法出射，本发明实施例中的倾斜面可以使从有机材料功能层发出的光在射到倾斜面后均可以被反射出去，因而当该阵列基板应用于显示装置时，可提高显示装置的出光效率。
【附图说明】
[0017]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0019]图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图一；
[0020]图3(a)为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图二；
[0021]图3(b)为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图三；
[0022]图4为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图四；
[0023]图5为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
[0024]图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程结构示意图；
[0025]图7为本发明实施例提供的一种阵列基板的具体制备方法的流程结构示意图。
[0026]附图标记:
[0027]10-阳极；101-第一透明导电层；102-金属反射层；103-第二透明导电层;20-有机材料功能层;201-电子传输层;202-发光层;203-空穴传输层;204-电子注入层;205-空穴注入层;30-阴极;40-像素界定层;401-第一像素界定子层;402-第二像素界定子层;50-衬底；60-薄膜晶体管;601-漏极;602-源极;603-有源层;604-栅绝缘层;605-栅极;70-封装层。
【具体实施方式】
[0028]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0029]本发明实施例提供一种阵列基板，如图2、图3(a)、图3(b)及图4所示，包括设置在衬底50上的阳极10、有机材料功能层20、阴极30以及像素界定层40;阳极10延伸到像素界定层40内，且阳极10延伸到像素界定层40内的部分包括倾斜面，该倾斜面与衬底50的夹角Θ小于90° ;其中，所述倾斜面用于对有机材料功能层20发出的射向倾斜面的光进行反射(如图2中箭头所示)。
[0030]需要说明的是，第一，本发明实施例中，阳极10不透光，阴极30透光。基于此，不对阳极10和阴极30的材料进行限定。
[0031]第二，如图3(a)、图3(b)和图4所示，有机材料功能层20可以包括电子传输层201和空穴传输层203、以及二者之间的发光层202，当然还可以如图3(a)所示，根据需要设置电子注入层204和空穴注入层205。
[0032]其中，电子传输层201应有一定的电子运输能力及良好的成膜性和稳定性，电子传输层201的材料可以为金属螯合物，唑类化合物，二氮菲衍生物等，例如可以为:A1Q3(三(8-羟基喹啉)铝)、BPhen(4，7-二苯基-l，10-邻二氮杂菲)、TmPyPB(l，3，5-三[(3-吡啶基)-3-苯基 ]苯)、0XD-7(2，2’-(I，3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑])。
[0033]空穴传输层203应有高的热稳定性，且与阳极10形成小的势皇，空穴传输层203的材料可以为三芳香胺类系列、联苯二胺衍生物、交叉结构链接二胺联苯。例如可以为NPB(N，N’-二苯基-N，N’-(1-萘基联苯-4,4’-二胺)、TCTA(4，4’，4”-Tri(9-carbazoyl)triphenylamine，4，4’，4” -三(咔唑-9-基)三苯胺)、m_MTDATA(4，4 ’，4”-Tris (N_3_methylpheny 1-N-phenylamino) triphenylamine，4，4 ’，4” -三(N_3_甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)等。
[0034]第三，对于倾斜面与衬底50的夹角Θ不进行限定，具体可以根据显示装置的视角进行设置，倾斜面与衬底50的夹角Θ越小，显示装置的视角越大，倾斜面与衬底50的夹角Θ越大，显示装置的视角越小。优选的，倾斜面与衬底50的夹角Θ为30°左右。
[0035]第四，对于像素限定层40的材料，例如可以为有机感光材料。本发明实施例中设置像素限定层40是为了将不同的子像素隔离开，避免出现混色现象。
[0036]本发明实施例提供一种阵列基板，由于阵列基板中的阳极10延伸到像素界定层40内，且延伸到像素界定层40内的部分包括倾斜面，这样从有机材料功能层20发出的光，在射到倾斜面后，就可以被倾斜面反射出去，相对于现有技术中，将阳极10做成平坦结构，而使得从有机材料功能层20发出的平行于有机材料功能层20的光无法出射，本发明实施例中的倾斜面可以使从有机材料功能层20发出的光在射到倾斜面后均可以被反射出去，因而当该阵列基板应用于显示装置时，可提高显示装置的出光效率。
[0037]优选的，阳极10包括依次设置在衬底50上的第一透明导电层101、金属反射层102和第二透明导电层103。
[0038]当阳极10为第一透明导电层101、金属反射层102和第二透明导电层103结构时，可以是如图3(a)所示，第一透明导电层101为平坦结构，金属反射层102和第二透明导电层103延伸到像素限定层40内，此时，金属反射层102和第二透明导电层103可以通过一次构图工艺形成。也可以是如图3(b)所示，第一透明导电层101、金属反射层102和第二透明导电层103均延伸到像素限定层40内，此时，第一透明导电层101、金属反射层102和第二透明导电层103通过一次构图工艺形成。
[0039]需要说明的是，对于第一透明导电层101和第二透明导电层102的材料，只要是透明且导电的即可，例如可以是IT0(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)、AZ0(Aluminum ZincOxide，氧化招锌)、IZ0(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)、GZ0(Gallium Zinc Oxide，氧化锌镓)等中的一种或多种。第一透明导电层101和第二透明导电层102的材料可以相同，也可以不同。
[0040]对于金属反射层102的材料，以能对有机材料功能层20发出的且射到倾斜面的光进行反射为准，例如可以为Ag(银)、Cu(铜)、Au(金)等中的一种或多种。
[0041]本发明实施例中，当阳极10为第一透明导电层101、金属反射层102及第二透明导电层103结构时，阳极1具有高功函数与高反射率。
[0042]由于Ag具有尚反射率和尚电导率，可以提尚发光效率，因而优选的，金属反射层102的材料为Ag。由于ITO具有低方阻且透光率可以达到75%?86%等优点，因而优选的，第一透明导电层101和第二透明导电层103的材料为ΙΤ0。当阳极10为IT0/Ag/IT0结构时，阳极10具有尚功函数和尚反射率，这样在提尚发光效率的同时，可以降低阳极1与有机材料功能层20的势皇，有利于有机材料功能层20发光。
[0043]在此基础上，阴极30材料优选为Ag/Mg(镁)，其中Ag/Mg较薄，半透光。
[0044]优选的，如图3(a)所示，第一透明导电层101靠近衬底50设置，金属反射层102和第二透明导电层103延伸到像素界定层40内。
[0045]这是考虑到当该阵列基板还包括薄膜晶体管时，薄膜晶体管的漏极需与阳极10电联接，将阳极10中的第一透明导电层101靠近衬底50设置成平坦结构，有利于薄膜晶体管的漏极与阳极10中的第一透明导电层101电联接，且金属反射层102和第二透明导电层103延伸到像素界定层40内，可以对有机材料功能层20发出的射向倾斜面的光进行反射，以提高出光效率。
[0046]优选的，衬底50为柔性衬底。
[0047]其中，柔性衬底的材料可以是PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PI(聚酰亚胺)等。
[0048]本发明实施例中，当衬底50为柔性衬底，阵列基板应用于显示面板时，显示面板为柔性显示面板。
[0049]优选的，如图4所示，上述阵列基板还包括薄膜晶体管60，薄膜晶体管60的漏极601
与阳极10电联接。
[0050]其中，薄膜晶体管60包括漏极601、源极602、有源层603、栅绝缘层604及栅极605。
[0051]薄膜晶体管60是一种具有开关特性的半导体单元，例如可以是非晶硅型薄膜晶体管、或低温多晶硅型薄膜晶体管、或氧化物型薄膜晶体管、或有机物型薄膜晶体管等，具体在此不做限定。
[0052]所述薄膜晶体管60可以是顶栅型，也可以是底栅型，在此不作限定(图4中以底栅型薄膜晶体管为例进行示意)。
[0053]本发明实施例提供一种OLED显示装置，如图5所示，包括上述的阵列基板，还包括封装层70。所述显示装置可以为:0LED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0054]本发明实施例提供一种OLED显示装置，由于阵列基板中的阳极10延伸到像素界定层40内，且延伸到像素界定层40内的部分包括倾斜面，这样从有机材料功能层20发出的光，在射到倾斜面后，就可以被倾斜面反射出显示装置，相对于现有技术中，将阳极10做成平坦结构，而使得从有机材料功能层20发出的平行于有机材料功能层20的光无法从显示装置出射，而本发明实施例中的倾斜面可以使从有机材料功能层20发出的光在射到倾斜面后均可以被反射出去，因而提高了显示装置的出光效率。
[0055]本发明实施例提供一种如图2-图4所示阵列基板的制备方法，如图6所示，包括:
[0056]S100、形成像素界定层40，像素界定层40包括层叠的第一像素界定子层401和第二像素界定子层402。
[0057]其中，对于第一像素界定子层401和第二像素界定子层402的材料，例如可以为有机感光材料。本发明实施例中设置像素限定层40是为了将不同的子像素隔离开，避免出现混色现象。
[0058]SlOl、形成阳极10，阳极10延伸到第一像素界定子层401和第二像素界定子层402之间，且阳极10延伸到像素界定层40内的部分包括倾斜面，所述倾斜面与衬底50的夹角Θ小于90° ;所述倾斜面用于对有机材料功能层20两侧发出的光进行反射。
[0059]对于倾斜面与衬底50的夹角Θ不进行限定，具体可以根据显示装置的视角进行设置，倾斜面与衬底50的夹角Θ越小，显示装置的视角越大，倾斜面与衬底50的夹角Θ越大，显示装置的视角越小。优选的，倾斜面与衬底50的夹角Θ为30°左右。
[0060]S102、形成有机材料功能层20和阴极30。
[0061]其中，形成有机材料功能层20可以包括形成电子传输层201和空穴传输层203、以及二者之间的发光层202，当然还可以根据需要形成电子注入层204和空穴注入层205。在形成的有机材料功能层20包括电子注入层204、电子传输层201、发光层202、空穴传输层203及空穴注入层205的情况下，形成有机材料功能层20具体可以为:在形成有阳极10的衬底50上蒸镀一层空穴注入层205，并在蒸镀有空穴注入层205的衬底30上依次蒸镀空穴传输层203、发光层202、电子传输层201和电子注入层204，这样即可形成有机材料功能层20。
[0062]在此基础上，阴极30可以通过蒸镀法形成在有机材料功能层20的上方。
[0063]此处，阳极10不透光，阴极30透光。基于此，不对阳极10和阴极30的材料进行限定。
[0064]本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，由于阵列基板中的阳极10延伸到像素界定层40内，且延伸到像素界定层40内的部分包括倾斜面，这样从有机材料功能层20发出的光，在射到倾斜面后，就可以被倾斜面反射出去，相对于现有技术中，将阳极10做成平坦结构，而使得从有机材料功能层20发出的平行于有机材料功能层20的光无法出射，而本发明实施例中的倾斜面可以使有机材料功能层20发出的光在射到倾斜面后均可以被反射出去，因而当该阵列基板应用于显示装置时，可提高了显示装置的出光效率。
[0065]优选的，阳极10包括依次形成在衬底50上的第一透明导电层101、金属反射层102和第二透明导电层103。
[0066]其中，对于第一透明导电层101和第二透明导电层102的材料，只要是透明且导电的即可，例如可以是IT0、AZ0、IZ0、GZ0等中的一种或多种。第一透明导电层101和第二透明导电层102的材料可以相同，也可以不同。
[0067]对于金属反射层102的材料，以能对有机材料功能层20发出的且射到倾斜面的光进行反射为准，例如可以为Ag、Cu、Au等中的一种或多种。
[0068]此处，当阳极10为第一透明导电层101、金属反射层102和第二透明导电层103结构时，可以是如图3(a)所示，第一透明导电层101为平坦结构，金属反射层102和第二透明导电层103延伸到像素限定层40内，此时，金属反射层102和第二透明导电层103可以通过一次构图工艺形成;也可以是如图3(b)所不，第一透明导电层101、金属反射层102和第二透明导电层103均延伸到像素限定层40内，此时，第一透明导电层101、金属反射层102和第二透明导电层103通过一次构图工艺形成。
[0069]本发明实施例中，当阳极10为第一透明导电层101、金属反射层102及第二透明导电层103结构时，阳极1具有高功函数与高反射率。
[0070]基于此，如图3(a)所示，上述方法如图7所示，具体包括:
[0071]S200、通过一次构图工艺，在衬底50上形成第一透明导电层101。
[0072]S201、通过一次构图工艺形成第一像素界定子层401。
[0073]其中，对于第一像素界定子层401的形状，以能使下述步骤S202中形成的金属反射层102中包括倾斜面为准。
[0074]S202、通过一次构图工艺形成位于第一透明导电层101上方的金属反射层102和第二透明导电层103，金属反射层102和第二透明导电层103还延伸到第一像素界定子层401上方。
[0075]S203、通过一次构图工艺形成第二像素界定子层402。
[0076]S204、通过蒸镀工艺形成有机材料功能层20。
[0077]S205、通过蒸镀工艺形成阴极30。
[0078]本发明实施例中，考虑到阵列基板中还可以包括薄膜晶体管60，薄膜晶体管60的漏极601与阳极10电联接，通过在衬底50上形成第一透明导电层101的平坦结构，有利于薄膜晶体管的漏极601与阳极10中的第一透明导电层101电联接，且在第一像素界定子层401和第二像素界定子层402之间形成金属反射层102和第二透明导电层103，金属反射层102可以对有机材料功能层20发出的射向倾斜面的光进行反射，以提高出光效率。
[0079]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种阵列基板，包括设置在衬底上的阳极、有机材料功能层、阴极以及像素界定层，其特征在于，所述阳极延伸到所述像素界定层内，且所述阳极延伸到所述像素界定层内的部分包括倾斜面，所述倾斜面与所述衬底的夹角小于90° ; 所述倾斜面用于对所述有机材料功能层发出的射向所述倾斜面的光进行反射。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阳极包括依次设置在所述衬底上的第一透明导电层、金属反射层和第二透明导电层。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明导电层靠近所述衬底设置，所述金属反射层和所述第二透明导电层延伸到所述像素界定层内。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述金属反射层的材料为Ag;所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的材料为ITO。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底为柔性衬底。6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极与所述阳极电联接。7.—种OLED显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板，还包括封装层。8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括: 形成像素界定层，所述像素界定层包括层叠的第一像素界定子层和第二像素界定子层； 形成阳极，所述阳极延伸到所述第一像素界定子层和所述第二像素界定子层之间，且所述阳极延伸到所述像素界定层内的部分包括倾斜面，所述倾斜面与所述衬底的夹角小于90° ;所述倾斜面用于对有机材料功能层发出的射向所述倾斜面的光进行反射； 形成有机材料功能层和阴极。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述阳极包括依次形成在所述衬底上的第一透明导电层、金属反射层和第二透明导电层。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述方法具体包括: 通过一次构图工艺，在所述衬底上形成所述第一透明导电层； 通过一次构图工艺形成所述第一像素界定子层； 通过一次构图工艺形成位于所述第一透明导电层上方的所述金属反射层和所述第二透明导电层，所述金属反射层和所述第二透明导电层还延伸到所述第一像素界定子层上方； 通过一次构图工艺形成所述第二像素界定子层； 通过蒸镀工艺形成所述有机材料功能层； 通过蒸镀工艺形成阴极。
【文档编号】H01L27/32GK105870154SQ201610279538
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年4月28日
【发明人】孙艳六
【申请人】京东方科技集团股份有限公司