成于P型层(5)上的ITO层(6)，形成以ITO层(6)上与芯片侧壁的隔离层(7)，形成于ITO层(6)上的P型finger (12)，形成于N型层
(3)上的N型finger (11)，形成于ITO层(6)上与芯片右侧壁、以及N型层(3)上与芯片左侧壁之间的隔离层(7)，形成于P型finger (12)与芯片边界的P型引出层(8)，形成于N型finger (11)与芯片边界之间的N型引出层(10)，形成于整个芯片表面的保护层(9)，形成于衬底(I)与散热板之间的绝缘胶(15)，形成于引出层与外部电路(14)的连接层(13)。N型finger与P型finger及N型引出层与P型引出层可同时制作。
[0039]图2、图3分别为实施例1的中功率与小功率芯片的应用。
[0040]实施例2:如图4所示，本实用新型提供的点焊式LED芯片结构，包括衬底(I )，形成于衬底(I)上的缓冲层(2)，形成于缓冲层(2)上的N型层(3)，形成于N型层(3)上的发光层(4),形成于发光层(4)上的P型层(5),形成于P型层(5)上的ITO层(6)，形成于ITO层(6)上的P型finger (12),形成于N型层(3)上的N型finger (11),形成于ITO层(6)上与芯片右侧壁、N型层(3)上与芯片左侧壁、以及N型finger (11)和P型finger (12)之间的隔离层(7)，形成于P型fingeK 12)与芯片边界的P型引出层(8)，形成于N型finger
(11)与芯片边界之间的N型引出层(10)，形成于整个芯片表面的保护层(9)，形成于衬底
(I)与散热板之间的绝缘胶(15)，形成于引出层与外置电路(14)的连接层(13)。本实施例中，P型引出层(8)与P型finger (12)之间的隔离层(7)需开孔，N型引出层(10)与N型finger (11)之间的隔离层(7)需开孔，以实现内部ITO层(6)或N型层(3)的电流引出功倉泛。
[0041]图5、图6分别为实施例2在中功率与小功率芯片的应用。
[0042]实施例3:如图7所示，本实用新型提供的点焊式LED芯片倒装结构，包括衬底
(1)，形成于衬底(I)上的缓冲层(2)，形成于缓冲层(2)上的N型层(3)，形成于N型层(3)上的发光层(4)，形成于发光层(4)上的P型层(5)，形成于P型层(5)上的ITO层(6)，形成于ITO层(6)上的P型finger (12)，形成于N型层(3)上的N型finger (11)，形成于ITO层(6)上与芯片左侧壁、N型层(3)上与芯片右侧壁、以及N型finger (11)和P型finger
(12)之间的隔离层(7)，形成于P型finger(12)与芯片边界的P型引出层(8)，形成于N型finger (11)与芯片边界之间的N型引出层(10)，形成于整个芯片表面的保护层(9)，形成保护层(9)上的荧光粉层(16)，形成于芯片与散热板之间的绝缘胶(15)，形成于引出层与外部电路(14)的连接层(13)。本实施例中，P型引出层(8)与P型finger (12)之间的隔离层(7)需开孔，N型引出层(10)与N型finger (11)之间的隔离层(7)需开孔，以实现内部ITO层(6)或N型层(3)的电流引出功能。
[0043]实施例4:如图8所示，本实用新型基于实施例1、实施例2、实施例3的高压应用，是将相邻LED芯片结构上极性相反的N型finger (11)和P型finger (12)进行串联式连接，以提供相应的无焊盘高压LED芯片。
[0044]上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理和最佳实施例，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。
【主权项】
1.一种点焊式LED芯片结构，其外延芯片包括衬底、缓冲层、N型层、发光层、P型层和ITO层，其特征在于，所述的外延芯片还包括: 一隔离层，形成于ITO层上与芯片对应侧壁之间以及N型层上与芯片对应侧壁之间； 一N型finger,形成于外延芯片的N型层上,该N型finger与外延芯片电性稱合； 一N型引出层，位于N型finger与芯片边界之间； 一P型finger,形成于外延芯片的ITO层上，该P型finger经过ITO层与外延芯片电性耦合； —P型引出层，位于P型finger与芯片边界之间； 一保护层，位于芯片外表面。
2.根据权利要求1所述的点焊式LED芯片结构，其特征在于:所述的隔离层也可形成在N型finger上、P型finger上以及两者之间的芯片表面上。
3.根据权利要求1或2所述的点焊式LED芯片结构，其特征在于:所述的外延芯片中，N型引出层和P型引出层分别与外延芯片的外置电路之间设置有连接层，所述的连接层为焊料层或导电胶层。
4.根据权利要求3所述的点焊式LED芯片结构，其特征在于:所述的外延芯片为倒装式结构，芯片的保护层外和芯片的连接层之间还设置有荧光粉层。
5.根据权利要求4所述的点焊式LED芯片结构，其特征在于:所述的外延芯片在采用倒装结构时，隔离层可替换成DBR层。
6.根据权利要求1所述的点焊式LED芯片结构，其特征在于:所述的衬底背面设有绝缘胶。
7.根据权利要求1所述的点焊式LED芯片结构，其特征在于:所述N型finger、P型finger和引出层的材料分别为Ag、Cu、Al、N1、In、Sn、T1、Pt、Cr、Au和Wu中的一种。
8.根据权利要求1所述的点焊式LED芯片结构，其特征在于:所述引出层中，引出点可分布在对角或者两边，引出点的数目为两个以上。
9.根据权利要求1所述的点焊式LED芯片结构，其特征在于:所述隔离层为二氧化硅或氮化硅，厚度为0.2 -30 μ m。
10.根据权利要求1所述的点焊式LED芯片结构，其特征在于:所述保护层为二氧化硅或氮化硅，厚度为0.2 -30 μ m。
【专利摘要】本实用新型公开了一种点焊式LED芯片结构，其特征在于，包括：衬底、缓冲层、N型层、发光层、P型层和ITO层；形成于外延芯片的上侧和四周的隔离层；在ITO层上形成P型finger，形成于N型层上的N型finger，以及分别与N型finger与P型finger相连的N型引出层与P型引出层；位于芯片外表面的保护层；引出层与外置电路相连；并在采用倒装结构时进一步设有荧光粉层。本实用新型的优点为，电流从芯片侧壁引出，无焊盘，能增大发光面积，通过点焊或点胶实现电极与外置电路相连，提高了LED的良率，可同时适用于倒装芯片和正装芯片。
【IPC分类】H01L33-62
【公开号】CN204271133
【申请号】CN201420709281
【发明人】刘洋, 罗长得, 郝锐
【申请人】广东德力光电有限公司
【公开日】2015年4月15日
【申请日】2014年11月24日