用于倒装led芯片的双面图形化衬底的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于半导体光电芯片制造领域，尤其涉及一种用于倒装LED芯片的双面图形化衬底。
【背景技术】
[0002]GaN基LED自从20世纪90年代初商业化以来，经过二十几年的发展，其结构已趋于成熟和完善，已能够满足人们现阶段对灯具装饰的需求；但要完全取代传统光源进入照明领域，发光亮度的提高却是LED行业科研工作者永无止境的追求。在内量子效率(已接近100% )可提高的空间有限的前提下，LED行业的科研工作者把目光转向了外量子效率，提出了可提高光提取率的多种技术方案和方法，例如图形化衬底技术、侧壁粗化技术、DBR技术、优化电极结构、在衬底或透明导电膜上制作二维光子晶体等。其中图形化衬底最具成效，尤其是2010年以来，在政府各种政策的激励和推动下，无论是锥状结构的干法图形化衬底技术还是金字塔形状的湿法图形化衬底技术都得到了飞速的发展，其工艺已经非常成熟，并于2012年完全取代了平衬底，成为LED芯片的主流衬底，使LED的晶体结构和发光亮度都得到了革命性的提高。
[0003]从结构上讲，LED芯片有正装LED芯片和倒装LED芯片之分，对于正装芯片而言，图形化衬底技术是利用PSS图形将从发光区射向衬底的光通过不同面反射回去，提高光的逸出概率，提高芯片的出光效率。但是，对于倒装芯片而言，就不需要将光反射回去，而是需要尽可能多的光透射穿过衬底。
[0004]相比正装LED芯片，倒装芯片可以解决散热难的问题，商业化的LED芯片大多生长的蓝宝石衬底上，然后将其固定在封装支架上，这样的LED芯片主要通过传导散热，而蓝宝石衬底由于较厚，所以热量难于导出，热量聚集在芯片会影响芯片可靠性，增加光衰和减少芯片寿命；光效低的问题，电极挡光，会减少芯片的出光；电流拥挤会增加芯片的电压，这些都会降低芯片的光效；封装复杂的问题，单个LED芯片的电压为3V左右，因此需要变压或者将封装将其串联，这些都增加了封装和应用的难度，工艺难度加大，使整个芯片的可靠性变差。
[0005]有如此之多优势的倒装结构将成为未来能大幅提高LED发光亮度的最有前途的GaN基LED的结构，然而倒装结构的LED芯片是在N面出光的，一方面由于蓝宝石的折射率低于氮化镓的折射率，所以外延层射出来的光会在蓝宝石和衬底界面上发生全反射，导致较多的光不能出来，减少出光效率；另一方面由于生长衬底表面图形的存在，在衬底和外延层的交界面处将会使较多的光再次从N面反向P面，进一步影响了倒装LED芯片的出光效率，如果倒装芯片不使用图形化衬底，而是用平坦的衬底，则将会严重影响外延层的晶体质量。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型的目的在于提供一种用于倒装LED芯片的双面图形化衬底，在不影响LED外延层晶体质量的前提下，提高倒装LED芯片的发光亮度。
[0007]为了解决上述问题，本实用新型的用于倒装LED芯片的双面图形化衬底，包括:
[0008]具有相对的第一表面和第二表面的衬底；
[0009]形成于所述第一表面上的阵列排布的第一微透镜结构；以及
[0010]形成于所述第二表面上的阵列排布的第二微透镜结构；
[0011]其中，所述第一微透镜结构和第二微透镜结构关于所述衬底对称分布。
[0012]可选的，在所述的用于倒装LED芯片的双面图形化衬底中，所述衬底为蓝宝石衬底或碳化硅衬底。
[0013]可选的，在所述的用于倒装LED芯片的双面图形化衬底中，所述第一微透镜结构和第二微透镜结构的形状和尺寸相同。
[0014]可选的，在所述的用于倒装LED芯片的双面图形化衬底中，所述第一微透镜结构和第二微透镜结构均为半球型或半椭球型结构。
[0015]与现有技术相比，本实用新型提供一种双面图形化衬底，通过在衬底两个相对的表面上设置具有聚光作用的微透镜阵列，以使所述LED衬底结构具有聚光作用，从而在不影响LED外延层晶体质量的前提下，提高倒装LED芯片的发光亮度和轴向发光亮度。
[0016]进一步的，本实用新型首先在衬底的第一表面上制作出阵列排布的第一微透镜结构，后续再结合衬底第一表面上阵列排布的第一微透镜结构的特点，实现光刻自对准工艺，从而在无需掩膜板和对位的前提下，实现衬底第二表面掩膜层的制作，最后再通过刻蚀工艺实现衬底第二表面的图形化，以在衬底第二表面上形成阵列排布的第二微透镜结构，完成双面图形化衬底的制作。
【附图说明】
[0017]参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本实用新型。为了清楚起见，图中各个层的相对厚度以及特定区的相对尺寸并没有按比例绘制。在附图中:
[0018]图1是本实用新型实施例中平坦的衬底的剖面结构示意图；
[0019]图2是本实用新型实施例中形成第一光刻胶层后的剖面结构示意图；
[0020]图3是本实用新型实施例中形成第一图形化光刻胶层后的剖面结构示意图；
[0021]图4是本实用新型实施例中对第一图形化光刻胶层烘烤后的剖面结构示意图；
[0022]图5是本实用新型实施例中形成阵列排布的第一微透镜结构后的剖面结构示意图；
[0023]图6是本实用新型实施例中形成第二光刻胶层后的剖面结构示意图；
[0024]图7是本实用新型实施例中形成第二图形化光刻胶层后的剖面结构示意图；
[0025]图8是本实用新型实施例中对第二图形化光刻胶层烘烤后的剖面结构示意图；
[0026]图9是本实用新型实施例中双面图形化LED衬底的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0027]在针对【背景技术】提到的问题的研宄中，本申请的发明人发现，有必要根据倒装芯片的特殊性，设计出一种双面图形化衬底结构，将双面图形化衬底结构用于倒装LED芯片的制作时，可以在不影响LED外延层晶体质量的前提下，减少从外延层射向衬底的光的反射，增加其透射，提高出光效率和发光亮度。进一步发现，若将图形设计为具有聚光作用的微透镜阵列结构，将进一步提高倒装LED芯片的轴向发光亮度。
[0028]具体如图9所示，一种用于倒装LED芯片的双面图形化衬底，包括:具有相对的第一表面1a和第二表面1b的衬底10、形成于所述第一表面1a上的阵列排布的第一微透镜结构14以及形成于所述第二表面1b上的阵列排布的第二微透镜结构24。其中，所述第一微透镜结构14和第二微透镜结构24的形状和尺寸相同，所述第一微透镜结构14和第二微透镜结构24关于所述衬底对称分布。例如，所述第一微透镜结构和第二微透镜结构可以是指具有聚光作用的半球型或半椭球型结构。所述用于倒装LED芯片的双面图形化衬底，通过在衬底10的两个表面上制作出剖面形状为半圆形或半椭圆形的微透镜结构，以使LED衬底结构具有聚光作用，从而在不