胀目的被分隔开来。
[0026]耦接元件204可包括金属材料，例如铝。具有高热传导性的铝会膨胀与收缩，故能容许相邻遮蔽框部件124A与124B之间的距离(以箭头C表示)于处理过程中变化，而相邻的部件124A和124B不会直接接触另一方。可以预期的是，耦接元件204可包括陶瓷材料。耦接元件204藉由一或多个固定件(fastener) 206，例如螺丝，耦接至相应部件124A、124B。可以被理解的是，尽管图中绘示三个耦接元件204，可使用更多或更少的耦接元件204。耦接元件204可以沿着部件124A、124B的宽度(以箭头D表示)以相等间距隔开。
[0027]由于相邻部件U4A和124B之间的间隔，电弧作用可能发生在基板支撑件126。电弧作用的发生是因为在沿着基板支撑件126的射频电流与在部件124A、124B边缘的射频电流，或来自气体分配喷淋头110或甚至来自等离子体120的射频电流之间的电位差。如果具有导电性的基板支撑件126在相邻的遮蔽框部件124A、124B之间的间隔处被暴露出来，则电弧作用可能产生。通过以直接位于相邻的部件124A、124B之间的间隔下的插入物202，取代将被暴露在相邻遮蔽框部件124A、124B之间的间隔处的基板支撑件126的部分，电弧作用可以被消除或实质性地减少。插入物202可包括电性绝缘材料，例如陶瓷材料。为了在相邻部件124A、124B的端部与基板支撑件126的导电部分之间提供足够的电性绝缘，插入物202取代基板支撑件126的角落，且插入物202在第一方向以如箭头E所示的一距离、在第二方向以如箭头F所示的一距离延伸进入基板支撑件126。插入物202的功用为遮住基板支撑件126被暴露出而未接触遮蔽框部件124A、124B的传导性表面。
[0028]图3A和图3B为根据本实用新型一实施例的基板支撑件126的等角视图示意图。在图3A中，为了能看得清楚而将相邻部件124A、124B移除。在图3B中，部件124A被示出，而相邻的部件124B以虚线示出。基板支撑件126具有凹处形成于所述基板支撑件中，插入物202配置在这些凹处中。凹处形成在基板支撑件126最上方的顶部表面306，以及遮蔽框部件124所处的围绕层的顶部表面308 二者之上。插入物202被设计成符合凹处内部的尺寸，如此使得插入物202露出的表面与基板支撑件126露出的表面为齐平的。
[0029]如同图3A和图3B中所示，插入物202具有第一部分310的顶部表面302，所述顶部表面302平行于基板支撑件126的顶部表面306，且所述顶部表面302实质上与基板支撑件126的顶部表面306是齐平的。此外，插入物202具有第二表面304，所述第二表面304与遮蔽框124所处的基板支撑件126的围绕层312的顶部表面308齐平。围绕层312具有如箭头H所示的厚度，而基板支撑件126其余部分在围绕层312之上延伸了以箭头I所示的距离。因此，基板支撑件126具有由箭头H和I共同表示的总厚度。距离C小于顶部表面302的宽度，故在部件124A、124B与基板支撑件126隔开的位置处，相邻部件124A与124B间的间隔总是会位在电性绝缘的材料之上。整体来看，插入物202的大小设计成，使得没有任何一个位置是:各个部件124A、124B为分开来的、与基板支撑件126分隔开来的，并相邻于基板支撑件126的导电部分或在基板支撑件126的导电部分之上。
[0030]遮蔽框124的部件124A、124B置于基板支撑件126的围绕层312的顶部表面308上面，因此所述部件124A、124B直接电性接触基板支撑件126的围绕层312。然而，遮蔽框部件124A、124B由以箭头G所示的距离与插入物202的顶部表面302隔开。在没有插入物202的情况下，遮蔽框124将会以距离G与具有传导性的基板支撑件126隔开，并因此在所述遮蔽框124与基板支撑件126之间能够容易地产生电弧。电性绝缘且直接被配置在遮蔽框124的两相邻部件124A、124B的间隙之下的插入物202，避免或至少减少在部件124A、124B与基板支撑件126之间的电弧作用。
[0031]很重要的是去了解，虽然插入物202已被描述成是取代基板支撑件126被移除部分的部件，可以预期的是，插入物202可包括配置在基板支撑件126 —部分上的遮盖物(cover)，而没有移除基板支撑件126的任何部分。此外，可以预期插入物202的第二表面304能够延伸跨过以箭头J所示的整个距离，且第二表面304可能被任何适当的固定件316固定至基板支撑件126。
[0032]藉由以电性绝缘材料取代导电基板支撑件的一部分，在处理过程中基板支撑件与放置于基板支撑件上的遮蔽框之间的电弧作用可被减少或甚至消除。因此，大面积基板能够在可预测的处理腔室条件下容易地处理。
[0033]虽然上述内容是针对本实用新型实施例，但是可在不背离本实用新型的基本范围的情况下设计本实用新型的其他和进一步实施例，且本实用新型的范围是由后附的权利要求所界定。
【主权项】
1.一种遮蔽框，用以设置于腔室主体中，其特征在于，所述遮蔽框包括: 第一部件； 第二部件，以一间隙与所述第一部件隔开，所述间隙设置于所述腔室内的基板支撑件之上；以及 一或多个耦接元件，耦接至所述第一部件和所述第二部件。
2.如权利要求1所述的遮蔽框，其特征在于，所述第一部件和所述第二部件包括陶瓷材料。
3.如权利要求2所述的遮蔽框，其特征在于，所述耦接元件包括铝。
4.如权利要求2所述的遮蔽框，其特征在于，所述耦接元件包括陶瓷。
5.如权利要求1所述的遮蔽框，其特征在于，所述親接元件包括金属材料。
6.如权利要求1所述的遮蔽框，其特征在于，所述耦接元件包括陶瓷。
7.一种基板支撑件，包括: 矩形基板支撑件主体，具有第一部分，所述第一部分环绕第二部分，所述第一部分具有第一厚度，所述第二部分具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度；以及 陶瓷插入物，耦接至所述基板支撑件主体，且所述陶瓷插入物具有第一顶部表面及第二顶部表面，所述第一顶部表面平行于所述第一部分的顶部表面，所述第二顶部表面平行于所述第二部分的顶部表面。
8.如权利要求7所述的基板支撑件，其特征在于，所述基板支撑件包括阳极氧化铝，并且其中所述第二顶部表面具有长度和宽度，其中所述长度大于所述宽度。
9.如权利要求7所述的基板支撑件，其特征在于，所述第二顶部表面具有长度和宽度，其中所述长度大于所述宽度。
10.一种等离子体增强型化学气相沉积设备，包括: 腔室主体； 气体分配喷淋头，设置于所述腔室主体中； 矩形基板支撑件，设置于所述腔室主体中相对于所述气体分配喷淋头，所述矩形基板支撑件具有第一部分，所述第一部分环绕第二部分，所述第一部分具有第一厚度，所述第二部分具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度； 陶瓷插入物，耦接至所述基板支撑件，所述陶瓷插入物具有第一顶部表面及第二顶部表面，所述第一顶部表面平行于所述第一部分的顶部表面，所述第二顶部表面平行于所述第二部分的顶部表面；以及 遮蔽框，设置于所述腔室主体中，所述遮蔽框包括: 第一部件； 第二部件，以间隙与所述第一部件隔开；及 一或多个耦接元件，耦接至所述第一部件和所述第二部件。
11.如权利要求10所述的设备，其特征在于，所述间隙位于所述陶瓷插入物之上。
12.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述第一部件和所述第二部件包括陶瓷材料。
13.如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述耦接元件包括金属材料。
14.如权利要求13所述的设备，其特征在于，所述金属材料包括铝。
15.如权利要求14所述的设备，其特征在于，所述基板支撑件包括阳极氧化铝，其中所述第二顶部表面具有长度和宽度，其中所述长度大于所述宽度，以及其中所述间隙的宽度小于所述第二顶部表面的所述宽度。
【专利摘要】本实用新型涉及遮蔽框、基板支撑件以及等离子体增强型化学气相沉积设备。金属材质的基板支撑件具有陶瓷插入物，以避免处理过程中基板支撑件与遮蔽框之间的电弧作用，所述遮蔽框用以保护基板支撑件边缘。在诸如大面积基板的处理腔室之类处理腔室的腔室主体中，遮蔽框可包括多个部件，例如第一部件和第二部件。一个或多个耦接元件可耦接至诸如第一部件和第二部件的各个部件。诸如第一部件和第二部件的各个部件可以被耦接在一起，但会以一间隙稍微地分隔开来，以容许热膨胀。陶瓷插入物位于基板支撑件上，使得当遮蔽框被放置在陶瓷插入物的相邻位置时，陶瓷插入物是位于相邻于遮蔽框中的间隙的位置。
【IPC分类】H01L21-683, H01L21-205, C23C16-458, G02F1-13
【公开号】CN204375716
【申请号】CN201390000299
【发明人】古田学, J·M·怀特, 栗田真一, S·Y·崔, S·安瓦尔, R·L·蒂纳
【申请人】应用材料公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2013年2月21日
【公告号】US20130228124, WO2013133983A1, WO2013133983A4