专利名称：半导体集成电路和dc-dc转换器的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体集成电路和DC-DC转换器。
背景技术：
以前，DC-DC转换器通过导通/截止多个开关元件或整流元件控制开关脉冲的导通/截止时间比，向负载供给希望的电压、电流。为了这样的DC-DC转换器的小型化和高速控制，不断做出提高开关频率的改良。然而，在将用于提高效率的导通/截止速度提高到必要以上时，引起EMI (Electro MagneticInterference:电磁干扰)和接地噪音。
发明内容
本发明要解决的课题在于提供一种可在提高开关速度同时，降低接地噪音的半导体集成电路、和DC-DC转换器。实施方式的DC-DC转换器，其特征在于，包括:平滑化电容器，连接在与负载的一端连接的第I输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间，并平滑化输出电压，扼流线圈，其一端与电池的一端连接，半导体集成电路，具有与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子、与上述第I输出端子连接的第I电位端子、和与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子， 上述半导体集成电路包括:第I导电型的第IMOS晶体管，其一端与上述第I电位端子连接，其另一端与上述开关端子连接，向其栅极输入第I控制信号，第2导电型的第2M0S晶体管，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第2电位端子连接，第I导电型的第3M0S晶体管，其一端与上述第I电位端子连接，其另一端与上述第2M0S晶体管的栅极连接，第2导电型的第4M0S晶体管，其一端与上述第3M0S晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，第2导电型的第5M0S晶体管，其一端与上述第4M0S晶体管的栅极连接，其另一端与上述第2电位端子连接，第I逆变器(inverter)，输入第2控制信号，其输出与上述第3M0S晶体管的栅极连接，第2逆变器，输入上述第2控制信号，其输出与上述第4M0S晶体管的栅极连接，开关控制电路，通过上述第I控制信号及上述第2控制信号控制上述第IMOS晶体管及上述第2M0S晶体管的工作，栅控制电路，连接在上述开关端子与上述第2电位端子之间，控制上述第5M0S晶体管的工作。其他实施方式的半导体集成电路，其特征在于，上述半导体集成电路适用于DC-DC转换器，上述DC-DC转换器包括:平滑化电容器，连接在与负载的一端连接的第I输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间，并平滑化输出电压；扼流线圈，其一端与电池的一端连接；上述半导体集成电路包括:与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子，与上述第I输出端子连接的第I电位端子，与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子，第I导电型的第IMOS晶体管，其一端与上述第I电位端子连接，其另一端与上述开关端子连接，向其栅极输入第I控制信号，第2导电型的第2M0S晶体管，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第2电位端子连接，第I导电型的第3M0S晶体管，其一端与上述第I电位端子连接，其另一端与上述第2M0S晶体管的栅极连接，第2导电型的第4M0S晶体管，其一端与上述第3M0S晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，第2导电型的第5M0S晶体管，其一端与上述第4M0S晶体管的栅极连接，其另一端与上述第2电位端子连接，第I逆变器，输入第2控制信号，其输出与上述第3M0S晶体管的栅极连接，第2逆变器，输入上述第2控制信号，其输出与上述第4M0S晶体管的栅极连接，开关控制电路，通过上述第I控制信号及上述第2控制信号控制上述第IMOS晶体管及上述第2M0S晶体管的工作，栅控制电路，连接在上述开关端子与上述第2电位端子之间，控制上述第5M0S晶体管的工作。此外，其他实施方式的半导体集成电路，其特征在于，上述半导体集成电路适用于DC-DC转换器，上述DC-DC转换器包括:平滑化电容器，连接在与负载的一端连接的第I输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间，并平滑化输出电压；扼流线圈，其一端与电池的一端连接；上述半导体集成电路包括:与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子，与上述第I输出端子连接的第I电位端子，与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子，第I导电型的第IMOS晶体管接，其一端与上述第I电位端子连接，其另一端与上述开关端子连接，第2导电型的第2M0S晶体管，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第2电位端子连接，开关控制电路，控制上述第IMOS晶体管和上述第2M0S晶体管互补地导通/截止，栅控制电路，在由上述开关控制电路将上述第2M0S晶体管从导通向截止迁移时，控制上述第2M0S晶体管中流动的电流的减少速度。根据上述构成的半导体集成电路，和DC-DC转换器，可在提高开关速度同时，降低接地噪音。
图1是显示第I实施方式涉及的DC-DC转换器1000的构成的一例的图。图2是显示如图1所示的第2M0S晶体管M2静特性的图。
具体实施例方式以下，关于实施方式，根据
。第I实施方式图1是显示第I实施方式涉及的DC-DC转换器1000构成的一例的图。如图1所示，DC-DC转换器1000具备半导体集成电路100、扼流线圈L、平滑化电容器Cout。平滑化电容器Cout连接在与负载Rout的一端连接的第I输出端子Toutl和与负载Rout的另一端连接的第2输出端子Tout2之间。这个平滑化电容器Cout平滑化向负载Rout供给的输出电压。扼流线圈L的一端与电池B的一端(正极)TBl连接,另一端与开关端子TSW连接。半导体集成电路100具有开关端子TSW、第I电位端子Tl、第2电位端子T2、第I导电型的第IMOS晶体管(pMOS晶体管)M1、第2导电型的第2M0S晶体管(nMOS晶体管)M2、第I导电型的第3M0S晶体管(pMOS晶体管)M3、第2导电型的第4M0S晶体管(nMOS晶体管)M4、第2导电型的第5M0S晶体管(nMOS晶体管)M5、第I逆变器I1、第2逆变器12、开关控制电路SWC、栅控制电路GC。开关端子TSW与扼流线圈L的另一端连接。第I电位端子Tl与第I输出端子Toutl连接。此外，在第I输出端子Toutl和第I电位端子Tl之间的布线上存在第I寄生电感器 LP1。第2电位端子T2与第2输出端子Tout2及电池B的另一端(负极)TB2连接。此外，在第2输出端子Tout2和第2电位端子T2之间的布线上存在第2寄生电感器 LP2。第1M0S晶体管Ml中，其一端(源极)与第I电位端子Tl连接，其另一端(漏极)与开关端子TSW连接，向其栅极输入第I控制信号SI。第2M0S晶体管M2中，其一端(漏极)与开关端子TSW连接，其另一端(源极)与第2电位端子T2连接。第3M0S晶体管M3中，其一端(源极)与第I电位端子Tl连接，其另一端(漏极)与第2M0S晶体管M2的栅极连接。
第4M0S晶体管M4中，其一端(漏极)与第3M0S晶体管M3的另一端(漏极)连接，其另一端(源极)与第2电位端子T2连接。 第5M0S晶体管M5中，其一端(漏极)与第4M0S晶体管M4的栅极连接，其另一端(源极)与第2电位端子T2连接。第I逆变器Il中，输入第2控制信号S2，其输出与第3M0S晶体管M3的栅极连接。这个第I逆变器II，例如，如图1所示，具有第I导电型的第6M0S晶体管(pMOS晶体管)M6、第2导电型的第7M0S晶体管(nMOS晶体管)M7。第6M0S晶体管M6中，其一端(源极)与第I电位端子Tl连接，其另一端(漏极)与第3M0S晶体管M3的栅极连接，向其栅极输入第2控制信号S2。第7M0S晶体管M7中，其一端(漏极)与第6M0S晶体管M6的另一端(漏极)连接，其另一端(源极)与第2电位端子T2连接，其栅极与第6M0S晶体管M6的栅极连接。第2逆变器12中，输入第2控制信号S2，其输出与第4M0S晶体管M4的栅极连接。这个第2逆变器12，例如，如图1所示，具有第I导电型的第8M0S晶体管(pMOS晶体管)M8、第2导电型的第9M0S晶体管(nMOS晶体管)M9。第8M0S晶体管M8中，其一端(源极)与第I电位端子Tl连接，其另一端(漏极)与第4M0S晶体管M4的栅极连接，其栅极与第6M0S晶体管M6的栅极连接。第9M0S晶体管M9中，其一端(漏极)与第8M0S晶体管M8的另一端(漏极)连接，其另一端(源极)与第2电位端子T2连接，其栅极与第8M0S晶体管M8的栅极连接。开关控制电路SWC通过第I控制信号SI及第2控制信号S2控制第IMOS晶体管Ml及第2M0S晶体管M2的工作。例如，开关控制电路SWC通过第I控制信号SI及第2控制信号S2控制第IMOS晶体管Ml和第2M0S晶体管M2互补地导通/截止。这个情况下，例如，开关控制电路SWC在控制第2M0S晶体管M2从导通到截止之后，控制第IMOS晶体管Ml从截止到导通，使贯通电流在第IMOS晶体管Ml和第2M0S晶体管M2之间不流动。栅控制电路GC连接在开关端子TSW和第2电位端子T2之间，控制第5M0S晶体管M5的工作。这个栅控制电路GC，在控制第2M0S晶体管M2以限制第2M0S晶体管M2中流动的电流的减少速度时，控制第5M0S晶体管M5导通。例如，栅控制电路GC具有第I电容器Cl、第I电阻元件R1。第I电容器Cl中，其一端与开关端子TSW连接，其另一端与第5M0S晶体管M5的栅极连接。第I电阻元件Rl连接在第I电容器Cl的另一端和第2电位端子T2之间。在这里，关于具有上述构成的DC-DC转换器1000的工作的一例进行说明。在这里，关于从第IMOS晶体管Ml截止且第2M0S晶体管M2导通的状态变为第IMOS晶体管Ml导通且第2M0S晶体管M2截止的状态进行说明。图2是显示如图1所示的第2M0S晶体管M2的静态特性的图。此外，在图2，PVDD是第IMOS晶体管Ml的源极电压，Vf显示由第IMOS晶体管Ml的寄生二极管引起的电压降。首先，在第IMOS晶体管Ml截止且第2M0S晶体管M2导通的状态，第I控制信号SI是"High(高)"电平，而且，第2控制信号S2是"High"电平。然后，开关控制电路SWC将第2控制信号S2设为"LowHS)"电平。据此，向第2M0S晶体管M2的栅极施加"Low"电平的栅极信号。据此，第2M0S晶体管M2从导通向截止开始迁移，限制第2M0S晶体管M2中流动的电流。此时，第2M0S晶体管M2的栅极电压从"High"电平下降到Ids =线圈电流时夹断的电压时，线圈电流未完全流过通过第2M0S晶体管M2的路径，成为剩余的电流推升开关端子TSW的电位，开关端子TSW的电压从"Low"电平向"High"电平反转。开关端子TSW的电压达到"High"电平以后，那个剩余电流通过第IMOS晶体管Ml的主体二极管向Tl流动。由此，第2M0S晶体管M2的栅极电压下降并且这个第2M0S晶体管M2成为截止时，第2M0S晶体管M2的漏极电流也向O减少，同时流过第IMOS晶体管M1，特别是那个主体二极管的电流向线圈电流增加。第2寄生电感器LP2中发生电动势的电流减少时的斜率dl/dt的绝对值能根据电压反转后的第2M0S晶体管M2的栅极电压的斜率dV/dt变大。从紧接反转之后，栅控制电路GC向第5M0S晶体管M5的栅极供给与K/(CR))成比例的电压。即，栅控制电路GC，在控制第2M0S晶体管M2以限制在第2M0S晶体管M2中流动的电流时，控制第5M0S晶体管M5导通。据此，从第2逆变器12向第4M0S晶体管M4的栅极供给的电流，通过第5M0S晶体管M5向接地侧牵引。其结果，第4M0S晶体管M4从截止开关切换为导通的时间变长，第2M0S晶体管M2的栅极电荷的牵引速度变慢。据此，斜率dl/dt和电动势变小(图2)，降低接地噪音。此后，开关控制电路SWC将第I控制信号SI设为"High"电平且将第2控制信号S2设为"Low"电平，使贯通电流不流动，将第IMOS晶体管Ml设为截止且将第2M0S晶体管M2设为截止的状态。然后，开关控制电路SWC将第I控制信号SI设为"Low"电平且将第2控制信号S2设为"Low"电平，将第1M0S晶体管Ml设为导通且将第2M0S晶体管M2设为截止的状态。通过以上的工作，完成从第1M0S晶体管Ml截止且第2M0S晶体管M2导通的状态向第1M0S晶体管Ml导通向且第2M0S晶体管M2截止的状态的开关切换。如上所述，通过DC-DC转换器1000的工作，即使提高开关速度，也使第2M0S晶体管M2从导通向截止迁移的速度下降，由寄生电感器引起的斜率dl/dt和电动势减小，降低接地噪音。S卩，根据本实施方式涉及的DC-DC转换器1000可在提高开关速度同时，降低接地噪音。实施方式中，关于以下情况进行了说明，线圈L与电池的正极连接，平滑化电容器Cout连接在与负载Rout的一端连接的第I输出端子Toutl和与负载Rout的另一端连接的第2输出端子Tout2之间，第I导电型的MOS晶体管是pMOS晶体管，第2导电型的MOS晶体管是nMOS晶体管。然而，电路的电流极性变得相反时，同样也可关于以下情况进行说明，S卩，平滑化电容器Cout的正极(第I输出端子Toutl)和负载Rout的一端连接至线圈L,第I导电型的MOS晶体管是nMOS晶体管，其源极与电池的负极连接，第2导电型的MOS晶体管是pMOS晶体管，其源极与电池的正极连接。本实施方式涉及的DC-DC转换器也可适用于升降压型转换器。以上，说明了本发明的几个实施方式，但是这些实施方式，作为例子出示，不用于限定发明的范围。这些新的实施方式可以以其他的各种各样的形态实施，在不超出发明的要旨的范围，能进行各种省略、调换、变更。这些实施方式及其变形涵盖发明的范围和要旨，并且包含在权利要求的范围中记载的发明及其等价物的范围内。
权利要求
1.一种DC-DC转换器，其特征在于，包括: 平滑化电容器，连接在与负载的一端连接的第I输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间，并平滑化输出电压， 扼流线圈，其一端与电池的一端连接， 半导体集成电路，具有与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子、与上述第I输出端子连接的第I电位端子、和与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子，上述半导体集成电路包括: 第I导电型的第IMOS晶体管，其一端与上述第I电位端子连接，其另一端与上述开关端子连接，向其栅极输入第I控制信号， 第2导电型的第2M0S晶体管，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第2电位端子连接， 第I导电型的第3M0S晶体管，其一端与上述第I电位端子连接，其另一端与上述第2M0S晶体管的栅极连接， 第2导电型的第4M0S晶体管，其一端与上述第3M0S晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接， 第2导电型的第5M0S晶体管，其一端与上述第4M0S晶体管的栅极连接，其另一端与上述第2电位端子连接， 第I逆变器，向其输入第2控制信号，其输出与上述第3M0S晶体管的栅极连接， 第2逆变器，向其输入上述第2控制信号，其输出与上述第4M0S晶体管的栅极连接，开关控制电路，通过上述第I控制信号及上述第2控制信号控制上述第IMOS晶体管及上述第2M0S晶体管的工作， 栅控制电路，连接在上述开关端子与上述第2电位端子之间，控制上述第5M0S晶体管的工作。
2.如权利要求1所述的DC-DC转换器，其特征在于， 上述栅控制电路， 在控制上述第2M0S晶体管以限制上述第2M0S晶体管中流动的电流的减少速度时，控制上述第5M0S晶体管导通。
3.如权利要求1所述的DC-DC转换器，其特征在于， 上述栅控制电路包括: 第I电容器，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第5M0S晶体管的栅极连接， 第I电阻元件，连接在上述第I电容器的另一端和上述第2电位端子之间。
4.如权利要求2所述的DC-DC转换器，其特征在于， 上述栅控制电路包括: 第I电容器，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第5M0S晶体管的栅极连接， 第I电阻元件，连接在上述第I电容器的另一端和上述第2电位端子之间。
5.如权利要求1所述的DC-DC转换器，其特征在于， 上述开关控制电路， 通过上述第I控制信号及上述第2控制信号控制上述第IMOS晶体管和上述第2M0S晶体管互补地导通/截止。
6.如权利要求5所述的DC-DC转换器，其特征在于， 上述开关控制电路， 在控制上述第2M0S晶体管从导通到截止之后，控制上述第IMOS晶体管从截止到导通，使贯通电流在上述第IMOS晶体管和上述第2M0S晶体管之间不流动。
7.如权利要求1所述的DC-DC转换器，其特征在于， 在上述第I输出端子和上述第I电位端子之间的布线中存在第I寄生电感器， 在上述第2输出端子和上述第2电位端子之间的布线上存在第2寄生电感器。
8.如权利要求1所述的DC-DC转换器，其特征在于， 上述第I逆变器包括: 第I导电型的第6M0S晶体管，其一端与上述第I电位端子连接，其另一端与上述第3M0S晶体管的栅极连接，向其栅极输入上述第2控制信号， 第2导电型的第7M0S晶体管，其一端与上述第6M0S晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，其栅极与上述第6M0S晶体管的栅极连接， 上述第2逆变器包括: 第I导电型的第8M0S晶体管，其一端与上述第I电位端子连接，其另一端与上述第4M0S晶体管的栅极连接，其栅极与上述第6M0S晶体管的栅极连接， 第2导电型的第9M0 S晶体管，其一端与上述第8M0S晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，其栅极与上述第8M0S晶体管的栅极连接。
9.如权利要求2所述的DC-DC转换器，其特征在于， 上述第I逆变器包括: 第I导电型的第6M0S晶体管，其一端与上述第I电位端子连接，其另一端与上述第3M0S晶体管的栅极连接，向其栅极输入上述第2控制信号， 第2导电型的第7M0S晶体管，其一端与上述第6M0S晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，其栅极与上述第6M0S晶体管的栅极连接， 上述第2逆变器包括: 第I导电型的第8M0S晶体管，其一端与上述第I电位端子连接，其另一端与上述第4M0S晶体管的栅极连接，其栅极与上述第6M0S晶体管的栅极连接， 第2导电型的第9M0S晶体管，其一端与上述第8M0S晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，其栅极与上述第8M0S晶体管的栅极连接。
10.如权利要求1所述的DC-DC转换器，其特征在于， 上述电池的一端是正极， 上述电池的另一端是负极， 上述第1、第3M0S晶体管是PMOS晶体管， 上述第2、第4M0S晶体管是nMOS晶体管。
11.一种半导体集成电路，其特征在于，上述半导体集成电路适用于DC-DC转换器，上述DC-DC转换器包括:平滑化电容器，连接在与负载的一端连接的第I输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间，并平滑化输出电压；扼流线圈，其一端与电池的一端连接；上述半导体集成电路包括: 与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子，与上述第I输出端子连接的第I电位端子， 与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子， 第I导电型的第IMOS晶体管，其一端与上述第I电位端子连接，其另一端与上述开关端子连接，向其栅极输入第I控制信号， 第2导电型的第2M0S晶体管，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第2电位端子连接， 第I导电型的第3M0S晶体管，其一端与上述第I电位端子连接，其另一端与上述第2M0S晶体管的栅极连接， 第2导电型的第4M0S晶体管，其一端与上述第3M0S晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接， 第2导电型的第5M0S晶体管，其一端与上述第4M0S晶体管的栅极连接，其另一端与上述第2电位端子连接， 第I逆变器，向其输入第2控制信号，其输出与上述第3M0S晶体管的栅极连接， 第2逆变器，向其输入上述第2控制信号，其输出与上述第4M0S晶体管的栅极连接，开关控制电路，通过上述第I控制信号及上述第2控制信号控制上述第IMOS晶体管及上述第2M0S晶体管的工作， 栅控制电路，连接在上述开关端子与上述第2电位端子之间，控制上述第5M0S晶体管的工作。
12.如权利要求11所述的半导体集成电路，其特征在于， 上述栅控制电路， 在控制上述第2M0S晶体管以限制上述第2M0S晶体管中流动的电流的减少速度时，控制上述第5M0S晶体管导通。
13.如权利要求11所述的半导体集成电路，其特征在于， 上述栅控制电路包括: 第I电容器，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第5M0S晶体管的栅极连接， 第I电阻元件，连接在上述第I电容器的另一端和上述第2电位端子之间。
14.如权利要求12所述的半导体集成电路，其特征在于， 上述栅控制电路包括: 第I电容器，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第5M0S晶体管的栅极连接， 第I电阻元件，连接在上述第I电容器的另一端和上述第2电位端子之间。
15.如权利要求11所述的半导体集成电路，其特征在于， 上述开关控制电路， 通过上述第I控制信号及上述第2控制信号控制上述第IMOS晶体管和上述第2M0S晶体管互补地导通/截止。
16.如权利要求15所述的半导体集成电路，其特征在于， 上述开关控制电路， 在控制上述第2M0S晶体管从导通到截止之后，控制上述第IMOS晶体管从截止到导通，使贯通电流在上述第IMOS晶体管和上述第2M0S晶体管之间不流动。
17.如权利要求11所述的半导体集成电路，其特征在于，在上述第I输出端子和上述第I电位端子之间的布线中存在第I寄生电感器， 在上述第2输出端子和上述第2电位端子之间的布线上存在第2寄生电感器。
18.如权利要求11所述的半导体集成电路，其特征在于， 上述第I逆变器包括: 第I导电型的第6M0S晶体管，其一端与上述第I电位端子连接，其另一端与上述第3M0S晶体管的栅极连接，向其栅极输入上述第2控制信号， 第2导电型的第7M0S晶体管，其一端与上述第6M0S晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，其栅极与上述第6M0S晶体管的栅极连接， 上述第2逆变器包括: 第I导电型的第8M0S晶体管，其一端与上述第I电位端子连接，其另一端与上述第4M0S晶体管的栅极连接，其栅极与上述第6M0S晶体管的栅极连接， 第2导电型的第9M0S晶体管，其一端与上述第8M0S晶体管的另一端连接，其另一端与上述第2电位端子连接，其栅极与上述第8M0S晶体管的栅极连接。
19.如权利要求11所述的半导体集成电路，其特征在于， 上述电池的一端是正极， 上述电池的另一端是负极， 上述第1、第3M0S晶体管是 PMOS晶体管， 上述第2、第4M0S晶体管是nMOS晶体管。
20.—种半导体集成电路，其特征在于，上述半导体集成电路适用于DC-DC转换器，上述DC-DC转换器包括:平滑化电容器，连接在与负载的一端连接的第I输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间，并平滑化输出电压；扼流线圈，其一端与电池的一端连接；上述半导体集成电路包括: 与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子， 与上述第I输出端子连接的第I电位端子， 与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子， 第I导电型的第IMOS晶体管，其一端与上述第I电位端子连接，其另一端与上述开关端子连接， 第2导电型的第2M0S晶体管，其一端与上述开关端子连接，其另一端与上述第2电位端子连接， 开关控制电路，控制上述第IMOS晶体管和上述第2M0S晶体管互补地导通/截止，栅控制电路，在由上述开关控制电路将上述第2M0S晶体管从导通向截止迁移时，控制上述第2M0S晶体管中流动的电流的减少速度。
全文摘要
公开一种半导体集成电路和DC-DC转换器。DC-DC转换器包括平滑化电容器，连接在与负载的一端连接的第1输出端子和与上述负载的另一端连接的第2输出端子之间，并平滑化输出电压。DC-DC转换器包括扼流线圈，其一端与电池的一端连接。DC-DC转换器包括半导体集成电路，具有与上述扼流线圈的另一端连接的开关端子、与上述第1输出端子连接的第1电位端子、和与上述第2输出端子及上述电池的另一端连接的第2电位端子。
文档编号H02M1/44GK103138539SQ20121005588
公开日2013年6月5日 申请日期2012年3月5日 优先权日2011年12月1日
发明者东海阳一 申请人:株式会社 东芝