1.一种半导体微波加热装置，其特征在于，包括腔体、第一天线及第二天线，该腔体呈长方体状，该腔体的长度为300mm-360mm，宽度为220mm-280mm，高度为66mm-126mm，该腔体的左侧壁开设有第一馈入口，该腔体的右侧壁开设有第二馈入口；
该第一馈入口设置有该第一天线，该第一天线包括第一天线杆，该第一天线杆的馈入端的圆心距该腔体的后面的距离为68mm-78mm，距该腔体的顶面的距离为40mm-50mm，该第一天线杆为圆锥天线；
该第二馈入口设置有该第二天线，该第二天线包括第二天线杆及第三天线杆，该第二天线杆与该第三天线杆垂直连接，该第二天线杆的馈入端的圆心距该腔体的后面的距离为145mm-155mm，距该腔体的顶面的距离为55mm-65mm，该第三天线杆与该腔体的底面平行并指向该腔体的前面板。
2.如权利要求1所述的半导体微波加热装置，其特征在于，该第一天线杆包括馈入段、连接段及发射段，该馈入段包括该馈入端，该连接段连接该馈入段及该发射段，该馈入段与该发射段均呈圆柱状，该发射段的半径大于该馈入段的半径，该连接段呈圆锥台形状且沿该馈入段向该发射段的方向逐渐增大。
3.如权利要求2所述的半导体微波加热装置，其特征在于，该第一天线杆满足以下至少一种条件：该馈入段的直径为2.5mm-3.5mm，长度为10.9mm-11.9mm，该发射段的直径为4.9mm-5.9mm，长度为6.5mm-7.5mm，该连接段的长度为6.5mm-7.5mm。
4.如权利要求2所述的半导体微波加热装置，其特征在于，该第一天线包括与第一天线杆绝缘连接的第一接地板，该第一接地板与该腔体共地并形成有用于供微波传输的第一通孔。
5.如权利要求2所述的半导体微波加热装置，其特征在于，该第一天线杆为一体成型结构。
6.如权利要求1所述的半导体微波加热装置，其特征在于，该半导体微波加热装置包括第一微波源，该第一微波源的功率输出端连接该第一天线杆的馈入端。
7.如权利要求1所述的半导体微波加热装置，其特征在于，该第二天线满足以下至少一种条件：该第二天线杆的长度为7mm-15mm，厚度为1.5mm-4.5mm，该第三天线杆的长度为26mm-34mm，厚度为1.5mm-4.5mm。
8.如权利要求1所述的半导体微波加热装置，其特征在于，该第二天线包括与第二天线杆绝缘连接的第二接地板，该第三天线杆与该第二接地板连接在该第二天线杆的两端，该第二接地板与该腔体共地并形成有用于供微波传输的第二通孔。
9.如权利要求8所述的半导体微波加热装置，其特征在于，该第二天线包括接地天线片，该接地天线片连接该第二接地板与该第三天线杆。
10.如权利要求1所述的半导体微波加热装置，其特征在于，该半导体微波加热装置包括第二微波源，该第二微波源的功率输出端连接该第二天线杆的馈入端。