技术总结
在本发明公开的半导体微波加热装置中，腔体呈长方体状，腔体的长度为300mm‑360mm，宽度为220mm‑280mm，高度为66mm‑126mm，腔体左侧壁开设有第一馈入口，腔体右侧壁开设有第二馈入口。第一馈入口设置有第一天线，第一天线的第一天线杆的馈入端的圆心距腔体的后面的距离为68mm‑78mm，距腔体的顶面的距离为40mm‑50mm，第一天线杆为圆锥天线。第二馈入口设置有第二天线，第二天线的第二天线杆与第二天线的第三天线杆垂直连接，第二天线杆的馈入端的圆心距腔体的后面的距离为145mm‑155mm，距腔体的顶面的距离为55mm‑65mm，第三天线杆与腔体的底面平行并指向腔体的前面板。上述半导体微波加热装置满足上述条件，可在两个馈入口获得较佳的驻波值，第一天线与第二天线的隔离度满足设计要求。
技术研发人员：张斐娜;孙宁;刘民勇;刘建伟;夏然;王轩;贾逾泽;史龙
受保护的技术使用者：广东美的厨房电器制造有限公司;美的集团股份有限公司
文档号码：201610562645
技术研发日：2016.07.13
技术公布日：2016.12.07