芯片电磁屏蔽封装的制作方法

本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及电磁屏蔽装置。

背景技术：

带有集成电路芯片的智能手机或用于其它带有射频组件的产品系统，会产生电磁干扰或遭受到电磁干扰而导致电路功能受到影响。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于，提供芯片电磁屏蔽封装，以解决上述至少一个技术问题。

本实用新型所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：

芯片电磁屏蔽封装，包括一集成电路芯片，所述集成电路芯片安装在一电路板上，其特征在于，所述电路板上固定有一由吸波材料制成的屏蔽墙，所述屏蔽墙围绕所述集成电路芯片设置；

所述屏蔽墙上方覆盖有一导电材料层，所述导电材料层、所述屏蔽墙与所述电路板围成一密闭空腔，所述集成电路芯片设置在所述密闭空腔内。

本实用新型通过吸波材料构成的屏蔽墙，隔离电磁干扰；通过导电材料层对电磁干扰进行反射衰减，采用本实用新型的结构，可以有效的防止电磁干扰，集成电路芯片周围的射频信号被吸波材料隔绝的同时，导电材料层通过在集成电路芯片上方的射频反射损耗为集成电路芯片屏蔽了电磁干扰。

所述导电材料层是由导电复合材料制成的导电材料层。

所述导电材料层是由铝板材构成的导电材料层。既能实现屏蔽电磁干扰的同时，还能实现散热的效果。

所述导电材料层是由导电布构成的导电材料层。实现屏蔽电磁干扰的效果。

所述导电材料层的上表面连接有一由散热材料制成的散热层。

通过散热层实现热扩散，进而避免由集成电路芯片升温而导致的热点。

所述散热层是一由石墨构成的散热层。石墨散热效果好。

所述屏蔽墙呈圆环状或矩形环状。

所述屏蔽墙是由吸波材料经模切制成的屏蔽墙。

作为一种优选方案，所述导电材料层是由铜箔构成的导电材料层，所述导电材料层的厚度为7～15微米；

所述散热层是一石墨片制成的散热层，所述散热层的厚度为20～30微米。

所述散热层的上表面还连接有一PET保护膜，所述PET保护膜的厚度为4～7微米。

经实验证明，采用上述结构，在控制成本的前提下，散热性能优异，且使用寿命长。该种结构适用于智能手机中的集成电路芯片的电磁屏蔽。

所述集成电路芯片上固定有一导热垫，所述导热垫的上方抵住所述导电材料层。便于将集成电路芯片的热量经导电材料层传递出去。该结构更适用于屏蔽墙内设有至少两个集成电路芯片的结构。

所述导电材料层通过一压敏胶与所述吸波机构相连。实现导电材料层与吸波机构形成非导电连接。

所述吸波机构通过一压敏胶连接所述电路板。实现电路板与吸波机构形成非导电连接。

所述导电材料层通过一压敏胶与所述集成电路芯片相连。便于将集成电路芯片的热量经导电材料层传递出去。

所述吸波材料是一射频吸波材料。从而抵抗电磁干扰。

所述屏蔽墙上设有一接地金属层，所述接地金属层的上端连接所述导电材料层，所述接地金属层的下端设有接地端子，所述接地端子连接所述电路板。

进而实现导电材料层电气接地到所述电路板。提高导电材料层的电磁屏蔽效果。

即，所述导电材料层通过所述接地金属层连接所述电路板上的GND端。GND端即为所述电路板上的接地端。所述GND端可以是一设置在电路板上的GND孔。便于通过接地端子插入GND孔实现接地。

所述接地金属层是由导电泡棉材料或者导电橡胶材料制成的接地金属层。接地金属层具有压缩性，通过被压缩可以加强与电路板之间的接地。

所述密闭空腔内设有一接地金属层，所述接地金属层的上端连接所述导电材料层，所述接地金属层的下端设有接地端子，所述接地端子连接所述电路板。实现导电材料层的电气接地。

即，所述导电材料层通过所述接地金属层连接所述电路板上的GND端。GND端即为所述电路板上的接地端。所述GND端可以是一设置在电路板上的GND孔。便于通过接地端子插入GND孔实现接地。

所述接地金属层是螺钉或者套筒。

实现导电材料层电气接地到所述电路板。

附图说明

图1为本实用新型的一种结构示意图；

图2为本实用新型的一种结构示意图；

图3为本实用新型的一种采用图1结构的一种透视图；

图4为本实用新型的另一种结构示意图；

图5为本实用新型的另一种结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示进一步阐述本实用新型。

参见图1、图2、图3、图4、图5，芯片电磁屏蔽封装，包括一集成电路芯片110，集成电路芯片110安装在一电路板120上，电路板120上固定有一由吸波材料制成的屏蔽墙104；屏蔽墙104上方连接有一由导电材料制成的导电材料层102，导电材料层102、屏蔽墙104与电路板120围成一密闭空腔，密闭空腔内容置有集成电路芯片110。本实用新型通过吸波材料构成的屏蔽墙104，隔离电磁干扰；通过导电材料层102对电磁干扰进行反射衰减，采用本实用新型的结构，可以有效的防止电磁干扰，集成电路芯片110周围的射频信号被吸波材料隔绝的同时，导电材料层102通过在集成电路芯片110上方的射频反射损耗为集成电路芯片110屏蔽了电磁干扰。导电材料层的横截面呈一矩形，屏蔽墙的横截面呈一环状矩形，矩形的长度等于环状矩形外环的长度，矩形的宽度等于环状矩形外环的宽度。实现导电材料层覆盖在屏蔽墙的上方。

屏蔽墙104呈圆环状或矩形环状。吸波材料可以选取为3M公司的AB5010R，AB5020R。屏蔽墙是由吸波材料经模切制成的屏蔽墙。

导电材料层102是由铝板材构成的导电材料层102。既能实现屏蔽电磁干扰的同时，还能实现散热的效果。

导电材料层102是由导电布构成的导电材料层102。实现屏蔽电磁干扰的效果。导电材料层102的上表面连接有一由散热材料制成的散热层。通过散热层实现热扩散，进而避免由集成电路芯片110升温而导致的热点。

散热层108是一由石墨构成的散热层108。石墨散热效果好。作为一种优选方案，参见图4，导电材料层102是由铜箔构成的导电材料层102，导电材料层102的厚度为7～15微米；散热层108是一石墨片制成的散热层，散热层的厚度为20～30微米。该种结构适用于智能手机中的集成电路芯片的电磁屏蔽。散热层的上表面还连接有一PET保护膜，PET保护膜的厚度为4～7微米。经实验证明，采用上述结构，在控制成本的前提下，散热性能优异，且使用寿命长。

吸波材料是一射频吸波材料。从而抵抗电磁干扰。吸波材料是胶黏剂。通过吸波材料隔离电磁干扰的同时，还可以实现导电材料层102与电路板120的固定连接。

参见图1、图2，屏蔽墙104上设有一接地金属层106，接地金属层106的上端连接导电材料层102，接地金属层的下端设有接地端子，接地端子连接电路板。进而实现导电材料层电气接地到电路板。提高导电材料层的电磁屏蔽效果。即，电路板120上设有接地线；导电材料层102通过一接地金属层106连接到接地线。进而实现导电材料层102电气接地到电路板120。提高导电材料层102的电磁屏蔽效果。即，导电材料层102通过接地金属层106连接电路板120上的GND端。GND端即为电路板120上的接地端。GND端可以是一设置在电路板120上的GND孔。

接地金属层106是由导电泡棉材料或者导电橡胶材料制成的接地金属层106。接地金属层106具有压缩性，通过被压缩可以加强与电路板120之间的接地。屏蔽墙104上设有一用于固定接地金属层106的缺口。便于实现接地金属层106固定在屏蔽墙104上，且与导电材料层102相连。

密闭空腔内设有一接地金属层，接地金属层的上端连接导电材料层，接地金属层的下端设有接地端子，接地端子连接电路板。接地金属层106是螺钉或者套筒。实现导电材料层102电气接地到电路板120。

参见图5，导电材料层102通过一导热垫422与集成电路芯片110相连。便于将集成电路芯片的热量经导电材料层传递出去。该结构更适用于屏蔽墙内设有至少两个集成电路芯片的结构。接地金属层是套筒420。图5的结构适用于无线电模块的集成电路芯片的电磁屏蔽。导电材料层102通过一压敏胶与集成电路芯片110相连。便于将集成电路芯片110的热量经导电材料层102传递出去。

集成电路芯片包括一由环氧树脂制成的封装壳体，封装壳体的上方设有一用于容置金属镓的凹槽，凹槽内填充有液态金属；集成电路芯片还设有一钢制散热器，钢制散热器包括一钢制盖体，钢制盖体上方设有散热翅片；钢制盖体下方设有热交换金属片；钢制散热器的钢制盖体盖住凹槽，实现密封；热交换金属片插入凹槽内的液态金属中。散热翅片接触连接导电材料层的下表面。液态金属在高温下(如40度以上)，是液态。在需要对芯片进行散热时，完成液态转化。液态的流动性，在上下温差作用下，会产生对流，散热性远远大于固态金属。本专利将液态金属的对流散热，和固态金属制成的散热器相结合，既保证了流体金属强度的热交换性能，又实现了对液态金属的密封，保证了电路的安全性。另外，本专利中特别采用由钢制成的钢制散热器，而不是采用常用的铝质散热器。避免了同相金属的溶解腐蚀。液态金属可以是镓合金。镓合金可以是铟镓合金。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。