一种增强电压缓冲器线性度的电路的制作方法

技术特征：

1.一种增强电压缓冲器线性度的电路，其特征在于，包括电压缓冲器及负载电容C_S，所述电压缓冲器包括第一晶体管M₀、第二晶体管M₁及偏置电流源I；所述第一晶体管M₀的栅极连接输入信号，漏极连接电源电压，源级连接负载电容C_S的输入端以及第二晶体管M₁的漏极；所述第二晶体管M₁的栅极连接固定偏置电压，源级连接偏置电流源I的输入端；偏置电流源I的输入端与负载电容C_S的输出端连接，偏置电流源I的输出端接地。

2.根据权利要求1所述的增强电压缓冲器线性度的电路，其特征在于，所述偏置电流源I的输入端与负载电容C_S的输出端直接连接。

3.根据权利要求1所述的增强电压缓冲器线性度的电路，其特征在于，所述偏置电流源I的输入端与负载电容C_S的输出端之间通过交流耦合电容C_ac连接。

4.根据权利要求1或2或3所述的增强电压缓冲器线性度的电路，其特征在于，所述第一晶体管M₀和第二晶体管M₁为NMOS管。

5.根据权利要求1或2或3所述的增强电压缓冲器线性度的电路，其特征在于，所述第一晶体管M₀和第二晶体管M₁为PMOS管。

6.根据权利要求1或2或3所述的增强电压缓冲器线性度的电路，其特征在于，所述第一晶体管M₀和第二晶体管M₁为双极型晶体管。

7.根据权利要求1或2或3所述的增强电压缓冲器线性度的电路，其特征在于，所述负载电容C_S为采样电容。

8.根据权利要求7所述的增强电压缓冲器线性度的电路，其特征在于，所述负载电容C_S为模数转换器中的采样电容。

9.根据权利要求1或2或3所述的增强电压缓冲器线性度的电路，其特征在于，所述电压缓冲器为集成芯片。