1.一种经微细粗糙化处理的电解铜箔，其具有一微粗糙表面，且所述微粗糙表面具有多个山形结构以及多个相对于所述山形结构的凹陷结构，其特征在于，依据国际标准iso25178所测定多个所述山形结构的算术平均高度与顶点密度的乘积为150000至400000微米/平方毫米，且依据日本工业标准jisb0601-2001所测定多个所述山形结构的算术平均起伏大于0.06微米且小于等于1.5微米。
2.如权利要求1所述的经微细粗糙化处理的电解铜箔，其特征在于，多个所述山形结构的算术平均高度与顶点密度的乘积为240000至350000微米/平方毫米。
3.如权利要求1所述的经微细粗糙化处理的电解铜箔，其特征在于，多个所述山形结构的算术平均起伏大于0.1微米且小于1.5微米。
4.如权利要求1所述的经微细粗糙化处理的电解铜箔，其特征在于，每一所述凹陷结构具有u形剖面轮廓及/或v形剖面轮廓。
5.如权利要求4所述的经微细粗糙化处理的电解铜箔，其特征在于，依据日本工业标准jis94所测定所述微粗糙表面的表面粗糙度小于等于2.3微米。
6.一种覆铜基板，其特征在于，所述覆铜基板包括：
一基板；以及
一经微细粗糙化处理的电解铜箔，所述经微细粗糙化处理的电解铜箔贴附在所述基板的一表面上，且具有一微粗糙表面与所述表面接合，其中所述微粗糙表面具有多个山形结构以及多个相对于所述山形结构的凹陷结构；
其中，依据国际标准iso25178所测定多个所述山形结构的算术平均高度与顶点密度的乘积为150000至400000微米/平方毫米，且依据日本工业标准jisb0601-2001所测定多个所述山形结构的算术平均起伏大于0.06微米且小于等于1.5微米。
7.如权利要求6所述的覆铜基板，其特征在于，多个所述山形结构的算术平均高度与顶点密度的乘积为240000至350000微米/平方毫米。
8.如权利要求6所述的覆铜基板，其特征在于，多个所述山形结构的算术平均起伏大于0.1微米且小于1.5微米。
9.如权利要求6所述的覆铜基板，其特征在于，每一所述凹陷结构具有u形剖面轮廓及/或v形剖面轮廓。
10.如权利要求6所述的覆铜基板，其特征在于，依据日本工业标准jis94所测定所述微粗糙表面的表面粗糙度小于等于2.3微米。
11.如权利要求6所述的覆铜基板，其特征在于，所述基板是由低损耗预浸材料所形成，所述覆铜基板于4ghz的介入损失介于-0.35db/in至-0.41db/in之间，其中，所述基板是由中损耗预浸材料所形成，所述覆铜基板于4ghz的介入损失介于-0.45db/in至-0.49db/in之间。
12.如权利要求6所述的覆铜基板，其特征在于，所述基板是由低损耗预浸材料所形成，所述覆铜基板于8ghz的介入损失介于-0.61db/in至-0.69db/in之间，其中，所述基板是由中损耗预浸材料所形成，所述覆铜基板于8ghz的介入损失介于-0.76db/in至-0.86db/in之间。
13.如权利要求6所述的覆铜基板，其特征在于，所述基板是由低损耗预浸材料所形成，所述覆铜基板于12.89ghz的介入损失介于-0.90db/in至-1.01db/in之间，其中，所述基板是由中损耗预浸材料所形成，所述覆铜基板于12.89ghz的介入损失介于-1.06db/in至-1.30db/in之间。
14.如权利要求6所述的覆铜基板，其特征在于，所述基板是由低损耗预浸材料所形成，所述覆铜基板于16ghz的介入损失介于-1.03db/in至-1.20db/in之间，其中，所述基板是由中损耗预浸材料所形成，所述覆铜基板于16ghz的介入损失介于-1.4db/in至-1.54db/in之间。
15.如权利要求6所述的覆铜基板，其特征在于，所述基板是由低损耗预浸材料所形成，所述基板于10ghz的dk值大于等于3.2且小于等于3.8，且df值大于0.005且小于等于0.010，其中，所述基板是由中损耗预浸材料所形成，所述基板于10ghz的dk值大于等于3.5且小于等于4.0，且df值大于0.010且小于等于0.015。