一种提高铜基板沉镍后镍表面亮度的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于金属基印制线路板制作技术领域，具体涉及一种提高铜基板沉镍后镍表面亮度的制作方法。
【背景技术】
[0002 ]金属基印制线路板是一种特殊的印制线路板，主要有铜基板、招基板、不镑钢基板等不同类型。金属基面在制作过程中须进行特别保护，以避免擦花、药水腐蚀、氧化、脏污等，影响最终成品外观导致客户投诉。为此，金属基面需要做一些特殊的工艺处理，例如铜基面可以做沉镍、沉金、OSP等。现有技术中在对铜基面做沉镍工艺时，由于缺乏有效的处理方法，导致沉镍后镍表面颜色较浅且亮度低无光泽，极其影响美观，所以需对铜基沉镍后镍表面做进一步处理，以提尚其光壳度，改善品质。
【发明内容】
[0003]针对上述现有技术之不足，本发明提供一种可大大提高铜基板沉镍后镍表面亮度的制作方法。
[0004]本发明的目的通过以下技术方案予以实现:
[0005 ] 一种提尚铜基板沉银后银表面壳度的制作方法，包括如下步骤:
[0006](I)铜基板制作成型后单面进行沉镍处理；
[0007](2)将铜基板沉镍面进行化学微蚀；
[0008](3)使用不织布磨刷对经化学微蚀后的铜基板沉镍面进行打磨；
[0009](4)打磨后，再于铜基板沉镍面贴一层保护膜。
[0010]进一步的，步骤(I)中所述铜基板的沉镍处理过程具体为:A、选用光铜板按照要求尺寸开料制作形成铜基板;B、在制作成型的铜基板的四个角各钻一个3.175mm沉镍挂孔;C、于铜基板的其中一个面贴上保护膜;D、于铜基板的另一个面沉镍，镍厚2 5um。
[0011]进一步的，步骤(2)中铜基板沉镍面经化学微蚀后，镍表面变成浅黑色。
[0012]进一步的，步骤(3)中使用不织布磨刷对铜基板沉镍面进行打磨时，只需轻微打磨一次即可。
[0013]与现有技术相比，本发明具有如下优点:
[0014]本发明经过化学微蚀及不织布磨刷打磨，使得铜基板沉镍后镍表面的光亮度比现有技术中铜基板沉镍后镍表面亮度提高3倍以上。
【具体实施方式】
[0015]下面结合实施例对本发明作进一步详细说明。
[00? 0] —种提尚铜基板沉银后银表面壳度的制作方法，包括如下步骤:
[0017](I)铜基板制作成型后单面进行沉镍处理。
[0018](2)将铜基板沉镍面进行化学微蚀，使镍表面变成浅黑色。
[0019](3)使用不织布磨刷对经化学微蚀后的铜基板沉镍面进行打磨。优选的，只需轻微打磨一次，镍表面即变成光亮镍层。
[0020](4)打磨后，再于铜基板沉镍面贴一层保护膜。该保护膜可在后续制程制作时有效保护镍表面不被破坏，以达到最终铜基面为光亮镍的产品。
[0021]优选的，步骤(I)中所述铜基板的沉镍处理过程具体为:A、选用光铜板按照要求尺寸开料制作形成铜基板;B、在制作成型的铜基板的四个角各钻一个3.175mm沉镍挂孔;C、于铜基板的其中一个面贴上保护膜;D、于铜基板的另一个面沉镍，镍厚2 5um。
[0022]以上所述者，仅为本发明的较佳实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范围，即大凡依本发明申请专利范围及发明说明内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明专利涵盖的范围内。
【主权项】
1.一种提高铜基板沉镍后镍表面亮度的制作方法，其特征在于，包括如下步骤: (1)铜基板制作成型后单面进行沉镍处理； (2)将铜基板沉镍面进行化学微蚀； (3)使用不织布磨刷对经化学微蚀后的铜基板沉镍面进行打磨； (4)打磨后，再于铜基板沉镍面贴一层保护膜。2.根据权利要求1所述一种提高铜基板沉镍后镍表面亮度的制作方法，其特征在于，步骤(I)中所述铜基板的沉镍处理过程具体为:A、选用光铜板按照要求尺寸开料制作形成铜基板;B、在制作成型的铜基板的四个角各钻一个3.175_沉镍挂孔;C、于铜基板的其中一个面贴上保护膜;D、于铜基板的另一个面沉镍，镍厚2 5um。3.根据权利要求1所述一种提高铜基板沉镍后镍表面亮度的制作方法，其特征在于，步骤(2)中铜基板沉镍面经化学微蚀后，镍表面变成浅黑色。4.根据权利要求1所述一种提高铜基板沉镍后镍表面亮度的制作方法，其特征在于，步骤(3)中使用不织布磨刷对铜基板沉镍面进行打磨时，只需轻微打磨一次即可。
【专利摘要】本发明涉及一种提高铜基板沉镍后镍表面亮度的制作方法，包括如下步骤：(1)铜基板制作成型后单面进行沉镍处理；(2)将铜基板沉镍面进行化学微蚀；(3)使用不织布磨刷对经化学微蚀后的铜基板沉镍面进行打磨；(4)打磨后，再于铜基板沉镍面贴一层保护膜。本发明通过化学微蚀及不织布磨刷打磨，使得铜基板沉镍后镍表面的光亮度比现有技术中铜基板沉镍后镍表面亮度提高3倍以上。
【IPC分类】H05K3/26
【公开号】CN105611747
【申请号】CN201510964450
【发明人】李仁荣, 朱红
【申请人】景旺电子科技(龙川)有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2015年12月18日