专利名称：固体摄像装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及固体摄像装置，例如涉及被使用于数字照相机、摄像机等的固体摄像装置的像素结构。
背景技术：
以CMOS传感器为代表的固体摄像元件，随着多像素化及对光学尺寸缩小的要求， 像素尺寸逐年变小。例如，近年来，被使用于数字照相机等中的CMOS传感器的像素尺寸为 2μπι 3μπι的程度。若这样的像素尺寸的微细化继续下去，则配置于像素的光电二极管的面积减小。 因此，会发生累积在光电二极管的饱和电子数变少、信号电荷无法充分获取等问题。若信号电荷无法充分获取，则会产生S/N变得恶化、再现画面上的噪声突出等问题。因此，例如，为了增加光电二极管中的饱和电子数，具有通过以四个像素共有一个浮置扩散部(floating diffusion)、从而减少浮置扩散部的数量且增大光电二极管的面积的布局。在像这样的将四个像素设为一个组合单元(unit cell)的四像素一单元的布局中，在中央具有浮置扩散部，浮置扩散部的周围配置有四个像素。在该布局中，与例如以两个像素共有一个浮置扩散部的两像素一单元的布局相比，能够减少浮置扩散部的数量。由此，由于能够增大光电二极管的面积，因此能够增加累积在光电二极管中的饱和电子数。但是，在该四像素一单元的布局中，当从排列于1行的像素读取信号电荷时，会产生由于在读取一个像素的期间无法读取其相邻的像素、因此无法进行高速化的读取动作等问题。
发明内容
本发明是根据上述问题而做出的，其目的在于，提供一种固体摄像装置，能够确保充分的饱和电子数，并且能够进行高速的读取动作。实施方式的固体摄像装置，具有第一像素部，含有光电转换元件；第二像素部， 相对于上述第一像素部配置在行方向，含有光电转换元件；第一传送晶体管，传送由上述第一像素部进行光电转换后的电荷；第二传送晶体管，传送由上述第二像素部进行光电转换后的电荷；第一累积部，配置于上述第一像素部与上述第二像素部之间，累积通过上述第一传送晶体管传送的电荷；第二累积部，配置于上述第一像素部与上述第二像素部之间，累积通过上述第二传送晶体管传送的电荷；元件分离区域，配置于上述第一累积部与上述第二累积部之间，对上述第一累积部与上述第二累积部进行电绝缘；第一放大晶体管，放大与累积在上述第一累积部的电荷相应地产生的电压；第一信号线，输出通过上述第一放大晶体管放大后的信号电压；第二放大晶体管，放大与累积在上述第二累积部的电荷相应地产生的电压；以及第二信号线，输出通过上述第二放大晶体管放大后的信号电压。发明效果
根据上述结构的固体摄像装置，能够确保充分的饱和电子数，并且能够进行高速的读取动作。
图1是基于实施方式的固体摄像装置的电路图。图2是基于实施方式的固体摄像装置的布局图。图3是表示基于实施方式的固体摄像装置中的像素排列的图。图4是沿图2中的IV-IV线的剖视图。图5是比较例的固体摄像装置的布局图。图6是基于实施方式的固体摄像装置的布局图。图7是表示基于比较例的固体摄像装置中的读取动作的时序图。图8是表示基于实施方式的固体摄像装置中的读取动作的时序图。
具体实施例方式下面，参照附图对本发明的实施方式的固体摄像装置进行说明。说明时，对于遍及全图的共通部分，附加了共通的参照符号。一般来说，按照一实施方式，固体摄像装置，具有第一像素部，含有光电转换元件；第二像素部，相对于上述第一像素部配置在行方向，含有光电转换元件；第一传送晶体管，传送由上述第一像素部进行光电转换后的电荷；第二传送晶体管，传送由上述第二像素部进行光电转换后的电荷；第一累积部，配置于上述第一像素部与上述第二像素部之间，累积通过上述第一传送晶体管传送的电荷；第二累积部，配置于上述第一像素部与上述第二像素部之间，累积通过上述第二传送晶体管传送的电荷；元件分离区域，配置于上述第一累积部与上述第二累积部之间，对上述第一累积部与上述第二累积部进行电绝缘；第一放大晶体管，放大与累积在上述第一累积部的电荷相应地产生的电压；第一信号线，输出通过上述第一放大晶体管放大后的信号电压；第二放大晶体管，放大与累积在上述第二累积部的电荷相应地产生的电压；以及第二信号线，输出通过上述第二放大晶体管放大后的信号电压。[1]实施方式[1-1]电路结构首先，对本发明的实施方式的固体摄像装置中的电路结构进行说明。图1为基于实施方式的固体摄像装置的电路图。固体摄像装置如图1所示，具有排列为行列状的多个组合单元11。这里，使用第一组合单元11-1及与该第一组合单元11-1邻接配置的第二组合单元11-2，对电路结构进行说明。组合单元11-1的电路结构为如下所示。组合单元11-1含有多个光电转换元件，例如四个光电二极管PD1-1、PD1-2、 PD1-3、PD1-4，并且含有传送门(transfer gate)(传送晶体管)TG1-1、TG1-2、TG1-3、 TG1-4，放大门(amplifier gate)(放大晶体管)API，复位门(reset gate)(复位晶体管) RS1，以及寻址(address gate)门(寻址晶体管)AD1。
光电二极管PDl-I的阴极经由传送门TGl-I的电流通路而连接到节点FD1。光电二极管PD1-2的阴极经由传送门TG1-2的电流通路而连接到节点FD1。光电二极管PD1-3 的阴极经由传送门TG1-3的电流通路而连接到节点FD1。并且光电二极管PD1-4的阴极经由传送门TG1-4的电流通路而连接到节点FD1。节点FDl相当于下述的浮置扩散部，在传送门TGl-I TG1-4及复位门RSl截止时成为浮置状态。节点FDl连接着放大门APl的栅极与复位门RSl的电流通路的一端。复位门RSl 的电流通路的另一端经由放大门APl的电流通路而连接着寻址门ADl的电流通路的一端。 并且，寻址门ADl的电流通路的另一端连接着信号线SGL1。传送门TGl-U TG1-2、TG1-3、TG1-4的各自的栅极分别连接着读出线RDL1-1、 RDL1-2、RDL1-3、RDL1_4。复位门RSl的栅极连接着复位线RSL1，复位门RSl的电流通路的另一端连接着电源电压线VDL1。并且，寻址门ADl的栅极连接着寻址线ADLl。另外，同样地，组合单元11-2的电路结构如下所示。组合单元11-2含有多个光电转换元件，例如四个光电二极管PD2-1、PD2-2、 PD2-3、PD2-4，并且含有传送门TG2_1、TG2-2、TG2-3、TG2_4，放大门AP2，复位门RS2，以及寻址门AD2。光电二极管PD2-1的阴极经由传送门TG2-1的电流通路而连接到节点FD2。光电二极管PD2-2的阴极经由传送门TG2-2的电流通路而连接到节点FD2。光电二极管PD2-3 的阴极经由传送门TG2-3的电流通路而连接到节点FD2。并且，光电二极管PD2-4的阴极经由传送门TG2-4的电流通路而连接到节点FD2。节点FD2相当于下述的浮置扩散部，在传送门TG2-1 TG2-4及复位门RS2截止时，成为浮置状态。节点FD2连接着放大门AP2的栅极及复位门RS2的电流通路的一端。复位门RS2 的电流通路的另一端经由放大门AP2的电流通路而连接着寻址门AD2的电流通路的一端。 并且，寻址门AD2的电流通路的另一端连接着信号线SGL2。传送门TG2-1、TG2-2、TG2-3、TG2-4的各自的栅极分别连接着读出线RDL2-1、 RDL2-2、RDL2-3、RDL2-4。复位门RS2的栅极连接着复位线RSL2，复位门RS2的电流通路的另一端连接着电源电压线VDL2。并且，寻址门AD2的栅极连接着寻址线ADL2。[1-2]布局结构接着，对本发明的实施方式的固体摄像装置中的布局结构进行说明。图2为表示基于实施方式的固体摄像装置的结构的布局图。固体摄像装置具有如上所述排列为行列状的多个组合单元11。这里也同样使用第一组合单元11-1及与该第一组合单元11-1邻接配置的第二组合单元11-2，对布局进行说明。组合单元11-1含有多个光电转换元件，例如四个光电二极管PD1-1、PD1-2、 PD1-3、PD1_4，并且含有传送门TG1-1、TG1-2、TG1-3、TG1_4，放大门AP1，复位门RS1，寻址门 ADl，以及浮置扩散部(第一累积部)FDl-I、FDl-2。组合单元11-2含有多个光电转换元件，例如四个光电二极管PD2-1、PD2-2、 PD2-3、PD2-4，并且含有传送门TG2-1、TG2_2、TG2-3、TG2_4，放大门AP2，复位门RS2，寻址门AD2，以及浮置扩散部(第二累积部)FD2-l、FD2-2。如图2所示，光电二极管PDl-I PD1-4在列方向上排列。在光电二极管PD1-1 的附近配置有传送门TG1-1，在光电二极管PD1-2的附近配置有传送门TG1-2。并且，在传送门TG1-1、TG1_2的附近配置有浮置扩散部FD1-1。在光电二极管PD1-3的附近配置有传送门TG1-3，在光电二极管PD1-4的附近配置有传送门1-4。在传送门TG1-3、TG1_4的附近配置有浮置扩散部FD1-2。在光电二极管PD1-2与PD1-3之间配置有放大门API、复位门RSl、以及寻址门 ADl。传送门TGl-U TG1-2、TG1-3、TG1-4的各自的栅极分别连接着读出线RDL1-1、 RDL1-2、RDL1-3、RDL1_4。复位门RSl的栅极连接着复位线RSL1，复位门RSl的电流通路的另一端连接着电源电压线VDL1。寻址门ADl的栅极连接着寻址线ADLl。并且，寻址门ADl 的输出端连接着信号线SGLl。同样，光电二极管PD2-1、PD2-2、PD2-3、PD2_4也在列方向上排列。在光电二极管 PD2-1的附近配置有传送门TG2-1，在光电二极管PD2-2的附近配置有传送门TG2-2。并且， 在传送门TG2-l、TG2-2的附近配置有浮置扩散部FD2-1。在光电二极管PD2-3的附近配置有传送门TG2-3，在光电二极管PD2-4的附近配置有传送门TG2-4。在传送门TG2-3、TG2-4的附近配置有浮置扩散部FD2-2。在光电二极管PD2-2与PD2-3之间配置有放大门AP2、复位门RS2、以及寻址门 AD2。传送门TG2-1、TG2-2、TG2-3、TG2-4的各自的栅极分别连接着读出线RDL2-1、 RDL2-2、RDL2-3、RDL2-4。复位门RS2的栅极连接着复位线RSL2，复位门RS2的电流通路的另一端连接着电源电压线VDL2。寻址门AD2的栅极连接着寻址线ADL2。并且寻址门AD2 的输出端连接着信号线SGL2。另外，组合单元11-1与组合单元11-2排列为，在行方向上邻接，并且在列方向上错开两个光电二极管O像素)。也就是说，在组合单元11-1包含的光电二极管PD1-1、 PD1-2的行方向上，分别配置有组合单元11-2的光电二极管PD2-3、PD2-4。浮置扩散部FDl-I、FD2-2以被光电二极管PD1_1、PD1-2、PD2-3、PD2_4包围的方式进行配置。并且，在浮置扩散部FDl-I与FD2-2之间形成元件分离区域12、例如STI (fallow Trench Isolation，浅槽隔离)或ρ型半导体区域，浮置扩散部FDl-I与FD2-2被电绝缘。在光电二极管PDl-I与浮置扩散部FDl-I之间配置有传送门TGl-I，在光电二极管 PD1-2与浮置扩散部FDl-I之间配置有传送门TG1-2。在光电二极管PD2-3与浮置扩散部FD2-2之间配置有传送门TG2-3，在光电二极管 PD2-4与浮置扩散部FD2-2之间配置有传送门TG2-4。并且，固体摄像装置形成为，在行方向与列方向上排列有多个上述组合单元11-1 与组合单元11-2。图3中表示具有上述布局结构的固体摄像装置中的滤色器的排列。在组合单元 11-1的光电二极管PDl-I、PD1-2、PD1-3、PD1-4上及组合单元11-2的光电二极管PD2-1、 PD2-2、PD2-3、PD2-4上，如图3所示，分别配置有R(红)、G (绿)、G (绿)、B (蓝)的滤色器。如此，固体摄像装置中的滤色器的排列成为拜耳阵列(Bayer array)。
在本实施方式的布局结构中，将列方向上排列的四个像素(四个光电二极管)作为一个组合单元(四像素一单元)，将该四像素一单元每两个像素沿列方向错开地配置于行方向上。并且，通过元件分离区域将四像素所包围的浮置扩散部划分为两个部分，将各个浮置扩散部分配到不同的组合单元。通过以四像素共有一个浮置扩散部，与对1 3个像素设置一个浮置扩散部的情况相比，能够增大光电二极管的面积。因此，能够确保累积在光电二极管中的饱和电子数。[1-3]像素部的剖面结构接着，对本发明的实施方式的固体摄像装置中的像素部的剖面结构进行说明。图4为沿图2中的IV-IV线的剖视图，表示光电二极管、传送门、浮置扩散部、及元件分离区域的剖面结构。如图4所示，在半导体衬底(例如，ρ型半导体衬底)21上形成有η型半导体层 (例如，外延层)22。在η型半导体层22的周围形成有元件分离层23，例如STI (Shallow Trench Isolation)或ρ型半导体层。在η型半导体层22上，分别隔离地形成有构成两个光电二极管PD1_2、PD2-3的 η型半导体区域24Α、24Β。在η型半导体区域24Α、24Β之间形成有构成两个传送门TG1-2、 TG2-3的栅极电极25Α、25Β。栅极电极25Α、25Β与η型半导体层22之间分别形成有栅极绝缘膜 26Α、26Β。在栅极电极25Α、25Β间的η型半导体层22上，形成有浮置扩散部FD1-1、FD2-2。 浮置扩散部FDl-l、FD2-2由η+型半导体区域构成。并且，在浮置扩散部FDl-I与FD2-2之间形成有元件分离区域12。元件分离区域 12例如由STI或ρ型半导体区域构成。并且，构成像素部的剖面结构的各半导体部件的导电型不限于上述导电型，可以使用其他导电型。[1-4]读取动作接着，对实施方式的固体摄像装置中的读取动作进行说明。在固体摄像装置的多个排列为行列状的像素中，按每行进行多个像素的读取。艮口， 对每个排列有多个光电二极管的1行，进行来自光电二极管的电荷的传送动作。这里，对来自配置于第1行的光电二极管PDl-l、PD2-3的读取动作与来自配置于接续第1行的第2行的光电二极管PDl-2、PD2-4的读取动作进行说明。来自配置于第1行的光电二极管PD1-1、PD2_3的读取如下所示。首先，在信号累积期间，使传送门TGl-I、TG1-2、TG2-3、TG2_4处于截止状态时，将电荷累积到光电二极管PD1-1、PD2-3、PD1-2、PD2_4。接着，使传送门TGl-I导通，从而将累积在光电二极管PDl-I的电子传送到浮置扩散部FD1-1。此时，导通传送门TGl-I的同时，使传送门TG2-3导通，将累积在光电二极管 PD2-3的电子传送到浮置扩散部FD2-2。为了使传送门TG1_1、TG2_3处于截止状态，向栅极施加OV或者负电压，为了使传送门TGl-l、TG2-3处于导通状态，向栅极施加例如3. 5V的正电压。传送到浮置扩散部FDl-I的信号电荷通过放大门APl放大，经过寻址门ADl而输出到信号线SGLl。与此同时，传送到浮置扩散部FD2-2的信号电荷通过放大门AP2放大，经过寻址门AD2而输出到信号线SGL2。即，放大门APl对与传送到浮置扩散部FDl-I的信号电荷相应地产生的电压进行放大，并作为信号电压输出到信号线SGLl。同样地，放大门AP2对与传送到浮置扩散部 FD2-2的信号电荷相应地产生的电压进行放大，并作为信号电压输出到信号线SGL2。寻址门AD1、AD2根据分别输入到寻址线ADL1、ADL2的寻址信号而导通或截止，从而控制向信号线SGL1、SGL2的信号电压的输出。这样，由于同时并行地进行配置于同一行的光电二极管PD1-1、PD2-3的读取，因此，通过1次的读取就能够使排列在一行的像素的读取动作完成。接着，配置于第2行的光电二极管PD1-2、PD2_4的读取如下所示。使复位门RSl、RS2导通，对浮置扩散部FD1-1、FD2-2的信号电荷分别复位。艮口， 使浮置扩散部FD1-1、FD2-2的电位为电源电压VDD。并且，释放累积在光电二极管PD1-2、 PD2-4及其他光电二极管中的电子。其次，在信号累积期间，使传送门TGl-I、TGl-2、TG2-3、TG2-4处于截止状态，向光电二极管 PD1-1、PD2-3、PD1-2、PD2_4 中累积电荷。接着，使传送门TG1-2导通，从而将累积在光电二极管PD1-2的电子传送到浮置扩散部FD1-1。此时，在使传送门TG1-2导通的同时，使传送门TG2-4导通，将累积在光电二极管PD2-4的电子传送到浮置扩散部FD2-2。为了使传送门TG1-2、TG2-4为截止状态，向栅极施加OV或是负电压，为了使传送门TGl-2、TG2-4为导通状态，向栅极施加例如3. 5V的正电压。传送到浮置扩散部FDl-I的信号电荷通过放大门APl进行放大，并经过寻址门ADl 而输出到信号线SGL1。与此同时，传送到浮置扩散部FD2-2的信号电荷通过放大门AP2进行放大，并经过寻址门AD2而输出到信号线SGL2。即，放大门APl对与传送到浮置扩散部FDl-I的信号电荷相应地产生的电压进行放大，并作为信号电压输出到信号线SGLl。同样地，放大门AP2对与传送到浮置扩散部 FD2-2的信号电荷相应地产生的电压进行放大，并作为信号电压输出到信号线SGL2。寻址门AD1、AD2根据分别输入到寻址线ADL1、ADL2的寻址信号而导通或截止，从而控制向信号线SGL1、SGL2的信号电压的输出。在固体摄像装置的多个排列为行列状的像素中，按每行进行多个像素的读取。在本实施方式中，与将累积在光电二极管PDl-I (或PD1-2)的电子传送到浮置扩散部FDl-I 并行地，将累积在光电二极管PD2-3(或PD2-4)的电子传送到浮置扩散部FD2-2。由此，能够并行地进行对累积在光电二极管PDl-I (或PD1-2)的电子的检测、与对累积在光电二极管PD2-3(或PD2-4)的电子的检测。由此，在从排列于1行的像素中读取电荷时，能够通过 1次的读取而使读取动作完成，从而实现高速动作。下面，与比较例进行对比地对本实施方式中的读取动作的高速化进行说明。图5 为比较例的布局图，图7为表示比较例的读取动作的时序图。图6为本实施方式的布局图， 图8为表示本实施方式的读取动作的时序图。比较例的固体摄像装置如图5所示，在同一行配置有光电二极管A、B。光电二极管A经由传送门TG10-1连接到浮置扩散部FD10。光电二极管B经由传送门TG10-2连接到浮置扩散部F10。即，光电二极管A、B连接着共通的浮置扩散部FD10。并且，浮置扩散部FDlO经由放大门APlO连接到信号线SGLlO。在具有上述结构的比较例中，累积在光电二极管A、B的电荷利用共通的浮置扩散部FDlO及放大门APlO被读出到信号线SGLlO。因此，为了将累积在光电二极管A、B的电荷分别读出，需要读取2次。S卩，如图7所示，利用第1次的读取来读取累积在光电二极管 A的电荷，接着利用第2次的读取来读取累积在光电二极管B的电荷。与此相反，本实施方式中，利用浮置扩散部FDl-I及放大门APl将累积在光电二极管A’的电荷读出到信号线SGL1。并且，利用浮置扩散部FD2-2及放大门AP2将累积在光电二极管B’的电荷读出到信号线SGL2。因此，能够同时并行地进行累积在光电二极管A’、B’的电荷的读取。S卩，如图8所示，通过1次读取能够将累积在光电二极管A’、B’的电荷分别读出。因此，本实施方式中， 能够以与比较例相比2倍的速度进行读取。[1-5]效果本实施方式中，通过以四像素(四个光电二极管)共有一个浮置扩散部，与对1 3个像素设置一个浮置扩散部的情况相比，能够增大光电二极管的面积。由此，能够确保累积在光电二极管的饱和电子数。通过元件分离区域将浮置扩散部划分为两个部分，将各个浮置扩散部分配于不同的组合单元，从而能够将累积于同一行的相邻光电二极管的电子同时读出到不同的浮置扩散部。将排列在列方向的四像素设为一个组合单元(四像素一单元)，通过将该四像素一单元每两个像素沿列方向错开地配置于行方向上，从而能够通过分别上下配置的放大门检测被划分为两部分的浮置扩散部中的电压振幅。由此，能够通过1次的读取从而读出一行的像素。由上所述，即使缩小像素的尺寸，也能够确保累积在光电二极管的饱和电子数，并且能够高速地进行读取动作。根据上述本发明的实施方式，能够解决在缩小像素尺寸时无法取得足够的饱和电子数的问题，并且能够解决在使共有浮置扩散部的像素个数增加时不能够高速动作的问题。即，即使在缩小像素尺寸的情况下，也能够确保足够的饱和电子数(信号电荷)，并且也能够应对高速动作。根据本实施方式，能够提供一种固体摄像装置，能够确保足够的饱和电子数，并且能够进行高速的读取动作。虽然已对特定的实施方式进行了说明，但是这些实施方式只是本发明的示例，并不以这些实施方式来限定本发明。实际上，在此说明的这些方法和系统可以有各种其他形式，并且能够在不脱离本发明的精神的情况下，进行各种方法和系统的构成要素的省略、替代以及变更。被所附的要求保护的技术方案及其等同的技术方案所覆盖的上述的方式以及变形落入本发明的范围内。
权利要求
1.一种固体摄像装置，其特征在于，具有 第一像素部，含有光电转换元件；第二像素部，相对于所述第一像素部配置在行方向，含有光电转换元件； 第一传送晶体管，传送由所述第一像素部进行光电转换后的电荷； 第二传送晶体管，传送由所述第二像素部进行光电转换后的电荷； 第一累积部，配置于所述第一像素部与所述第二像素部之间，累积通过所述第一传送晶体管传送的电荷；第二累积部，配置于所述第一像素部与所述第二像素部之间，累积通过所述第二传送晶体管传送的电荷；元件分离区域，配置于所述第一累积部与所述第二累积部之间，使所述第一累积部与所述第二累积部电绝缘；第一放大晶体管，放大与累积在所述第一累积部的电荷相应地产生的电压； 第一信号线，输出通过所述第一放大晶体管放大后的信号电压； 第二放大晶体管，放大与累积在所述第二累积部的电荷相应地产生的电压；以及第二信号线，输出通过所述第二放大晶体管放大后的信号电压。
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，所述第一像素部具有排列在列方向上的多个第一像素，所述第一像素分别含有光电转换元件，通过所述第一像素、所述第一传送晶体管、第一累积部、及第一放大晶体管构成第一组合单元，所述第二像素部具有排列在列方向上的多个第二像素，所述第二像素分别含有光电转换元件，通过所述第二像素、所述第二传送晶体管、第二累积部、及第二放大晶体管构成第二组合单元，所述第一组合单元与所述第二组合单元在行方向上相互邻接地配置，所述第二组合单元相对于所述第一组合单元在列方向上错开多个像素。
3.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，所述第一像素部具有在列方向上依次排列且分别包含光电转换元件的第一像素、第二像素、第三像素、第四像素，通过所述第一像素、所述第二像素、所述第三像素、所述第四像素、所述第一传送晶体管、第一累积部、及第一放大晶体管构成第一组合单元，所述第二像素部具有在列方向上依次排列且分别包含光电转换元件的第五像素、第六像素、第七像素、第八像素，通过所述第五像素、所述第六像素、所述第七像素、所述第八像素、所述第二传送晶体管、第二累积部、及第二放大晶体管构成第二组合单元，所述第一组合单元与所述第二组合单元在行方向上相互邻接地配置，所述第二组合单元相对于所述第一组合单元在列方向上错开两个像素。
4.根据权利要求3所述的固体摄像装置，其特征在于，所述第一像素部包含的所述第一像素与所述第二像素部包含的所述第六像素配置于同一行，在读取动作时，通过所述第一像素及所述第六像素而被光电转换后的电荷被同时分别传送到所述第一累积部及所述第二累积部，传送到所述第一累积部及所述第二累积部的所述电荷分别通过所述第一信号线及所述第二信号线被同时输出。
5.根据权利要求3所述的固体摄像装置，其特征在于，所述第一放大晶体管配置于所述第二像素与所述第三像素之间，所述第二放大晶体管配置于所述第六像素与所述第七像素之间。
6.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，在读出动作时，通过所述第一像素部及所述第二像素部而被光电转换后的电荷被同时分别传送到所述第一累积部及所述第二累积部，传送到所述第一累积部及所述第二累积部的所述电荷分别通过所述第一信号线及所述第二信号线被同时输出。
7.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，所述元件分离区域由STI浅槽隔离或半导体区域中的某一个形成。
8.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，所述第一累积部、所述第二累积部由第一导电型的半导体区域形成，所述元件分离区域由第二导电型的半导体区域形成。
9.根据权利要求2所述的固体摄像装置，其特征在于，所述第一像素、所述第二像素各自构成包含2个绿滤色器、1个红滤色器、1个蓝滤色器的拜耳阵列。
10.根据权利要求2所述的固体摄像装置，其特征在于，所述第一累积部、所述第二累积部被多个所述第一像素包含的两个像素及多个所述第二像素包含的两个像素所包围。
11.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于， 所述第一传送晶体管配置于所述第一像素部包含的所述光电转换元件、与所述第一累积部之间，所述第二传送晶体管配置于所述第二像素部包含的所述光电转换元件、与所述第二累积部之间。
12.根据权利要求2所述的固体摄像装置，其特征在于，所述第一组合单元与所述第二组合单元在行方向与列方向上排列有多个。
全文摘要
固体摄像装置，具有第一像素部，含有光电转换元件；第二像素部，含有光电转换元件；第一传送晶体管，传送由所述第一像素部进行光电转换后的电荷；第二传送晶体管，传送由所述第二像素部进行光电转换后的电荷；第一累积部，累积通过所述第一传送晶体管传送的电荷；第二累积部，累积通过所述第二传送晶体管传送的电荷；元件分离区域，对所述第一累积部与所述第二累积部进行电绝缘；第一放大晶体管，放大与累积在所述第一累积部的电荷相应地产生的电压；第一信号线，输出通过所述第一放大晶体管放大的信号电压；第二放大晶体管，放大与累积在所述第二累积部的电荷相对应地产生的电压；以及第二信号线，输出通过所述第二放大晶体管放大的信号电压。
文档编号H04N5/374GK102202188SQ20111007197
公开日2011年9月28日 申请日期2011年3月18日 优先权日2010年3月23日
发明者前田基宏, 山下浩史, 田中长孝 申请人:株式会社东芝