专利名称：半导体功率组件的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体功率器件应用技术领域。
背景技术：
半导体功率器件在高频、脉冲应用时会产生高频电磁辐射干扰，功率器件高压部分导体 与外部连通的导体面积越大，高频电磁辐射干扰就越严重，所以功率器件的导体与散热器之 间须有绝缘，但绝缘会降低功率器件的热传导率，则功率器件温度上升，功率器件的使用功 率与温度成反比，特别是在短时重载高发热时如不能将管芯的热量及时散出则会过温烧毁功 率器件。现有的半导体功率器件的散热安装结构，都是将半导体功率器件直接加贴绝缘片后 与散热器相互贴紧安装，因半导体功率器件的金属底座面积小，因此半导体功率器件与散热 器之间的热阻显得过大，没有充分发挥半导体功率器件的能力。有的在使用时为了使功率器 件管芯温度不过高，选用同样半导体管芯但面积更大更容易散热的大封装，不过成本上升了 很多。
发明内容
本发明提供的半导体功率散热器组件，它所要解决的是现有技术中的半导体功率器件与 散热器之间热阻过大的问题。
为了解决上述问题，本发明所采用的技术方案是它包括有半导体功率元件、绝缘片和 散热器，所述半导体功率元件依次通过导热板、所述绝缘片与所述散热器连接，所述导热板 为面积大于所述半导体功率元件金属散热面面积、小于所述散热器面积的金属板。
上述的半导体功率元件、导热板、绝缘片和散热器一般是通过螺栓来连接，所述导热板 的连接螺栓孔为一端大、另一端小的扩张孔。
上述螺栓与所述半导体功率元件和导热板之间还可以装有绝缘套。
由于采用了上述方案，本发明与现有技术相比具有以下有益效果
半体功率器件与散热器之间的热阻大大减小，半导体功率器件管芯温升小，充分了发挥 半导体功率器件的能力，负载能力更强。在满足温升的情况下，可以选用同一规格的半导体 管芯但价格便宜的小封装，降低了成本。
图l是本发明实施例一的结构示意图。
图2是本发明实施例二的结构示意图。
具体实施例方式
图l所示的实施例中，半导体功率元件1为T0-247封装的半导体元件，在半导体功率元件 l的散热安装面上直接贴装有铝合金材料制作的、其面积大于半导体功率元件l的金属散热面 面积、小于散热器4面积的导热板2，在导热板2的下面是云母片材制作的绝缘片3，在绝缘片 3之下为散热器4，上述半导体功率元件l、导热板2、绝缘片3和散热器4通过螺栓5连接，其 中导热板2的连接螺栓孔是两端为圆柱形、中间为锥形的扩张孔，由于T(^247封装的半导体 元件在安装孔为绝缘材料，因此只需在绝缘片3以上的导热板2的螺栓孔中安装绝缘套7即可 使半导体功率元件1与散热器4相对绝缘。
图2所示的实施例中，半导体功率元件ll为TO-220封装的半导体元件，在半导体功率元 件l 1的散热安装面上直接贴装有铝合金材料制作的、其面积大于半导体功率元件l 1的金属散 热面面积、小于散热器14面积的导热板12，在导热板12的下面是云母片材制作的绝缘片13, 在绝缘片13之下为散热器14,上述半导体功率元件ll、导热板12、绝缘片13和散热器14通过 螺栓15连接，其中导热板2的连接螺栓孔是两端为圆柱形、中间为锥形的扩张孔，由于 TO-220封装的半导体元件安装孔为导电材料，因此需要在绝缘片13以上的导热板12的螺栓孔 中和半导体功率元件ll的安装孔中安装"T"形的绝缘套17即可使半导体功率元件11与散热 器14相对绝缘。
当然，在安装时半导体功率元件的金属底座与导热板之间应该加入导热硅脂。
权利要求
1.一种半导体功率组件，它包括有半导体功率元件、绝缘片和散热器，其特征在于所述半导体功率元件依次通过导热板、所述绝缘片与所述散热器连接，所述导热板为面积大于所述半导体功率元件金属散热面面积、小于所述散热器面积的金属板。
全文摘要
本发明公开了一种半导体功率组件，涉及半导体功率器件应用技术领域，它包括有半导体功率元件、绝缘片和散热器，所述半导体功率元件依次通过导热板、所述绝缘片与所述散热器连接，所述导热板为面积大于所述半导体功率元件金属散热面面积、小于所述散热器面积的金属板。它与现有的半导体功率组件相比，可以解决半导体功率器件与散热器之间热阻过大的问题。
文档编号H05K7/20GK101101895SQ20061020065
公开日2008年1月9日 申请日期2006年7月4日 优先权日2006年7月4日
发明者欧振忠 申请人:欧 坚