专利名称：单晶炉副室清洁杆的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种用于清洁单晶炉副室的装置。
背景技术：
提拉法晶体生长方法是获取单晶的主要方法之一。它的工作原理是，首先将原料 熔化，然后在合适的温度下将籽晶从上面接触到熔体的液面，然后将籽晶慢慢上拉。在晶体 上拉的同时控制熔体的温度，熔体在籽晶下面不断凝固，形成晶体并不断从液面拉出。单晶 炉是目前提拉法晶体生长中最重要的设备，用单晶炉来拉制晶体，单晶生长速度快，容易实 现人工控制，因此获得了广泛的应用。 现有单晶炉的结构如图1所示，其主要由副室A和主室B组成。主室B为硅原料 的加热反应室，副室A内设置有用于提升单晶的装置，在整个单晶炉中主要起到单晶棒行 程通道的作用。拉晶过程中需要向副室A通入氩气，氩气携带着反应的挥发物顺着副室A 向下运动，最后通过主室B的排气管道排出。由于夹杂着挥发物的气体不可能完全沿单晶 炉设计的方向流动，挥发物会逐渐在副室A的炉膛内壁沉积，并有可能会掉入融硅中，造成 拉晶过程中因吃渣引起的单晶"断棱"现象。所述"断棱"是单晶拉制中长晶过程被外力中 断的俗称，一旦断棱，产品合格率大大降低。 由于单晶炉的其他部件均可在清炉过程中用酒精、无尘布等彻底清洁，基本上不 存在外部杂质，但由于副室A的高度高于地面2 5米，且整个副室A炉膛长有2. 5米左右， 直径约有30cm，在清炉的过程中很难覆盖到，所以副室1内壁包含杂质，成为造成单晶"断 棱"的主要原因。
实用新型内容针对现有单晶炉在清炉的过程中很难清洁到副室内壁的问题，申请人进行了研究 改进，提供一种单晶炉副室清洁杆，可有效对副室的炉膛内壁进行清洁，从而避免吃渣后单 晶断棱现象的发生，提高产品合格率。 本实用新型的技术方案如下 —种单晶炉副室清洁杆，包括杆柄以及与其一端连接的杆头，所述杆头由杆头支 架以及被杆头支架支撑的圆环组成，所述杆柄与杆头支架连接。 其进一步的技术方案是所述杆头支架为十字形，所述杆柄与十字形杆头支架的 中心固定连接。
以及，其进一步的技术方案是所述杆柄是中空的。
本实用新型的有益技术效果是 本实用新型可有效地对单晶炉副室的内壁进行清洁。清炉的时候，在本实用新型 的杆头上包裹蘸取酒精的不会掉毛的丝光毛巾，人手持杆柄对副室内壁进行上下清洁，并 旋转杆柄以清洁内壁的各个角度，最后在杆头上包裹蘸取酒精的无尘纸做最后检查，若无 尘纸不粘灰，则确认清洁完毕。 使用本实用新型清洁后的单晶炉可减少因吃渣引起的单晶"断棱"情况，将产品合
3格率提高了数个点。经过20炉的连续试验，在其他工艺没有改动的情况下，产品平均合格 率比未清洁前提高5% ;长期坚持使用，产品平均合格率可提高2 3%。
图1是现有单晶炉的结构示意图。 图2是本实用新型的主视图。 图3是图2的俯视图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式
做进一步说明。 图2至图3示出了本实用新型的一个实施例。如图2至图3所示，本实用新型包 括杆柄1以及与其一端连接的杆头2，杆头2由一个十字形支架3以及被十字形支架3支撑 的圆环4焊接组成，杆柄1与十字形支架3的中心焊接连接。所述杆柄1以及杆头2是中 空的，不但轻便，还可节约材料，降低生产成本。 本实用新型成品后的规格要求如下整体高度要求达到人高举时可达到副室1的 顶部，杆头部圆环4的直径要略小于副室1内壁的直径。 使用方法如下清炉的时候，在杆头2的圆环4上包裹上数块已经蘸取酒精的不会 掉毛的丝光毛巾，人手持杆柄l对副室内壁进行上下清洁，并旋转杆柄以清洁内壁的各个 角度，最后在杆头2的圆环4上包裹数块已经蘸取酒精的无尘纸做最后检查，若无尘纸不粘 灰，则确认清洁完毕。
权利要求一种单晶炉副室清洁杆，其特征在于包括杆柄以及与其一端连接的杆头，所述杆头由杆头支架以及被杆头支架支撑的圆环组成，所述杆柄与杆头支架连接。
2. 根据权利要求l所述单晶炉副室清洁杆，其特征在于所述杆头支架为十字形，所述 杆柄与十字形杆头支架的中心固定连接。
3. 根据权利要求1或2所述单晶炉副室清洁杆，其特征在于所述杆柄是中空的。
专利摘要一种单晶炉副室清洁杆，包括杆柄以及与其一端连接的杆头，所述杆头由杆头支架以及被杆头支架支撑的圆环组成，所述杆柄与杆头支架连接。所述杆头支架为十字形，所述杆柄与十字形杆头支架的中心固定连接。所述杆柄是中空的。本实用新型可以有效地对副室的炉膛内壁进行清扫，从而避免因吃渣引起单晶“断棱”现象的发生，提高产品的合格率。
文档编号C30B35/00GK201530876SQ20092025652
公开日2010年7月21日 申请日期2009年11月10日 优先权日2009年11月10日
发明者俞振明, 杨乐, 袁仲明 申请人:高佳太阳能股份有限公司