专利名称：切割元件的方法和系统的制作方法
切割元件的方法和系统
背景技术：
某些系统需要检测、扫描、检验和修复例如在电子电路和/或其相关产品的制造 过程中，例如，在印刷电路板(PCB)的制造过程中形成的缺陷。例如，在镀铜处理，即，在将 导电铜板施加到PCB板上的处理中可能形成这种缺陷。一种常见的缺陷是在镀铜期间形成一个或多个铜元件。铜元件可由在镀铜处理期 间被不合需要地形成、释出并且施加到PCB上的铜块构成。铜元件可能粘附于被施加到PCB 上的两个铜板上，在两个铜板之间形成不希望的电连接。某些系统例如通过例如借助于激光来扫描铜元件的大体位置并且切割/修整铜 元件，来去除这种铜元件。采用现有技术的系统在仅给切割引擎提供铜元件的几何属性的部分信息的同时 执行铜元件的扫描和切割/修整，导致低效的铜元件去除，以及不令人满意的去除质量。
发明内容
可以提供一种系统。根据本发明的实施例，该系统可以包括(a)分析器，被配置 成(a. i)接收或产生关于短路间隔开的导体的导电材料元件的三维几何属性的信息，和 (a. ii)基于将要在修复处理过程中被系统去除的导电材料的量，来定义元件切割方案，一 旦应用所述修复处理，就防止所述元件短路所述间隔开的导体；(b)元件定位器，被配置成 定位所述元件；和(c)去除元件，用于应用所述元件切割方案。所述分析器可被配置成定义所述元件切割方案，使得将被该系统去除的导电材料 的量被最小化。所述分析器可被配置成定义所述元件切割方案，使得对印刷电路板的损伤量被最 小化。所述分析器可被配置成定义所述元件切割方案，使得对所述间隔开的导体(经由 所述元件电连接)的损伤量被最小化。所述分析器可被配置成定义所述元件切割方案，使得对印刷电路板的损伤量被降 低到允许的损伤阈值以下，并且使得将要被去除的导电材料的量被降低到一个导电材料阈 值以下。该系统可以包括多个去除元件，所述多个去除元件可以包括至少一个激光去除元 件和至少一个机械去除元件。该分析器可被配置成从所述多个去除元件中选择将在应用所 述元件去除方案时使用的至少一个去除元件。该选择是对所述至少一个所选去除元件对所 述导电材料的去除所导致的损伤量的响应。该系统可以包括修复站和检查站。所述检查站可被配置成产生关于元件的三维几 何属性的信息。所述修复站可以包括所述元件定位器和所述去除元件。修复站和检查站中 的至少一个站可以包括所述分析器的至少一部分。该系统可以包括作为激光引擎的去除元件，其中该激光引擎被配置成在所述元件 的最窄并且具有最小高度的区域对该元件执行初始切割，并且对所述元件的剩余部分执行附加修整。可以提供一种方法。根据本发明的实施例，该方法可以包括(i)接收或产生关于 短路间隔开的导体的元件的三维几何属性的信息；(ii)基于将要在修复处理过程中被系 统去除的导电材料的量，来定义元件切割方案，一旦应用所述修复处理，就防止所述元件短 路所述间隔开的导体；(iii)定位所述元件；和(iv)由至少一个去除元件来应用所述元件 切割方案。该方法可以包括定义所述元件切割方案，使得将要被该方法去除的导电材料的量 被最小化。该方法可以包括定义所述元件切割方案，使得对印刷电路板的损伤量被最小化。该方法可以包括定义所述元件切割方案，使得对印刷电路板的损伤量被降低到允 许的损伤阈值以下，并且使得将要被去除的导电材料的量被降低到一个导电材料阈值以 下。该方法可以包括从多个去除元件中选择将在应用所述元件去除方案时使用的至 少一个去除元件，所述多个去除元件包括激光去除元件和机械去除元件。该方法可以包括从多个去除元件中选择将在应用所述元件去除方案时使用的至 少一个去除元件，所述多个去除元件包括激光去除元件和机械去除元件；其中，所述选择是 对所述至少一个所选去除元件的元件去除所导致的损伤量的响应。可以提供一种系统。根据本发明的实施例，该系统可以包括检查站，被配置成产 生关于由导电材料形成的元件的三维几何属性的信息；和修复站，被配置成接收关于所述 元件的三维几何属性的信息，检验所述元件的位置，并且去除所述元件的至少一部分。所述 检查站可以包括三维传感器，并且可以包括处理器，该处理器可以处理由所述三维传感器 产生的检测信号，以产生三维几何属性。所述修复站可以包括多个机械去除元件，并且其中，所述修复站被配置成响应于 下列中的至少一个参数来选择机械去除元件所述元件的导电材料的强度、应当去除所述 元件的多少导电材料、以及与所述元件的至少一部分的去除有关的预期损伤。所述修复站可以包括被配置成去除所述元件的至少一部分的激光引擎，其中，所 述修复站被配置成在所述元件最窄并且具有最小高度的区域对所述元件执行初始切割；然 后对所述元件的其余部分执行附加修整。所述检查站和修复站中的至少一个站可被配置成基于将要在修复处理过程中被 系统去除的导电材料的量，来参与元件切割方案的定义，一旦应用修复处理，就防止所述元 件短路所述间隔开的导体；并且其中，所述修复站被配置成应用所述元件切割方案。所述检查站和修复站中的至少一个站可被配置成参与元件切割方案的定义，使得 将要被系统去除的导电材料的量被最小化。
将参考附图仅以实例的方式描述本发明的细节、方面和实施例。图1示意地示出了根据本发明实施例的系统的方框图；图2示意地示出了根据本发明的实施例，粘附于两个铜导体的铜元件以及期望钻 孔位置；
图3示意地示出了根据本发明的实施例，粘附于两个铜导体的铜元件以及两个可 能的受损区域；图4示意地示出了根据本发明的实施例，粘附于两个铜导体的铜元件以及期望钻 孔位置；图5示意地示出了根据本发明实施例的铜元件的三维扫描；和图6示出了根据本发明的实施例的方法。
具体实施例方式在下面的说明中，将参考本发明实施例的特定例子来描述本发明。然而，很明显可 以对其进行各种修改和改变，而不脱离在所附权利要求书中提出的本发明的更宽精神和范围。由于不会使得本发明模糊不清，包括在本发明的一个或多个实施例内的某些组件 未被详细描述。某些实施例可以提供一种用于扫描、检验和修复缺陷，例如，去除可能在镀铜或铜 蚀刻处理中形成的元件(诸如，铜元件或导电溅落物)的系统。在某些实施例中，该系统可 以包括例如检查站，该检查站用于例如通过检测、检查、对所述元件的二维扫描和/或三维 扫描，来提供关于所述元件的信息；以及修复站，该修复站用于验证所提供的信息，并且基 于所提供的信息来去除所述元件。下面的描述可以涉及短路两个并行导体的铜元件。注意，可由其它材料(尤其但 不是唯一地，导电材料)形成元件，即使所述元件不短路导体也可去除所述元件，以及该元 件可以短路多于一对的导体。该元件可被认为是应当被去除、部分去除或消除的残留元件、 多余元件或不需要的元件。图1示出了根据本发明实施例的系统100。系统100包括检查站110，其被配置成 产生关于由导电材料形成的元件的三维几何属性的信息。该元件的三维几何属性可以表示 该元件或其一部分的三维形状。该元件的三维几何属性可以包括该元件的每个点或该元件 的某些点的高度、该元件的轮廓等等。系统100还包括修复站120，修复站120被配置成接收关于该元件的三维几何属性 的信息，验证该元件的位置，以及去除该元件的至少一部分。修复站120可以包括多个去除元件，诸如去除元件121、122和123。去除元件的数 目可以多于3个或少于3个。例如，修复站120可以包括单个去除元件。修复站120可以包括使用激光进行材料去除的去除元件(“激光引擎”)、机械去 除元件或这两种去除元件中的每一种的一个或多个去除元件的组合。这些去除元件被配置成去除所述元件或其一部分。为了解释简单起见，假设去除 元件123包括激光引擎，以及去除元件121是机械去除元件。修复站120通常是旨在观察检查站110所发现的缺陷的独立设备或桌面设备，并 且可以包括a.真空台，被修复器件可被定位在该真空台内；b.视觉输入设备，用于被修复器件的可疑区域的图像获取；c.控制器，操作以便从检查站110接收可疑缺陷数据，并且操作所述真空台和/或视觉输入设备，以便在视频监视器上呈现该可疑区域，并且提供关于可疑缺陷的数据；d.激光去除元件，并且附加地或替换地，机械去除元件-这两者进行操作，以便基 于从检查站110接收的信息(包括但不限于位置、包括关键尺寸数据的2D和3D拓扑)，减 少被修复器件的不需要材料；e.可选择的3D测量模块，其操作以便提供旨在创建激光和/或机械修复头(可选 择)的操作的最佳和最有效模式的可疑区域的3D拓扑。去除元件123的激光引擎可以是C02、Q开关C02、THG-UV或ND激光引擎，或其它 适合的激光引擎。可以控制该激光引擎，以便调节其激光束输出的参数，诸如强度、波长、束 直径、束数目、多束配置、束每秒的脉冲数目和/或其它参数。这些参数可由分析器130定 义，并且可被包括在元件切割方案内。可以控制机械去除元件121，以便调节其操作参数，诸如旋转速度、钻深等。如果存 在多个机械去除元件，则可以响应于将被去除的材料的-材料强度、应当去除多少材料、与 钻孔处理有关的预期损伤等，在这些元件之间进行选择。这些参数可由分析器130定义，并 且可被包括在元件切割方案内。去除元件的设置可以取决于技术(不同的设置适合于激光去除和机械去除)和应 当被去除的元件的参数。可选择地，可以接连使用激光和机械去除元件。一旦从检查站110接收到表征所有可疑缺陷的数据，修复站120的控制器就可以 定义去除元件的正确设置。关于元件的充分去除，该设置的目标可以是最小化对被修复器 件的损伤，并且最小化用于元件去除的时间。导电材料应被去除的方式可以是对各种参数的响应，所述参数诸如但不限于导电 元件的2D和/或3D拓扑以及导电元件的大小和周围区域、去除元件的技术特性，诸如，以 激光进行元件去除的去除速率、功率、操作频率、角度和工作路径，机械去除的直径、类型、 速度、压力、角度和工作路径。将被去除的对象的非限制性例子可以包括a.连接两个正常导体的非常浅和窄的导电元件；b.连接两个正常导体的非常浅和宽的导电元件；c.位于呈45度的两个正常导体之间的厚铜突出物；d.靠近所述正常PCB元件之一的铜元件(岛)；e.由导电材料(铜、铝等)的组合形成的元件；和f.铜沉积和蚀刻之后留下的铜。机械去除元件121可以包括钻机、钻头等。可由一个或多个去除元件顺序地或并行地执行对所述元件或其一部分的去除。在某些实施例中，检查站110可以将收集到的铜元件的二维和/或三维属性的扫 描信息传输给修复站120，以便修复站进行检验并且基于该信息来执行对所述铜元件的切 割/修整。在某些实施例中，例如，修复站120并且尤其是元件定位器125可以包括照相机， 例如，高分辨率二十色照相机。在某些实施例中，元件定位器125基于从检查站110接收到的信息，将激光引擎或 机械去除元件导航到期望位置，在该位置形成了所述铜元件。注意，修复站可以包括一个或多个机械去除元件和激光引擎。修复站可以应用这
7两者来去除材料或仅仅应用它们中的一个。对这些去除实体中所挑选的去除元件的选择可 以取决于将被去除的材料、将被去除的材料的量、作为对材料去除的响应可能造成的潜在 损伤、时间限制等。因此，激光引擎123的光束可以执行初始切割，或指定区域内的铜元件的切割。在 某些实施例中，通过将激光引擎123导航到铜元件的具有最小高度测量区域的最窄处，收 集并由检查站110提供的几何属性允许实现激光切割的减少持续时间。在某些实施例中， 在执行初始切割之后，可以对铜元件的剩余部分执行附加修整/切割。在操作场所靠近去 除头直径的致密PCB(HDI)板的复杂图案中，可以分3个阶段进行处理1)去除头基于从 AOI接收到的信息，根据初始方法来执行部分该处理的初始阶段；幻第二阶段-操作员和/ 或算法将定义用于去除的最后阶段的方法时，对阶段1中实现的结果进行手动(由操作员) 或自动(由视觉输入设备和控制器)检查，和幻基于根据阶段1的中间结果校正后的方法 执行的去除的最后阶段。修复站120可以响应于下列中的至少一个参数，来选择机械去除元件所述元件 的导电材料的强度、应当去除所述元件的多少导电材料、以及与所述元件的至少一部分的 去除有关的预期损伤。例如，如果必须非常靠近一个导电元件来切割所述元件，则修复站 120可以选择可能较慢但是产生较少损伤的去除元件。参考图3中提出的例子，假设第一去除元件122损伤期望切割曲线40周围的以44 表示的区域，而第二去除元件121损伤期望切割曲线40周围的以42表示的更大区域。即 使第二去除元件121比第一去除元件122更快，也选择第一去除元件122-以便减少对导体 14的可能损伤。作为另一个例子，图4的期望切割曲线60远离导体12和14，并且第一去除元件 122和第二去除元件121都不会损伤导体12和14中的任意一个。在这种情况下，可以选择 第二去除元件121。修复站120可被配置成在元件20’的最窄并且具有最小高度的区域处执行初始切 割(例如，沿着期望切割曲线60)，并且然后对所述元件的剩余部分执行附加修整。例如，参 考图4提出的例子，可以沿着曲线60执行初始切割，并且随后可以在元件20’的其它部分 执行附加切割，以便去除整个元件20’，或比沿着期望位置60切割时所去除的元件20’部分 更大的部分。返回参考图1，检查站110和修复站120中的至少一个站被配置成参与元件切割方 案的定义。元件切割方案可以定义使用哪个去除元件、如何配置所选去除元件、以及在何处 执行初始切割和任何附加切割。根据本发明的实施例，检查站110和修复站120中的任意一个包括被配置成定义 元件切割方案的分析器130。在图1提出的例子中，分析器130被示出为包括在修复站120 内。分析器130可以基于一个或多个准则来定义元件切割方案。例如，该分析器可以 基于系统将在修复处理过程中去除的导电材料的量，来定义元件切割方案，一旦应用了所 述修复处理，就可以防止所述元件(在图2中以20表示)短路间隔开的导体12和14。可以定义元件切割方案，以便通过沿着表示该元件的最小横截面的曲线切割所述 元件，来最小化被去除的物质的量。参考图2提出的例子，分析器130可以选择在一个期望位置切割元件20，在该期望位置，元件20具有宽度(在对象10的平面上)Wl 21并且具有 高度Hl 31，因为这将导致最少的物质去除，或至少比沿着具有宽度(在对象10的平面上) W2 22并且具有高度H2 32的另一个位置切割元件20更少的物质去除，其中W2 > Wl并且 H2 > Hl0图2和3的例子示出了是直线的切割曲线(诸如40、50和60)，但是这不是必须 的，并且切割曲线可以是任意形状。因此-分析器130可以确定沿着直线或沿着曲线或沿 着一系列线来切割元件。切割曲线可以平行于被元件20短路的一个或多个导体12和14 (如图2所示)，但 是如图3所示，还可以被定向为不与这些导体平行。检查站110可以收集关于所述元件的三维几何属性的信息，并且然后将其发送到 修复站120。修复站120可以包括元件定位器125，元件定位器125被配置成基于从检查站110 发送的信息(诸如，关于该元件的位置的位置信息，以及附加地或替换地，元件的三维几何 属性)，来定位所述元件。元件定位器125可以包括可被导航到元件20的附近、获取元件20及其附近区域 或其一部分的图像、并且将所述元件的图像与关于元件的三维几何属性的信息所表示的该 元件的至少一部分(例如，预期俯视图)进行比较以便确定其瞄准正确元件的光学器件。图1的分析器130被配置成接收关于元件的三维几何属性的信息。注意，分析器 130可以产生关于元件的三维几何属性的信息-如果，例如，它位于检查站110内，或如果检 查站110和修复站120被集成在一起。分析器130可以处理元件的三维几何属性，以便定义元件切割方案。分析器130 可以处理该信息以便定位一条曲线，一旦沿着该曲线行进，则将导致对所述元件的最少材 料去除。该材料去除防止所述元件短路间隔开的导体。分析器130可以定义元件切割方案，使得对印刷电路板的损伤量最小化。如果切 割不损伤导体(或对导体执行可容忍的甚至最少的损伤)，如果形成的切割曲线具有最小 长度等，则可以使得损伤最少。分析器130可以定义元件切割方案，使得对间隔开的导体的损伤量最小化。因此， 当去除距离所述导体相对远的材料时，分析器130可以选择使用更快的去除元件。分析器130可以定义元件切割方案，使得对印刷电路板的损伤量减小到允许的损 伤阈值以下，并且使得将被去除的铜的量被减少到一个铜阈值以下。因此，可以实现这两个 准则之间的期望折衷。可以基于这些准则中的每一个的预定重要性来确定该折衷。分析器130可以选择在应用元件去除方案时，使用包括至少一个激光去除元件和 至少一个机械去除元件的多个去除元件中的至少一个去除元件。该选择可以是对上述准则 中的任意一个的响应。例如，该选择可以是对由至少一个所选去除元件的铜去除所导致的 损伤量的响应。例如，在某些实施例中，检查站110和修复站120可通过网络连接140，例如，数字 网络连接，诸如因特网、以太网或其它适合的网络连接和/或网络连接方案被连接或链接。 因此，检查站110可以收集详细的信息，包括铜元件的三维几何属性，并且通过网络连接140将收集到的信息传输给修复站120，以便修复站120用于期望并且高效地去除铜元件。例如，在某些实施例中，检查站110可以包括常规自动光学检查系统，其可以通过 执行PCB的二维和/或三维扫描，来检测一个或多个与铜元件有关的缺陷。例如，可以使用 现有技术中已知的常规算法来扫描元件的二维属性或其它缺陷。在某些实施例中，检查站110可以检测铜元件，并且在专用数据库112内记录铜元 件的属性，包括，例如，诸如铜元件的位置坐标、宽度、面积、轮廓、高度轮廓的属性。可以基 于二维传感器113或一维扫描传感器所获取的二维图像分析，来获得铜元件的某些二维属 性，诸如坐标区域、宽度和轮廓。可以使用能够单独执行铜元件周围的三维扫描的三维传感器，诸如图1的共焦彩 色传感器(CCQ111，来获得铜元件的某些三维属性，诸如其高度轮廓。图5示意地示出了对 元件21的三维扫描结果的例子。在某些实施例中，检查站和修复站可以是两个完全分离的单元，检查站被指定向 修复站提供铜元件的充分几何属性，例如，以便修复站在铜元件中执行对PCB的衬底产生 最小损伤的初始切割。某些实施例可以包括一种用于扫描、检验和修复与在镀铜处理中形成的铜元件相 关联的缺陷的方法。例如，在某些实施例中，可由上述系统和/或由其一个或多个组件来实 际执行该方法的一个或多个步骤。例如，在某些实施例中，该方法可以包括如下步骤中的一个或多个在第一站内检 测、检查、二维扫描和/或三维扫描包括与铜元件相关联的属性的信息；将收集的信息提供 给第二站，以便检验所提供的信息；以及基于所提供的信息来去除铜元件。图6示出了根据本发明的实施例的方法600。方法600以阶段610和620中的任意一个开始。阶段610包括接收关于元件的三维几何属性的信息。所述元件可以短路两个或更 多个间隔开的导体。阶段620包括产生关于所述元件的三维几何属性的信息。阶段620和610之后是基于一个或多个准则来定义元件切割方案的阶段630。该 定义可以基于关于所述元件的三维几何属性的信息，并且基于至少一个或多个准则，诸如 去除的材料最少、最少去除时间等。阶段630可以包括阶段631、632中的任意一个。阶段631包括基于系统将要在修复处理过程中去除的铜的量来定义元件切割方 案。一旦应用该修复处理，就可以防止所述元件短路间隔开的导体。阶段632包括定义元件切割方案，以便最小化将被该方法去除的元件的导电材料的量。阶段633包括基于所述元件的导电材料去除所产生的印刷电路板损伤量，来定义 元件切割方案。阶段634包括定义元件切割方案，以便最小化由元件的导电材料去除所产生的印 刷电路板损伤量。阶段635包括基于由去除处理产生的印刷电路板损伤量和去除物质量之间的折 衷，来定义元件切割方案。
阶段636包括定义元件切割方案，使得对印刷电路板的损伤量减小到允许的损伤 阈值以下，并且使得将要被去除的元件材料量减少到一个材料去除阈值以下。阶段637包括从多个去除元件中选择在应用所述铜去除方案时将要使用的至少 一个去除元件。所述多个去除元件可以包括一个或多个激光去除元件，并且附加地或替换 地，包括一个或多个机械去除元件。阶段637的选择可以是对上述准则中的任意一个的响应。例如，该选择可以是对 所述至少一个所选去除元件的铜去除所导致的损伤量的响应。阶段630之后是定位所述元件的阶段640。阶段640之后是至少一个去除元件应用所述元件切割方案的阶段650。因此，应当理解，此处示出的构架仅是例子，并且实际上可以实施实现相同功能的 许多其它构架。相关申请本申请要求于2009年7月8日提交的序列号为61/223，733的美国临时专利的优 先权，通过引用将其结合在此。
权利要求
1.一种系统，包括分析器，被配置成接收关于短路间隔开的导体的由导电材料形成的元件的三维几何属 性的信息，以及基于将要被所述系统在修复处理过程中去除的导电材料的量来定义元件切 割方案，一旦应用所述修复处理，就防止所述元件短路所述间隔开的导体；元件定位器，被配置成定位所述元件；以及去除元件，用于应用所述元件切割方案。
2.如权利要求1所述的系统，其中，所述分析器被配置成定义所述元件切割方案，使得 将要被系统去除的导电材料的量被最小化。
3.如权利要求1所述的系统，其中，所述分析器被配置成定义所述元件切割方案，使得 对印刷电路板的损伤量被最小化。
4.如权利要求1所述的系统，其中，所述分析器被配置成定义所述元件切割方案，使得 对所述间隔开的导体的损伤量被最小化。
5.如权利要求1所述的系统，其中，所述分析器被配置成定义所述元件切割方案，使得 对印刷电路板的损伤量被降低到允许的损伤阈值以下，并且使得将要被去除的导电材料的 量被降低到一个导电材料阈值以下。
6.如权利要求1所述的系统，包括多个去除元件，所述多个去除元件包括至少一个激 光去除元件和至少一个机械去除元件；其中，所述分析器被配置成从所述多个去除元件中 选择将在应用所述元件去除方案时使用的至少一个去除元件。
7.如权利要求1所述的系统，包括多个去除元件，所述多个去除元件包括至少一个激 光去除元件和至少一个机械去除元件；其中，所述分析器被配置成从所述多个去除元件中 选择将在应用所述元件去除方案时使用的至少一个去除元件；其中，所述选择是对所述至 少一个所选去除元件的导电材料去除所导致的损伤量的响应。
8.如权利要求1所述的系统，包括修复站和检查站，其中，所述检查站被配置成产生关 于所述元件的三维几何属性的信息；其中，所述修复站包括所述元件定位器和所述去除元 件，并且其中，所述修复站和检查站中的至少一个站包括所述分析器的至少一部分。
9.如权利要求1所述的系统，包括作为激光引擎的去除元件，其中，所述激光引擎被配 置成在所述元件的最窄并且具有最小高度的区域对所述元件执行初始切割；并且对所述元 件的剩余部分执行附加修整。
10.一种用于切割元件的方法，该方法包括处理关于所述元件的三维几何属性的信息，所述元件短路间隔开的导体；基于系统将要在修复处理过程中去除的导电材料的量来定义元件切割方案，一旦应用 所述修复处理，就防止所述元件短路所述间隔开的导体；定位所述元件；以及由至少一个去除元件应用所述元件切割方案。
11.如权利要求10所述的方法，包括定义所述元件切割方案，使得将要被所述方法去 除的导电材料的量被最小化。
12.如权利要求10所述的方法，包括定义所述元件切割方案，使得对印刷电路板的损 伤量被最小化。
13.如权利要求10所述的方法，包括定义所述元件切割方案，使得对印刷电路板的损伤量被降低到允许的损伤阈值以下，并且使得将要被去除的导电材料的量被降低到一个导 电材料阈值以下。
14.如权利要求10所述的方法，包括从多个去除元件中选择将在应用所述元件去除 方案时使用的至少一个去除元件，所述多个去除元件包括激光去除元件和机械去除元件。
15.如权利要求10所述的方法，包括从多个去除元件中选择将在应用所述元件去除 方案时使用的至少一个去除元件，所述多个去除元件包括激光去除元件和机械去除元件； 其中，所述选择是对所述至少一个所选去除元件的元件去除所导致的损伤量的响应。
16.一种系统，包括检查站，被配置成产生关于由导电材料形成的元件的三维几何属性的信息；和修复站，被配置成接收关于所述元件的三维几何属性的信息，检验所述元件的位置，并 且去除所述元件的至少一部分。
17.如权利要求16所述的系统，其中，所述修复站包括多个机械去除元件，并且其中， 所述修复站被配置成响应于下列中的至少一个参数来选择机械去除元件所述元件的导电 材料的强度、应当去除所述元件的多少导电材料、以及与所述元件的至少一部分的去除有 关的预期损伤。
18.如权利要求16所述的系统，其中，所述修复站包括被配置成去除所述元件的至少 一部分的激光引擎，其中，所述修复站被配置成在所述元件最窄并且具有最小高度的区域 对所述元件执行初始切割；并且然后对所述元件的其余部分执行附加修整。
19.如权利要求16所述的系统，其中，所述检查站和修复站中的至少一个站被配置成 基于所述系统将要在修复处理过程中去除的导电材料的量，来参与元件切割方案的定义， 一旦应用所述修复处理，就防止所述元件短路所述间隔开的导体；并且其中，所述修复站被 配置成应用所述元件切割方案。
20.如权利要求16所述的系统，其中，所述检查站和修复站中的至少一个站被配置成 参与元件切割方案的定义，使得将要被所述系统去除的导电材料的量被最小化。
全文摘要
用于去除元件的方法和系统。该系统包括分析器，被配置成接收或产生关于短路间隔开的导体的由导电材料形成的元件的三维几何属性的信息，和基于将要被所述系统在修复处理过程中去除的导电材料的量来定义元件切割方案，一旦应用所述修复处理，就防止所述元件短路所述间隔开的导体；元件定位器，被配置成定位所述元件；以及用于应用元件切割方案的去除元件。
文档编号H05K3/26GK102065642SQ20101024672
公开日2011年5月18日 申请日期2010年7月2日 优先权日2009年7月8日
发明者M·立维, Y·切比斯 申请人:卡姆特有限公司