专利名称：一种陶瓷基刚挠结合电路板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种陶瓷基刚挠结合电路板。
背景技术：
目前行业中有普通环氧树脂多层板，有挠性电路板软板，有环氧树脂+挠性电路 板的刚挠结合电路板，有以普通Al2O3为主要成分的陶瓷电路板，它们的优缺点如下普通环氧树脂多层板有层数多、布线密度高、工艺成熟、容易焊接元器件等一系 列优点，但是其导热性和散热性差，涨缩尺寸难以控制，可靠性也难以提升；挠性电路板软板具有体积小，重量轻，可移动，弯曲，扭转面不会损坏导线等特 点，且可以遵从不同形状和特殊的封装尺寸，3D组装和动态应用范围广；弱点在于尺寸稳 定性极差，布线密度低，不耐高温，也不便于制成多层板。普通氧化铝陶瓷电路板具有高散热性以及耐腐蚀、具有较高的绝缘性能和优异 的高频特性、膨胀系数低，化学性能稳定且热导率高，无毒等优点；但是由于其同时具有高 硬度的特性，所以质脆，机加工难度大，同时由于其表面平整，不易通过电镀实现层间导通 也难于与其它层有效结合形成多层电路板；传统的电路板优点单一，不能同时拥有高导热率，高集成度以及3D连接功能，不 能满足市场对电路板具有高连接性，高密度，导热性好的需求。
实用新型内容本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结合简单，布线 密度高，具有优良的3D连接特性且散热性好的陶瓷基刚挠结合电路板。为了达到上述目的，本实用新型采用以下方案一种陶瓷基刚挠结合电路板，其特征在于包括一陶瓷电路板和一单层刚性电路 板，在所述的单层刚性电路板与陶瓷电路板之间设有一挠性电路板，在所述的陶瓷电路板 与挠性电路板之间设有复合介电层，在所述的单层刚性电路板与挠性电路板之间设有复合 介电层，所述的陶瓷电路板，复合介电层，挠性电路板和单层刚性电路板通过热压的方式结 合为一整体。如上所述的一种陶瓷基刚挠结合电路板，其特征在于所述的复合介电层包括一与 单层刚性电路板结合的PP层和一与挠性电路板结合的Pl层。如上所述的一种陶瓷基刚挠结合电路板，其特征在于所述的多层刚性电路板为多 层环氧树脂电路板。如上所述的一种陶瓷基刚挠结合电路板，其特征在于所述的陶瓷电路板为氮化铝 陶瓷电路板。综上所述，本实用新型相对于现有技术其有益效果是本实用新型陶瓷基刚挠结合电路板布线密度高，容易焊接元器件，具有优良的3D 连接特性，具有高散热性以及耐腐蚀、具有较高的绝缘性能和优异的高频特性、膨胀系数低，化学性能稳定且热导率高，无毒等优点。为电子元件封装提供了新的技术平台。
图1为本实用新型的示意图；图2为本实用新型的分解示意图。
具体实施方式
以下结合附图说明和具体实施方式
对本实用新型作进一步描述如图1和2所示的一种陶瓷基刚挠结合电路板，包括一陶瓷电路板1和一单层刚 性电路板2，在所述的单层刚性电路板2与陶瓷电路板1之间设有一挠性电路板3，在所述 的陶瓷电路板1与挠性电路板3之间设有复合介电层4，在所述的单层刚性电路板2与挠性 电路板3之间设有复合介电层4。所述的陶瓷电路板1，复合介电层4，挠性电路板3和单层 刚性电路板2通过热压的方式结合为一整体。本实用新型中所述的复合介电层4包括一与单层刚性电路板2结合的PP层41和 一与挠性电路板4结合的PI层42。所述的多层刚性电路板2为多层环氧树脂电路板。所 述的陶瓷电路板1为氮化铝陶瓷电路板。
权利要求1.一种陶瓷基刚挠结合电路板，其特征在于包括一陶瓷电路板(1)和一单层刚性电 路板(2)，在所述的单层刚性电路板(2)与陶瓷电路板(1)之间设有一挠性电路板(3)，在 所述的陶瓷电路板(1)与挠性电路板(3)之间设有复合介电层(4)，在所述的单层刚性电 路板(2)与挠性电路板(3)之间设有复合介电层(4)，所述的陶瓷电路板(1)，复合介电层 (4)，挠性电路板(3)和单层刚性电路板(2)通过热压的方式结合为一整体。
2.根据权利要求1所述的一种陶瓷基刚挠结合电路板，其特征在于所述的复合介电层 (4)包括一与单层刚性电路板(2)结合的PP层(41)和一与挠性电路板(4)结合的PI层 (42)。
3.根据权利要求1所述的一种陶瓷基刚挠结合电路板，其特征在于所述的多层刚性电 路板(2)为多层环氧树脂电路板。
4.根据权利要求1所述的一种陶瓷基刚挠结合电路板，其特征在于所述的陶瓷电路板 (1)为氮化铝陶瓷电路板。
专利摘要本实用新型公开了一种陶瓷基刚挠结合电路板，其特征在于包括一陶瓷电路板和一单层刚性电路板，在所述的单层刚性电路板与陶瓷电路板之间设有一挠性电路板，在所述的陶瓷电路板与挠性电路板之间设有复合介电层，在所述的单层刚性电路板与挠性电路板之间设有复合介电层，所述的陶瓷电路板，复合介电层，挠性电路板和单层刚性电路板通过热压的方式结合为一整体。本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结合简单，布线密度高，具有优良的3D连接特性且散热性好的陶瓷基刚挠结合电路板。
文档编号H05K1/02GK201781682SQ20102028642
公开日2011年3月30日 申请日期2010年8月3日 优先权日2010年8月3日
发明者姚超, 杨晓乐, 王斌, 盛从学, 谢兴龙, 陈华巍 申请人:广东达进电子科技有限公司