专利名称：单晶硅生长炉加热控制装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及的是一种单晶硅生产设备，特别涉及的是一种单晶硅生长炉加热 控制装置的改进。
背景技术：
传统的太阳能单晶硅生长炉的加热由电磁阀进行控制，电磁阀的工作电压为 220V，由于工作电压较高，所以传统的太阳能单晶硅生长炉加热控制装置耗能较大，其电磁 阀的使用寿命较短，一般在1年左右(以工作60小时停10小时周期计算)。
发明内容鉴于目前公知技术存在的问题，本实用新型要解决的技术问题是在于提供一种具 有节能、使用寿命长特点的单晶硅生长炉加热控制装置。为解决上述技术问题，本实用新型是采取如下技术方案来完成的单晶硅生长炉加热控制装置，包括生长炉加热控制电磁阀，其特征在于所述控制 装置设有220V延时电路和降压电路，220V延时电路和降压电路分别与加热控制电磁阀连 通。所述降压电路降压后的电压为110V。本实用新型的有益效果是设备通电后首先220V延时电路投入工作，电磁阀的吸 合动作电压为220V，电磁阀吸合后，单晶硅生长炉的加热器就可投入工作，当生长炉加热器 正常工作后，220V延时电路延时断开，同时降压电路投入工作，降压电路降压后的电压只有 Iiovaiov电压就能使电磁阀维持吸合状态，有效地降低电磁阀的吸合功率，产生了节能的 效果，另外，由于电磁阀吸合功率变小，所以产生的热能变小，电磁阀的使用寿命得以提高， 在相同使用时间(以工作60小时停10小时周期计算)内，电磁阀的使用寿命可以达到2年 以上，是以前的2倍多。
本实用新型有如下附图。图1为本实用新型的工作原理框图。图2为本实用新型的电路图。
具体实施方式
附图表示了本实用新型的技术方案及其实施例，下面再结合附图进一步描述其实 施例的各有关细节及其工作原理。参照附图1，该种单晶硅生长炉加热控制装置，包括生长炉加热控制电磁阀3， 220V延时电路1和IlOV降压电路2，220V延时电路和IlOV降压电路分别与加热控制电磁 阀连通。附图2表示的是实施本实用新型的一种电路图，包括点动按钮SB1、SB2、中间继电器KA、KM、延时继电器KT及变压线圈4，OB间电压220V，0A间电压110V，电磁阀3通过KMl 连通220V电压电路，通过KM2连通IlOV电压电路。 本实用新型工作过程是这样的按下SB2，KA通电，触头KA1、KA2、KA3、KA4全部闭 合，KM、KT导通，KMl闭合，电压电磁阀导通220V电路，电磁阀的吸合动作电压为220V，电 磁阀吸合后，单晶硅生长炉的加热器就可投入工作，接着KT延时3-5秒后动作，KTl断开， KM同时断开，于是KMl恢复断开，KM2闭合，电磁阀导通IlOV电压电路，IlOV电压使电磁阀 维持吸合状态，有效地降低电磁阀的吸合功率，产生了节能的效果，另外，由于电磁阀吸合 功率变小，所以产生的热能变小，电磁阀的使用寿命得以提高。
权利要求1.单晶硅生长炉加热控制装置，包括生长炉加热控制电磁阀，其特征在于所述控制 装置设有220V延时电路和降压电路，220V延时电路和降压电路分别与加热控制电磁阀连ο
2.如权利要求1所述的单晶硅生长炉加热控制装置，其特征在于所述降压电路降压 后的电压为110V。
专利摘要本实用新型公开了一种单晶硅生长炉加热控制装置，包括生长炉加热控制电磁阀，其特征在于所述控制装置设有220V延时电路和降压电路，220V延时电路和降压电路分别与加热控制电磁阀连通。上述单晶硅生长炉加热控制装置具有节能、使用寿命长的特点。
文档编号C30B15/20GK201842898SQ20102059909
公开日2011年5月25日 申请日期2010年11月9日 优先权日2010年11月9日
发明者孙庆真, 李国迪, 蒋明霞 申请人:浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司