专利名称：单晶炉加热系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及熔融单晶硅炉装置的领域。
背景技术：
单晶炉加热系统是将多晶硅熔化生长成单晶硅的设备，现有的单晶炉加热系统在结晶过程中，由于结构的不合理存在温度难以均衡，保温效果差等缺陷。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术的不足，提供一种结构合理、温度均衡、保温效果好的单晶炉加热系统。本发明的目的是这样实现的单晶炉加热系统，包括炉底、炉室和炉盖，炉室包括下炉室和主炉室，下炉室连接在炉底的上方，主炉室连接在下炉室的上方，炉盖连接在主炉室的上方，炉盖的上端设置炉口，所述炉室内设置环形保温桶、下保温层和上保温层，保温桶包括下保温桶、中保温桶和上保温桶，中保温桶设置在下保温桶的上方，上保温桶设置在中保温桶的上方，下保温层设置在上保温桶的上方，上保温层设置下保温层的上方；所述炉底上穿置坩埚托杆，坩埚托杆的上端设置在保温桶内，坩埚托杆的上端设置三瓣埚底座，三瓣埚底座的上方设置三瓣埚，三瓣埚内设置石英坩埚，石英坩埚的上方设置外导流筒，外导流筒的上端搁置在下保温层的内周，外导流筒内设置内导流筒，内导流筒的上端搁置在外导流筒的上端；所述保温桶与三瓣埚之间设置加热器，加热器的下端连接两个石墨电极，两个石墨电极的下端分别设置在所述炉底的下方，所述下保温桶上连接排气管。本发明通过以上设计，将多晶硅放入石英坩埚内，通过加热器对石英坩埚内的多晶硅进行加热溶化，将籽晶经导流筒插入熔融多晶硅液中，使多晶硅液按籽晶的硅原子排列顺序结晶凝固成单晶硅棒。由于加热器的外周有下保温桶、中保温桶和上保温桶，外导流筒和内导流筒的上端有上保温层和下保温层，从而使得保温效果好，且温度均衡、结晶均勻、结构合理。
图1为本发明的一种结构示意图。图中，1坩埚托杆，2石墨电极，3下炉室，4下保温桶，5主炉室，6三瓣埚，7加热器， 8中保温桶，9上保温桶，10炉盖，11炉口，12上保温层，13下保温层，14内导流筒，15外导流筒，16石英坩埚，17三瓣埚底座，18石墨螺钉，19排气管，20炉底。
具体实施例方式如图1所示，为单晶炉加热系统，包括炉底20、炉室和炉盖10，炉室包括下炉室3 和主炉室5，下炉室3连接在炉底20的上方，主炉室5连接在下炉室3的上方，炉盖10连接在主炉室5的上方，炉盖10的上端设置炉口 11。炉室内设置环形保温桶、下保温层13和上保温层12，保温桶包括下保温桶4、中保温桶8和上保温桶9，中保温桶8设置在下保温桶 4的上方，上保温桶9设置在中保温桶8的上方，下保温层13设置在上保温桶9的上方，上保温层12设置下保温层13的上方。炉底20上穿置坩埚托杆1，坩埚托杆1的上端设置在下保温桶4内，坩埚托杆1的上端设置三瓣埚底座17，三瓣埚底座17的上方设置三瓣埚6， 三瓣埚6内设置石英坩埚16，石英坩埚16的上方设置外导流筒15，外导流筒15的上端搁置在下保温层13的内周，外导流筒15内设置内导流筒14，内导流筒14的上端搁置在外导流筒15的上端。中保温桶8与三瓣埚6之间设置加热器7，加热器7的下端通过石墨螺钉 18连接两个石墨电极2，两个石墨电极2的下端分别设置在炉底20的下方，下保温桶4上连接排气管19。
权利要求
1.单晶炉加热系统，其特征在于包括炉底、炉室和炉盖，炉室包括下炉室和主炉室， 下炉室连接在炉底的上方，主炉室连接在下炉室的上方，炉盖连接在主炉室的上方，炉盖的上端设置炉口，所述炉室内设置环形保温桶、下保温层和上保温层，保温桶包括下保温桶、 中保温桶和上保温桶，中保温桶设置在下保温桶的上方，上保温桶设置在中保温桶的上方， 下保温层设置在上保温桶的上方，上保温层设置下保温层的上方；所述炉底上穿置坩埚托杆，坩埚托杆的上端设置在保温桶内，坩埚托杆的上端设置三瓣埚底座，三瓣埚底座的上方设置三瓣埚，三瓣埚内设置石英坩埚，石英坩埚的上方设置外导流筒，外导流筒的上端搁置在下保温层的内周，外导流筒内设置内导流筒，内导流筒的上端搁置在外导流筒的上端；所述保温桶与三瓣埚之间设置加热器，加热器的下端连接两个石墨电极，两个石墨电极的下端分别设置在所述炉底的下方，所述下保温桶上连接排气管。
全文摘要
单晶炉加热系统，涉及熔融单晶硅炉装置的领域，包括炉底、炉室和炉盖，炉室包括下炉室和主炉室，炉盖的上端设置炉口，炉室内设置环形保温桶、下保温层和上保温层，保温桶包括下保温桶、中保温桶和上保温桶；炉底上穿置坩埚托杆，坩埚托杆的上端设置三瓣埚底座，三瓣埚底座的上方设置三瓣埚，三瓣埚内设置石英坩埚，石英坩埚的上方设置外导流筒，外导流筒内设置内导流筒；保温桶与三瓣埚之间设置加热器，加热器的下端连接两个石墨电极，下保温桶上连接排气管。本发明加热器的外周有下保温桶、中保温桶和上保温桶，外导流筒和内导流筒的上端有上保温层和下保温层，从而使得保温效果好，且温度均衡、结晶均匀。
文档编号C30B11/00GK102212887SQ20111013025
公开日2011年10月12日 申请日期2011年5月19日 优先权日2011年5月19日
发明者倪宝达 申请人:仪征市荣昌炭素材料有限公司