专利名称：热场坩埚保温装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体材料生产设备技术领域，尤其是涉及ー种热场坩埚保温装置。
背景技术：
保温装置是制备一些半导体材料时所用的热场坩埚的重要组成部分，其保温效果的优劣直接决定着半导体材料拉晶效果的好坏和半导体制备成本的高低。一般的，该保温装置多为热场坩埚的外部包有石墨保温筒。其缺陷在于1、石墨材料易于急冷急热，从而易 变形开裂，进而导致半导体材料拉晶过程中成晶较为困难。2、石墨材料耐高温系数低，保温效果较差。3、石墨材料尺寸稳定性差，无法满足变更エ艺下各种形状、尺寸的加工。4、石墨材料长时间使用后会出现掉石墨及断裂，严重影响单晶生长。因此有必要予以改迸。
实用新型内容针对上述现有技术存在的不足，本实用新型的目的是提供ー种热场坩埚保温装置，它具有结构稳定不易变形、保温效果较好、易于加工和不会影响单晶成长的特点。为了实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案是热场坩埚保温装置，其包于坩埚本体的外部，所述热场坩埚保温装置包括碳碳复合材料保温筒，碳碳复合材料保温筒的外部包缠有碳毡层。所述碳碳复合材料保温筒从上至下依次包括上筒、中筒和下筒，且中筒上边沿不低于本体的上边沿、下边沿不高于本体的下边沿。采用上述结构后，本实用新型和现有技术相比所具有的优点是结构稳定不易变形、保温效果较好、易于加工和不会影响单晶成长。本实用新型的保温装置采取坩锅的外部设有碳碳复合材料保温筒。由于碳碳复合材料相对于石墨而言1、强度较高，从而保温筒结构稳定不易变形；2、耐高温系数较高，从而保温筒保温效果较好；3、机械性能优良，成型后尺寸稳定，能够随同坩埚的尺寸进行及时变更；4、长时间使用后不会出现局部断裂的情況，从而有助于坩埚中半导体的单晶成长。
以下结合附图
和实施例对本实用新型进ー步说明图I是本实用新型的实施例的主视剖视结构示意图。图中10、本体；20、碳碳复合材料保温简，21、上筒，22、中筒，23、下筒；30、碳毡层。
具体实施方式
以下所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不因此而限定本实用新型的保护范围。[0011]实施例，见图I所示热场坩埚保温装置，其包于坩埚本体10的外部，包括碳碳复合材料保温筒20，且碳碳复合材料保温筒20的外部包缠有碳毡层30。其中，碳毡层30可以使用西格里碳毡。进ー步优化，碳碳复合材料保温筒20从上至下依次包括上筒21、中筒22和下筒23，且中筒22上边沿不低于本体10的上边沿 、下边沿不高于本体10的下边沿。SP，中筒22的水平高度和热场坩埚的本体10的水平高度相当。当然，此时上筒21的水平高度高于热场坩埚10的水平高度；下筒23的水平高度低于热场坩埚10的水平高度。这样，采取分体式保温筒的方式，且各个部分分别位于不同的高度，便于碳碳复合材料保温筒20的安装，以及便于碳毡层30的包缠。
权利要求1.热场坩埚保温装置，其包于坩埚本体(10)的外部，其特征在干所述热场坩埚保温装置包括碳碳复合材料保温筒(20)，碳碳复合材料保温筒(20)的外部包缠有碳毡层(30)。
2.根据权利要求I所述的热场坩埚保温装置，其特征在于所述碳碳复合材料保温筒(20)从上至下依次包括上筒(21)、中筒(22)和下筒(23)，且中筒(22)上边沿不低于本体(10)的上边沿、下边沿不高于本体(10)的下边沿。
专利摘要本实用新型公开了一种热场坩埚保温装置，其包于坩埚本体的外部，所述热场坩埚保温装置包括碳碳复合材料保温筒，碳碳复合材料保温筒的外部包缠有碳毡层。优化后，碳碳复合材料保温筒从上至下依次包括上筒、中筒和下筒，且中筒上边沿不低于本体的上边沿、下边沿不高于本体的下边沿。本实用新型所具有的优点是结构稳定不易变形、保温效果较好、易于加工和不会影响单晶成长。
文档编号C30B15/10GK202595331SQ201220204570
公开日2012年12月12日 申请日期2012年5月9日 优先权日2012年5月9日
发明者唐旭辉, 高彬彬 申请人:江苏聚能硅业有限公司