电路组件及其制造方法与流程

技术特征：

1.一种电路组件，包括，

聚醚酰亚胺介电层，该聚醚酰亚胺介电层包含具有200℃或更高的玻璃化转变温度的聚醚酰亚胺；

置于所述介电层上的导电金属层；以及

在所述导电金属层的相反侧，置于所述介电层上的支撑金属基体层；

其中，所述电路组件在根据SJ 20780-2000的280℃热应力下30分钟之前和之后，具有通过IPC-TM-650测试方法测定的在±10％以内的相同的粘附性。

2.根据权利要求1所述的电路组件，其中，所述聚醚酰亚胺包含下式的单元

其中

R是C_2-20烃基团，

T是-O-或式-O-Z-O-的基团，其中-O-或-O-Z-O-基团的二价键处于3,3'、3,4'、4,3'或4,4'位置，并且

Z是可选地被1至6个C_1-8烷基基团、1至8个卤素原子或包括前述的至少一种的组合取代的芳香族C_6-24单环或多环基团。

3.根据权利要求1至2中任一项或多项所述的电路组件，其中，R是下式的二价基团

其中Q¹是-O-、-S-、-C(O)-、-SO₂-、-SO-、-C_yH_2y-和它们的卤代衍生物，其中y是1至5的整数，以及s)，或-(C₆H₁₀)_z-，其中z是1至4的整数；并且

Z是源自下式的二羟基化合物的基团

其中

R^a和R^b各自独立地是卤素原子或单价C_1-6烷基基团；

p和q各自独立地是0至4的整数；

c是0至4；并且

X^a是单键、-O-、-S-、-S(O)-、-S(O)₂-、-C(O)-或C_1-18有机桥连基团。

4.根据权利要求3所述的电路组件，其中，所述聚醚酰亚胺进一步包含高达10摩尔％的另外的聚醚酰亚胺单元，其中T是下式

5.根据权利要求1至4中任一项或多项所述的电路组件，其中，所述聚醚酰亚胺介电层进一步包含导热填料。

6.根据权利要求1至5中任一项或多项所述的电路组件，其中，所述聚醚酰亚胺介电层进一步包含介电填料。

7.根据权利要求1至6中任一项或多项所述的电路组件，其中，所述聚醚酰亚胺介电层进一步包含纺织织物。

8.根据权利要求1至7中任一项或多项所述的电路组件，其中，所述聚醚酰亚胺介电层具有5至1500微米的厚度。

9.根据权利要求1至8中任一项或多项所述的电路组件，其中，所述导电金属层包含铜、锌、黄铜、铬、镍、铝、不锈钢、铁、金、银、钛或包括前述的至少一种的组合。

10.根据权利要求9所述的电路组件，其中，所述导电金属层具有2至200微米的厚度。

11.根据权利要求1至10中任一项或多项所述的电路组件，其中，所述支撑金属基体层包含铝并且具有0.1至20毫米的厚度。

12.根据权利要求1至11中任一项或多项所述的电路组件，进一步包括置于所述介电层和所述金属电路层之间的粘合层。

13.根据权利要求1至12中任一项或多项所述的电路组件，进一步包括置于所述介电层和所述支撑金属基体层之间的粘合层。

14.根据权利要求1至13中任一项或多项所述的电路组件，其中，所述导电金属层为电路形式。

15.一种制造权利要求1至14中任一项或多项所述的电路组件的方法，所述方法包括

在热和压力下将所述聚醚酰亚胺介电层层压至所述导电金属层和所述支撑金属基体层；

其中，所述导电金属层和所述支撑金属基体层置于所述聚醚酰亚胺介电层的相反侧。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，将所述聚醚酰亚胺介电层热挤出。

17.根据权利要求15或16所述的方法，其中，所述聚醚酰亚胺介电层通过包括以下各项的方法制备：

制备包含所述聚醚酰亚胺和溶剂的浇铸溶液；

将所述浇铸溶液的层浇铸在基板上；以及

从所述浇铸溶液的层除去溶剂。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述基板是所述导电金属层。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述基板是所述支撑金属基体层。

20.一种包括权利要求14所述的电路组件的制品。