本发明涉及到一种含氟树脂与陶瓷填料混合后形成的组合物特别是利用这种组合物制备的一种高频电路基材。
背景技术：
：聚四氟乙烯(PTFE)自1945年由杜邦公司开发商品化以来，由于其具备的优异的理化性能，在各行各业拥有众多特殊的用途，其中一大类用于制造高频覆铜板，终端用于通讯天线、功放，尤其其高介电常数的覆铜板用于军事用途，诸如雷达。市面上针对同一种介电常数(Dk)的高频电路基材的产品很多，对于每个具体的公司，其每一个具体的介电常数(Dk)的高频电路基材的产品型号也好几个，主要是后期的加工型和其他应用性能参数满足不同的使用要求，有的基材中使用玻璃布的和不使用玻璃布的，有的是干法成型复合介质片的，有的利用湿发成型复合介质片的，工艺多种多样。所以采用更优异的工艺满足不断提高的性能需求显得很迫切，美国专利6417459/2002发明了一种PTFE/玻璃布浸渍片与铜箔之间放置PFA膜的方法，因为PFA比PTFE拥有更好的流动性和粘合性，来提高铜箔浸渍片的剥离强度，但是该技术存在着内部结构的不一致性及PFA膜在层压时易流动性，而影响板材的厚度均匀性。本发明就是针对一般的产品进行工艺上的改善，提高基材的一致性，减少气泡对介电损耗的影响，更精准的控制基材的厚度和尺寸稳定性。技术实现要素：本发明针对上述产品存在的不足之处，提供一种均匀性很好的树脂组合物，利用这种树脂组合物制成的一种材料料含量一致各项性能稳定更优异高频电子电路基材。本发明的实现方法如下：(一)、准备含氟树脂乳液、复配的陶瓷填料、专门的铜箔；(二)、含氟树脂乳液的混合；(三)、复配陶瓷填料的混合；(四)、含氟树脂乳液与复配陶瓷填料的混合成本发明的含氟树脂组合物；(五)、含氟树脂乳液与复配陶瓷填料的混合制备成复合介质片；(六)、含氟树脂乳液与复配陶瓷填料的混合涂覆在铜箔一面上经烘干、烘焙、烧结成待用的铜箔(七)将制备好的铜箔与复合介质片按照铜箔+复合介质片+铜箔，铜箔带含氟树脂组合物均面向复合介质片，层压成本发明的高频电路基材。其中步骤(二)一种或几种含氟树脂的混合要求在常温下，低速搅拌，不破乳。其中步骤(三)一种或几种陶瓷填料与某种溶剂充分预浸，然后利用专用设备高速混合均匀，静止24小时不分层不沉降。其中步骤(四)含氟树脂混合物与陶瓷填料混合物在一定速率的混合设备中混合均匀成本发明的组合物，不分层不沉降不破乳。其中步骤(五)将步骤(四)中的组合物烘干、烘焙、模压。第一阶段温度控制在90-120℃之间，第二阶段和模压阶段温度控制在180-220℃之间，其中步骤(六)将树脂组合物均匀涂覆在铜箔的使用面，经过烘干、烘焙、烧结阶段，第一阶段温度控制在90-120℃之间，第二阶段温度控制在180-220℃之间，第三阶段烧结阶段温度控制在300-350℃之间。其中步骤(七)将步骤(五)与步骤(六)制备的材料按照铜箔+复合介质片+铜箔叠合，铜箔表面涂覆有树脂和复配陶瓷填料的一面均面向复合介质片。然后在400℃，12MPa压力下保持1.5个小时，制得本发明描述的高频电路基材。具体实施方式本发明的含氟树脂组合物及其制造的覆铜板的过程如下：(一)、准备含氟树脂乳液、复配的陶瓷填料、专门的铜箔；(二)、含氟树脂乳液的混合；(三)、复配陶瓷填料的混合；(四)、含氟树脂乳液与复配陶瓷填料的混合成本发明的含氟树脂组合物；(五)、含氟树脂乳液与复配陶瓷填料的混合制备成复合介质片；(六)、含氟树脂乳液与复配陶瓷填料的混合涂覆在铜箔一面上经烘干、烘焙、烧结成待用的铜箔(七)将制备好的铜箔与复合介质片按照铜箔+复合介质片+铜箔，铜箔带含氟树脂组合物均面向复合介质片，层压成本发明的高频电路基材。其中步骤(二)一种或几种含氟树脂的混合要求在25℃下，低速搅拌，不破乳。其中步骤(三)一种或几种陶瓷填料与某种溶剂充分预浸泡24小时以上，然后利用专用设备高速混合均匀，静止24小时不分层不沉降。其中步骤(四)含氟树脂混合物与陶瓷填料混合物在一定速率的混合设备中混合均匀成本发明的组合物，不分层不沉降不破乳。其中的关键是不产生离心效果，而导致各种不同粒径成聚集分布。混合过程中采用水冷式套筒，利用冷水冷却，温度不可超过30℃。其中步骤(五)将步骤(四)中的组合物烘干、烘焙、模压。第一阶段温度控制在90-120℃之间，第二阶段和模压阶段温度控制在180-220℃之间，保持真空，制备的复合介质片材表面光滑，没有气泡。其中步骤(六)将树脂组合物均匀涂覆在铜箔的使用面，经过烘干、烘焙、烧结阶段，第一阶段温度控制在90-120℃之间，第二阶段温度控制在180-220℃之间，第三阶段烧结阶段温度控制在300-350℃之间。其过程中保持真空其中步骤(七)将步骤(五)与步骤(六)制备的材料按照铜箔+复合介质片+铜箔叠合，铜箔表面涂覆有树脂和复配陶瓷填料的一面均面向复合介质片。然后在400℃，12MPa压力下保持1.5个小时，制得本发明描述的高频电路基材。以下结合具体实施例对本发明作进一步详细的描述：先选择一种适合涂覆的含氟树脂混合物，所述的含氟树脂包括聚全氟乙丙烯乳液、聚全氟乙烯烷基乙烯基醚乳液或四氟乙烯与乙烯的共聚物，聚偏乙烯、聚三氟氯乙烯中的一种或几种的任意组合。再选择一种复配的填料组合物，复配的填料组合物中包括氧化铝、二氧化硅、氮化硼、氮化硅、二氧化钛、钛酸锶、钛酸钡中的一种或几种的组合物。上述两种混合物按照一定的比例组合，制备出待用的复合介质片和含氟树脂和陶瓷填料组合物涂覆的铜箔。实施例一：本发明的含氟树脂和复配陶瓷填料的组合物及其高频电路基材方法如下：(一)制备出含氟树脂和复配陶瓷填料组合物；比例特定(二)利用上述组合物制备出厚度0.90mm，介电常数6.15的复合介质片(三)利用上述组合物和铜箔制备出0.05mm的含上述组合物涂覆的烧结后的铜箔，其中铜箔的厚度0.035mm，上述组合物涂覆的烧结后的铜箔总厚度0.05mm；(四)利用上述组合物涂覆的烧结后的铜箔与复合介质片，按照铜箔+复合介质片+铜箔叠合，铜箔表面涂覆有树脂和复配陶瓷填料的一面均面向复合介质片。然后在400℃，12MPa压力下保持1.5个小时，制得本发明描述的高频电路基材实施例一的样品。比较例一：为了对比本发明的含氟树脂和复配陶瓷填料的组合物及其高频电路基材方法如下：(一)制备出含氟树脂和复配陶瓷填料组合物；比例特定(二)利用上述组合物制备出厚度0.93mm，介电常数6.15的复合介质片(三)利用上述组合物制备复合介质片，按照铜箔+复合介质片+铜箔叠合，铜箔粗化面均面向复合介质片。然后在400℃，12MPa压力下保持1.5个小时，制得本发明描述的高频电路基材比较例一的样品。以下是本发明的树脂组合物及其制得的板材性能检测对照：测试项目实施例一比较例一厚度(mm)1.00mm0.98mmDk(5GHz)6.176.05Df(5GHz)0.00190.0023PS(N/mm)2.51.9从上述对照表中可以看出，使用本发明的组合物及高频电路材料的介电常数与介电损耗更稳定，更贴近设计值，而且剥离强度高，更好的适用后期的电路板加工。本发明的方法通过实施例来描述，但并不对本发明的方法构成限制，参照本发明方法的描述，对所公开的实施例的其他变化，如对本领域的专业人士是容易想到的，这样的变化也应该属于本发明权利要求限定的范围。当前第1页1 2 3