附载体铜箔、使用其的覆铜积层板、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种附载体铜锥、使用其的覆铜积层板、印刷配线板、电子机器及印刷 配线板的制造方法。
【背景技术】
[0002] 印刷配线板通常经过下述步骤而制造：在使绝缘基板与铜锥接着而制成覆铜积层 板之后，通过蚀刻而在铜锥面形成导体图案。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求 的增大而推展搭载零件的高密度构装化或信号的高频化，从而对印刷配线板要求有导体图 案的细微化（窄间距化）或高频应对等。
[0003] 与窄间距化相对应，近来要求厚度在9ymW下、甚至是厚度在5ymW下的铜锥， 然而，运种极薄的铜锥其机械强度低，在印刷配线板的制造时易破裂或产生皱折，因此发展 出将具有厚度的金属锥用作为载体并隔着剥离层将极薄铜层电沉积在其上而成的附载体 铜锥。在将极薄铜层的表面贴合于绝缘基板并进行热压接后，经由剥离层将载体剥离去除。 在所露出的极薄铜层上通过抗蚀剂而形成电路图案后，利用硫酸一过氧化氨系蚀刻液来蚀 刻去除极薄铜层，通过此手法（MSAP,Modified-Semi-Additive-Process)来形成细 微电路。
[0004] 此处，对于成为与树脂的接着面的附载体铜锥的极薄铜层的表面主要要求极薄铜 层与树脂基材的剥离强度充足，且此剥离强度在高溫加热、湿式处理、焊接、化学药剂处理 等之后也保持为充足。提高极薄铜层与树脂基材间的剥离强度的方法，一般而言是W下述 方法为代表：使大量的粗化粒子附着于表面的轮廓（凹凸、粗糖）增大后的极薄铜层上。
[0005] 然而，即便是在印刷配线板中，若在具有形成特别细微的电路图案的需要的半导 体封装基板使用运种轮廓（凹凸、粗糖）大的极薄铜层，则在电路蚀刻时会残留不需要的铜 粒子，会产生电路图案间的绝缘不良等问题。
[0006] 因此，在W02004/005588号（专利文献1)中尝试了使用未在极薄铜层的表面施加 粗化处理的附载体铜锥作为W半导体封装基板为首的用于细微电路的附载体铜锥。由于 其低轮廓（凹凸、粗糖度、粗糖）的影响，运种未施加粗化处理的极薄铜层与树脂的密合性 (剥离强度）与一般的印刷配线板用铜锥相比，有降低的倾向。因此，要求对附载体铜锥作 进一步的改善。
[0007] 因此，在日本特开2007-007937号公报（专利文献2)及日本特开2010 -006071 号公报（专利文献3)中，记载有在附载体极薄铜锥的与聚酷亚胺系树脂基板接触（接着） 的面，设置Ni层或/及Ni合金层、设置铭酸盐层、设置化层或/及化合金层、设置Ni层 及铭酸盐层、设置Ni层及化层。通过设置该等表面处理层，聚酷亚胺系树脂基板与附载体 极薄铜锥的密合强度可不经粗化处理或是降低粗化处理的程度（细微化）即可得到所欲的 接着强度。此外，也记载有利用硅烷偶合剂来进行表面处理或施加防诱处理。
[0008] [专利文献l]W02004/005588 号
[0009][专利文献2]日本特开2007 - 007937号公报
[0010][专利文献3]日本特开2010 - 006071号公报。
【发明内容】
W11] 发明所要解决的问题
[0012] 在附载体铜锥的开发中，至今为止确保极薄铜层与树脂基材的剥离强度一直被视 为重点。因此，仍未对窄间距化进行充分探讨，其仍有改善的空间。故，本发明的目的在 于提供一种适于形成窄间距的附载体铜锥。具体而言，本发明的目的在于提供一种附载 体铜锥，其可形成比至今为止被认为是利用MSAP而可形成的极限的L(线）/S(间隔）= 15Jim/15Jim更加细微的配线。
[0013] 为了达成上述目的，本申请发明人重复进行潜屯、研究，结果发现可使极薄铜层的 表面低粗糖度化。然后，发现该附载体铜锥对于形成窄间距极有效果。
[0014]本发明是W上述知识见解为基础而完成的，在一方面中，是一种附载体铜锥，其依 序具备作为支持体的载体、中间层、极薄铜层，上述极薄铜层表面的至少一面W非接触式粗 糖度计进行测定而得的化在0. 5 ym W下。
[0015]在本发明的附载体铜锥的一实施方案中，上述极薄铜层表面的两面W非接触式粗 糖度计进行测定而得的化在0. 5 ym W下。
[0016]在本发明的附载体铜锥的另一实施方案中，上述极薄铜层表面W非接触式粗糖度 计进行测定而得的Ra在0. 12ymW下。
[0017]在本发明的附载体铜锥的再另一实施方案中，上述极薄铜层表面W非接触式粗糖 度计进行测定而得的化在1. 0ymW下。
[0018]本发明在另一方面中，是一种附载体铜锥，其依序具备作为支持体的载体、中间 层、极薄铜层，上述极薄铜层表面的至少一面W非接触式粗糖度计进行测定而得的Ra在 0. 12JimW下。
[0019]在本发明的附载体铜锥的再另一实施方案中，上述极薄铜层表面的两面W非接触 式粗糖度计进行测定而得的Ra在0.12Jim W下。
[0020] 在本发明的附载体铜锥的再另一实施方案中，上述极薄铜层表面W非接触式粗糖 度计进行测定而得的化在1.0y m W下。
[0021] 本发明在再另一方面中，是一种附载体铜锥，其依序具备作为支持体的载体、中间 层、极薄铜层，上述极薄铜层表面的至少一面W非接触式粗糖度计进行测定而得的Rt在 1. 0JimW下。
[0022] 在本发明的附载体铜锥的再另一实施方案中，上述极薄铜层表面的两面W非接触 式粗糖度计进行测定而得的化在1. 0ymW下。
[0023]在本发明的附载体铜锥的再另一实施方案中，利用膜来形成上述载体。
[0024]在本发明的附载体铜锥的再另一实施方案中，上述载体的上述中间层侧表面的化 在0. 5 ym W下。
[00巧]在本发明的附载体铜锥的再另一实施方案中，上述载体的上述中间层侧表面的Ra在 0. 12ymW下。
[00%] 在本发明的附载体铜锥的再另一实施方案中，上述载体的上述中间层侧表面的化 在I.OJimW下。
[0027] 在本发明的附载体铜锥的再另一实施方案中，极薄铜层表面的至少一面形成有粗 化处理层。
[0028] 在本发明的附载体铜锥的再另一实施方案中，上述粗化处理层为由选自由铜、儀、 憐、鹤、神、钢、铭、钻及锋构成的群中的任一单质构成的层，或由含有任一种W上该单质的 合金构成的层，或者为含有含任一种W上该单质的合金的层。
[0029] 在本发明的附载体铜锥的再另一实施方案中，在上述极薄铜层的表面具有选自由 耐热层、防诱层、铭酸盐处理层及硅烷偶合处理层构成的群中的1种W上的层。
[0030] 在本发明的附载体铜锥的再另一实施方案中，在上述粗化处理层的表面具有选自 由耐热层、防诱层、铭酸盐处理层及硅烷偶合处理层构成的群中的1种W上的层。
[0031] 在本发明的附载体铜锥的再另一实施方案中，上述该极薄铜层表面具备树脂层。
[0032] 在本发明的附载体铜锥的再另一实施方案中，在上述粗化处理层表面具备树脂 层。
[0033] 在本发明的附载体铜锥的再另一实施方案中，在上述选自由耐热层、防诱层、铭酸 盐处理层及硅烷偶合处理层构成的群中的1种W上的层的表面具备树脂层。
[0034] 在本发明的附载体铜锥的再另一实施方案中，上述树脂层含有介电体。
[0035] 在本发明的附载体铜锥的再另一实施方案中，是一种附载体铜锥，其可通过使用 有极薄铜层的半加成法来形成比线/间隔=15ym/15ym更加细微的电路。
[0036] 本发明在再另一方面中，是一种覆铜积层板，其是使用本发明的附载体铜锥制造 而成者。
[0037] 本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板，其是使用本发明的附载体铜锥制造 而成者。
[0038] 本发明在再另一方面中，是一种电子机器，其使用有本发明的印刷配线板。
[0039] 本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其包含下述步骤：
[0040] 准备本发明的附载体铜锥与绝缘基板；
[0041] 将上述附载体铜锥与绝缘基板积层；及
[0042] 在将上述附载体铜锥与绝缘基板积层后，经将上述附载体铜锥的载体剥离的步骤 而形成覆铜积层板，
[0043] 其后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法（ModifiedSemi Additive)中的任一方法形成电路。
[0044] 本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其包含下述步骤：
[0045] 在本发明的附载体铜锥的上述极薄铜层侧表面形成电路；
[0046] W埋没该电路的方式在上述附载体铜锥的上述极薄铜层侧表面形成树脂层；
[0047] 在上述树脂层上形成电路；
[0048] 在上述树脂层上形成电路后，剥离上述载体；及
[0049] 在剥离上述载体后，去除上述极薄铜层，由此使形成在上述极薄铜层侧表面的埋 没于上述树脂层的电路露出。
[0050] 本发明的附载体铜锥适于窄间距形成，例如可形成比被认为是利用MSAP步骤而 可形成的极限的线/间隔=15ym/15ym更加细微的配线，例如线/间隔=lOym/lOym 的细微配线。
【附图说明】
[0051] 图1 :本发明的附载体铜锥的结构的一例。
[0052] 图2 :A~C是使用了本发明的附载体铜锥的印刷配线板的制造方法的具体实施例 的至电路锻敷一去除光阻剂为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
[0053] 图3 :D~F是使用了本发明的附载体铜锥的印刷配线板的制造方法的具体实施例 的自积层树脂及第2层附载体铜锥至雷射开孔为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
[0054] 图4 :G~I是使用了本发明的附载体铜锥的印刷配线板的制造方法的具体实施例 的自形成通孔填充物至剥离第1层载体为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
[0055] 图5 J~K是使用了本发明的附载体铜锥的印刷配线板的制造方法的具体实施例 的自快速蚀刻至形成凸块一铜柱为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
【具体实施方式】
[0056] < 载体 >
[0057] 本发明的载体，优选为使用中间层侧表面的化为0. 5 ym W下的。通过此种构成， 可容易地将形成于载体上的中间层的一个表面或两表面的化控制在0. 5 ym W下。载体的 中间层侧表面的化更优选为0. 3 y m W下，再更优选为0. 1 y m W下。 阳05引又，本发明的载体，优选为使用中间层侧表面的Ra为0.12ym W下的。通过此种 构成，可容易地将形成于载体上的中间层的一个表面或两表面的Ra控制在0.12y m W下。 载体的中间层侧表面的Ra更优选为0.1ym W下，再更优选为0.08 ym W下，再更优选为 0. 05Jim W下。
[0059] 又，本发明的载体，优选