U
[0239]上述色差可通过提高极薄铜层形成时的电流密度、降低锻敷液中的铜浓度、提高 锻敷液的线流速而进行调整。
[0240]又，上述色差也可通过在极薄铜层的表面实施粗化处理并设置粗化处理层而进行 调整。在设置粗化处理层的情形时，可通过如下而进行调整：使用含有选自由铜及儀、钻、 鹤、钢所组成的群中的一种W上元素的电解液，较现有进一步提高电流密度（例如40~ 60A/血2)，缩短处理时间（例如0. 1~1. 3秒）。在极薄铜层的表面未设置粗化处理层的 情形时，可通过如下而完成：使用使Ni的浓度为其他元素的2倍W上的锻浴，在极薄铜层 或耐热层或防诱层或铭酸盐处理层或硅烷偶合处理层的表面，W设定较现有低的电流密度 (0. 1~1. 3A/dm2)且增加处理时间（20秒~40秒）的方式对锻Ni合金（例如锻Ni-W 合金、锻Ni-Co-P合金、锻Ni-化合金）进行处理。 阳241] 若极薄铜层表面的基于JISZ8730的色差AE*油为45W上，则在例如附载体铜 锥的极薄铜层表面形成电路时，极薄铜层与电路的对比度清晰，结果视认性变得良好，可精 度良好地进行电路的位置对准。极薄铜层表面的基于JISZ8730的色差AE*油优选为50 W上，更优选为55W上，再更优选为60W上。 阳242]在如上所述般控制极薄铜层或粗化处理层或耐热层或防诱层或铭酸盐处理层或 硅烷偶合层的表面的色差的情形时，与电路锻层的对比度变得清晰，视认性良好。因此，在 如上所述的印刷配线板的例如图2 -C所表示的制造步骤中，可精度良好地在既定的位置 形成电路锻层。又，通过如上所述的印刷配线板的制造方法，形成使电路锻层埋入于树脂层 的构成，因此在例如图5 -J所表示的通过快速蚀刻去除极薄铜层时，利用树脂层保护电路 锻层，并保持其形状，由此容易形成细微电路。又，因利用树脂层保护电路锻层，而提高耐迁 移性，良好地抑制电路的配线的导通。因此，容易形成细微电路。义在如图5-J及图5-K所表示般通过快速蚀刻去除极薄铜层时，电路锻层的露出面形成为自树脂层凹陷的形状， 因此容易分别在该电路锻层上形成凸块，进而在其上形成铜柱，而提高制造效率。 阳243] 再者，埋入树脂巧esin)可使用公知的树脂、预浸体。可使用例如BT(双马来亚酷 胺S嗦）树脂或含浸BT树脂的玻璃布即预浸体、AjinomotoFine-Techno股份有限公司 制造的ABF膜或ABF。又，上述埋入树脂巧esin)可使用本说明书中所记载的树脂层及/或 树脂及/或预浸体。
[0244]又，上述第一层所使用的附载体铜锥也可在该附载体铜锥的载体表面具有基板或 树脂层。通过具有该基板或树脂层，使用在第一层的附载体铜锥被支持，变得难W生成皱 折，故具有生产性提高的优点。再者，上述基板或树脂层只要为具有支持上述第一层所使用 的附载体铜锥的效果者，则无特别限制。例如，作为上述基板或树脂层，可使用本申请说明 书中所记载的载体、预浸体、树脂层或周知的载体、预浸体、树脂层、金属板、金属锥、无机化 合物的板、无机化合物的锥、有机化合物的板、有机化合物的锥。 悦例实施例 阳246] W下，通过实施例对本发明进一步进行详细说明，但本发明并不因运些实施例而 受到任何限定。 阳247] 1.附载体铜锥的制造 悦48] <实施例1>
[0249] 将聚酷亚胺膜（宇部兴产公司制造的化ilex-S膜；厚度：35ym)安装于真空装 置内，真空排气后使用氧实施电浆处理。 阳巧日]接着，通过化瓣锻而在电浆处理后的膜的一面形成化层10皿。之后，在氧气气氛 的腔室中处理化瓣锻层，在表面形成铭氧化物，形成中间层。 阳251]再来，对化中间层的表面进行化瓣锻而形成厚Sym的化瓣锻层。瓣锻条件设 为在使用化祀的Ar气体中，放电电压为500V，放电电流为15A，真空度为5X1〇-2化。 阳252]接着，对于此5 y m的化瓣锻层的表面，对极薄铜层表面依序进行W下的粗化处理 1、粗化处理2、耐热处理、铭酸盐处理及硅烷偶合处理。 阳巧3] ?粗化处理1
[0254](液体组成1) 阳巧5] Cu:10 ~30g/L 阳巧6] &5〇4:10 ~150g/L 阳巧7] W:0 ~50mg/L 阳巧引十二烷基硫酸钢：0~50mg/L 阳巧9] As:0 ~200mg/L 阳26〇](电锻条件1) 阳％1] 溫度：30~70°C
[0262] 电流密度：25~IlOA/血2 阳263]粗化库伦量：50~500As/dm2 阳264] 锻敷时间：0.5~20秒 阳2化]?粗化处理2[0266](液体组成。 阳267] Cu:20 ~80g/L[0268] &5〇4:50 ~200g/L 阳269](电锻条件。 阳270]溫度：30~70°C阳27U 电流密度：5~50A/dm2 阳272]粗化库伦量：50~300As/dm2阳273] 锻敷时间：1~60秒
[0274]?耐热处理悦巧](液体组成） 阳276]化OH:40 ~200g/L阳八7] NaCN:70 ~250g/L 阳278] CuCN:50 ~200g/L 阳2巧]Zn(CN)2:2 ~lOOg/L阳280] As2〇3:0.Ol~Ig/L 阳281](液溫） 阳282] 40~90°C 阳28引（电流条件） 阳284] 电流密度：1~50A/dm2 阳2财锻敷时间：1~20秒阳286] ?铭酸盐处理 阳287] 1(2(立2〇7(化2化2〇7或化〇3):2 ~lOg/L 阳28引NaOH或KOH: 10 ~50g/L 阳289] ZnOH或ZnS〇4? 7&0 :0. 05 ~lOg/L 阳290] 抑：7~13 阳2川浴溫：20~80°C 阳29引电流密度：0. 05~5A/血2 阳293] 时间：5~30秒 阳294] ?硅烷偶合处理 阳2巧]喷涂0.Ivol%~0.3vol%的3 -环氧丙氧基丙基S甲氧基硅烷水溶液后，在 100~200°C的空气中进行干燥一加热0. 1~10秒钟。
[0296] <实施例2 > 阳297] W与实施例1相同的步骤、方法、条件在聚酷亚胺膜载体上形成5 y m的化瓣锻的 极薄铜层后，依序进行实施例1的耐热处理、铭酸盐处理、及硅烷偶合处理。 阳29引< 实施例3 >
[0299] W与实施例1相同的步骤、方法、条件在聚酷亚胺载体上形成1ym的化瓣锻层 后，接着，在漉对漉型的连续锻敷线上，通过电锻而在化瓣锻层上形成2ym的锻化层，W 下述的条件进行电锻，由此形成总铜厚为3ym的极薄铜层，制造附载体铜锥。
[0300] ?电锻Cu层 阳301] 铜浓度：30~120g/L 阳302] &8〇4浓度：20 ~120g/L 阳30引 Cl浓度：30~80mg/L 阳304] 二硫双（3 _横丙基）二钢浓度：10~50mg/L 阳305] 含有二烷基胺基的聚合物（重量平均分子量8500) : 10~50mg/L 阳306] 电解液溫度：20~80°C 阳307] 电流密度：10~100A/dm2 阳30引在形成极薄铜层后，接着在极薄铜层表面依序进行与实施例1相同的粗化处理1、粗化处理2、耐热处理、铭酸盐处理及硅烷偶合处理。 阳309] <实施例4 >
[0310] W与实施例3相同的步骤、方法、条件在聚酷亚胺膜载体上形成中间层及极薄铜 层。接着，依序进行实施例1的耐热处理、铭酸盐处理、及硅烷偶合处理。
[0311] <实施例5> 阳31引使用压延铜锥（JX日矿日石金属制造的精铜（JISH3100;合金编号C1100)锥；厚 度18ym)取代实施例4的聚酷亚胺载体，并对其W与实施例4相同的步骤、方法、条件形 成Iym的化瓣锻层后，接着，在漉对漉型的连续锻敷线上，通过电锻而在化瓣锻层上形成 2ym的锻化层，从而得到总铜厚为3ym的极薄铜层。接着，依序进行实施例1的耐热处 理、铭酸盐处理、及硅烷偶合处理。 阳313] <实施例6>
[0314] 使用电解铜锥（JX日矿日石金属制造的HLP锥；厚度18ym)取代实施例4的聚 酷亚胺载体，并对其W与实施例4相同的步骤、方法、条件形成1ym的化瓣锻层后，接着， 在漉对漉型的连续锻敷线上，通过电锻而在化瓣锻层上形成2ym的锻化层，从而得到总 铜厚为3ym的极薄铜层。接着，依序进行实施例1的耐热处理、铭酸盐处理、及硅烷偶合处 理。 阳315] <实施例7 > 阳316] 使用压延铜锥（JX日矿日石金属制造的精铜（JIS册100 ;合金编号C1100)锥；厚 度18ym)取代实施例4的聚酷亚胺载体，并对其W与实施例4相同的步骤、方法、条件形成 中间层后，接着，在漉对漉型的连续锻敷线上，W与实施例4相同的方法、条件通过电锻而 在中间层上形成3ym的锻化层，从而得到总铜厚为3ym的极薄铜层。接着，依序进行实 施例1的耐热处理、铭酸盐处理、及硅烷偶合处理。 阳317] <实施例8> 阳31引使用电解铜锥（JX日矿日石金属制造的HLP锥；厚度18ym)取代实施例4的聚酷 亚胺载体，并对其W与实施例4相同的步骤、方法、条件形成中间层后，接着，在漉对漉型的 连续锻敷线上，通过电锻而在中间层上形成3ym的锻化层，从而得到总铜厚为3ym的极 薄铜层。接着，依序进行实施例1的耐热处理、铭酸盐处理、及硅烷偶合处理。
[0319] <实施例9 >
[0320] 使用压延铜锥（JX日矿日石金属制造的精铜（JISH3100 ;合金编号C1100)锥；厚 度18ym)取代实施例4的聚酷亚胺载体，并对其W与实施例4相同的步骤、方法、条件形成 中间层后，接着，在漉对漉型的连续锻敷线上，W与实施例4相同的方法、条件通过电锻而 在中间层上形成3ym的锻化层，从而得到总铜厚为3ym的极薄铜层。接着，在进行W下 的粗化处理3后，依序进行实施例1的耐热处理、铭酸盐处理、及硅烷偶合处理。 阳321]?粗化处理3阳扣引（液体组成如 阳323] Cu:10 ~20g/L 阳324] Ni:5 ~15g/L阳325]Co:5~15g/L [0326](电锻条件如 阳327]溫度：25~60°C 阳328] 电流密度：35~55A/dm2 阳329]粗化库伦量：5~50As/dm2阳330]锻敷时间：0. 1~1.4秒 阳331] <实施例10 > 阳33引使用电解铜锥（JX日矿日石金属制造的HLP锥；厚度18ym)取代实施例4的聚酷 亚胺载体，并对其W与实施例4相同的步骤、方法、条件形成中间层后，接着，在漉对漉型的 连续锻敷线上，通过电锻而在中间层上形成3ym的锻化层，从而得到总铜厚为3ym的极 薄铜层。接着，在进行实施例9的粗化处理3后，依序进行实施例1的耐热处理、铭酸盐处 理、及硅烷偶合处理。 阳33引< 比较例1>
[0334]W电解铜锥（JX日矿日石金属制造的JTC锥；厚度18ym)取代实施例1的聚酷亚 胺载体，对其上的光泽面利用W下条件在漉对漉型的连续锻敷线上，通过电锻而形成附着 量 4000yg/dm2 的Ni层。 阳335] ?Ni层 阳336]硫酸儀：250~300g/L[033