附载体铜箔、使用其的覆铜积层板、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法_2

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为使用中间层侧表面的化为1. 0 ym W下的。通过此种构 成,可容易地将形成于载体上的中间层的一个表面或两表面的化控制在1. 0ymW下。载 体的中间层侧表面的化更优选为0. 5 ym W下,再更优选为0. 3 ym W下。
[0060] 作为本发明的载体,例如优选为使用树脂膜等膜,特优选为使用具有表面平滑性 的膜。作为此种膜载体,一般而言,优选为可承受干式表面处理或湿式表面处理时,或者是 基板制作时的积层压制时的热负载的耐热膜,可使用聚酷亚胺膜等。
[0061] 使用为聚酷亚胺膜的材料并无特别限制。例如现正上市中的宇部兴产制造的 Upilex、DuPont/DUPONT-TORAY制造的Kapton、KA肥KA制造的Apical等,任何的聚酷亚 胺膜皆可应用。又,可应用于本发明的载体的膜并不限定于上述的特定品种。
[0062] 在使用聚酷亚胺膜的情形,可通过对该膜表面进行电浆处理,来进行去除膜表面 的污染物质与表面改质。电浆处理后的聚酷亚胺膜的表面的Rz虽会受材质的不同与初期 表面粗糖度的不同影响,但可在化=2. 5~500皿的范围、Ra= 1~100皿的范围,或化 =5~SOOnm的范围内调整。又,通过预先取得电浆处理条件与表面粗糖度的关系,而可在 特定的条件进行电浆处理从而获得具有所欲的表面粗糖度的聚酷亚胺膜。
[0063] 又,作为本发明的载体,可使用金属锥。作为金属锥,可使用铜锥、儀锥、儀合金锥、 侣锥、侣合金锥、铁锥、铁合金锥、锋锥、锋合金锥、不诱钢锥等。又,作为本发明的载体,可使 用铜锥。铜锥典型而言W压延铜锥或电解铜锥的型态提供。一般而言,电解铜锥是自硫酸 铜锻浴中使铜电解析出于铁或不诱钢的滚筒上而制造,压延铜锥是重复利用压延漉的塑性 加工与热处理而制造。作为铜锥的材料,除了可使用精铜(JIS册100 ;合金编号C1100)或 无氧铜(JIS册100 ;合金编号C1020)等高纯度铜W外,也可使用例如像是渗Sn的铜、渗Ag 的铜、添加有化、Zr或Mg等的铜合金、添加有Ni及Si等的卡逊系铜合金般的铜合金。再 者,本说明书中单独使用用语"铜锥"时也包含铜合金锥。
[0064] 用作为本发明的载体的压延铜锥可通过高光泽压延来生产。 阳0化]再者,高光泽压延可通过将W下的式中所规定的油膜当量设为13000~24000W下而进行。再者,在欲进一步减小表面处理后的铜锥的表面粗糖度巧Z)(例如Rz= 0. 20ym)的情形时,可通过将W下式中所规定的油膜当量设为12000W上且24000W下而 进行高光泽压延。
[0066] 油膜当量={(压延油粘度[cSt]) X(通板速度虹pm]+漉周边速度虹pm])}/{(漉 的咬入角[rad]) X(材料的降伏应力[kg/mm2])}
[0067] 压延油粘度[cSt]为于40°C的动粘度。 W側为了将油膜当量设为12000~24000,只要使用低粘度的压延油、或使用减缓通板 速度等公知的方法即可。
[0069] 又,将用作为本发明的载体的电解铜锥的制造条件的一实施例表示如下。
[0070] <电解液组成>
[0071]铜:90~llOg/L
[0072]硫酸:90~llOg/L
[0073]氯:50~lOOmg/L
[0074] 调平剂1 (双(3 -横丙基)二硫酸):10~50mg/L W75] 调平剂2 (含有二烷基胺基的聚合物):10~50mg/L
[0076] 上述含有二烷基胺基的聚合物例如可使用W下化学式的含有二烷基胺的聚合物。
[0077][化学式U
[0078]
[0079](上述化学式中,Ri及Rz为选自由径烷基、酸基、芳基、经芳香族取代的烷基、不饱 和控基、烷基组成的群)
[0080] <制造条件>
[0081] 电流密度:70 ~100A/dm2
[0082] 电解液溫度:50~60°C
[0083] 电解液线速:3~5m/sec
[0084] 电解时间:0. 5~10分钟
[00化]又,作为可用于本发明中的电解铜锥,可列举JX日矿日石金属股份有限公司制造 的HLP锥。
[0086] 可用于本发明的载体的厚度并无特别限制,只要基于可发挥作为载体的效果来适 当调节成适当厚度即可,例如可设为25ymW上。但是,若过厚则生产成本变高,因此一般 优选为设为50ymW下。因此,载体的厚度典型而言为12~300ym,更典型为12~150ym, 再更典型为12~100ym,再更典型为25~50ym,再更典型为25~38ym。
[0087] <中间层>
[0088] 在载体上设置中间层。在载体与中间层之间也可设置其它层。作为中间层,可在 附载体铜锥中利用干式表面处理或湿式表面处理而制成任意的中间层。例如,中间层优选 为由含有化、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、或其等的合金、或其等的水和物、或其等的氧 化物或有机物中的任一种W上的层所形成。中间层也可W多个层来构成。
[0089] 在本发明的一实施方案中,中间层是自载体侧由下述两种层所构成,第一种层是 由选自化、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、化、Al的元素群中的任一种元素构成的单一金属层,或 由选自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al的元素群中的一种W上的元素构成的合金层;第 二种层是形成在其上的由选自化、化、(:0^6、]\1〇、1'1、胖、口、化、41的元素群中的一种^上的 元素的水和物或氧化物构成的层。
[0090] 中间层优选为W金属层或合金层与形成在其上的氧化物层此2层来构成。在此情 形,分别W金属层或合金层与和膜载体的界面相接,氧化物层与和极薄铜层的界面相接的 方式来形成。
[0091] 中间层例如可通过瓣锻、CVD及PVD之类的干式表面处理,或电锻、无电解锻敷及 浸溃锻敷之类的湿式表面处理而获得。
[0092] <极薄铜层>
[0093] 在中间层上设置极薄铜层。也可在中间层与极薄铜层间设置其他层。极薄铜层可 通过干式锻敷,或利用有硫酸铜、焦憐酸铜、胺横酸铜、氯化铜等电解浴的电锻(湿式锻敷) 来形成,优选为硫酸铜浴,其原因在于可在一般的电解铜锥中使用,且可在高电流密度下形 成铜锥。再者,在利用湿式锻敷形成极薄铜层的情形时,必须使用含有氯、作为调平剂的有 机硫化合物、作为调平剂的有机氮化合物的铜锻浴来形成极薄铜层。例如,在本申请中可用 于湿式锻敷的铜锻浴的组成、锻敷条件如W下所述。
[0094] ?铜锻浴 阳0巧]铜浓度:30~120g/L
[0096] H2SO4浓度:20~120g/L
[0097]Cl浓度:30~80mg/L 阳09引二硫双(3 -横丙基)二钢浓度:10~50mg/L
[0099] W下述结构式表示的含有二烷基胺基的聚合物:10~50mg/L
[0100] [化学式引
[0101]
[0102] ?锻铜条件阳103]电解液溫度:20~80°C 阳104]电流密度:10~100A/dm2
[0105] 极薄铜层的厚度并无特别限制,一般而言比载体薄,例如为12 ym W下。典型而言 为0. 5~12ym,更典型而言为2~5ym。再者,极薄铜层也可设置在载体的两面。
[0106] <粗化处理W及其他表面处理>
[0107] 在极薄铜层的表面,例如为了使其与绝缘基板的密合性变得良好等,通过施予粗 化处理来设置粗化处理层。粗化处理例如可通过利用铜或铜合金来形成粗化粒子来进行。 粗化处理层由形成窄间距的观点而言W细微的粒子来构成为优选。
[0108] 粗化处理层可为由选自由铜、儀、憐、鹤、神、钢、铭、钻及锋所组成的群中的任一单 质构成的层,或者由包含该等单质的任一种W上的合金构成的层,或具备包含该等单质的 任一种W上的合金的层来构成。
[0109] 又,在粗化处理后,利用儀、钻、铜、锋的单质或合金等形成二次粒子或S次粒子及 /或耐热层及/或防诱层,也可进一步对其表面施加铭酸盐处理、硅烷偶合处理等处理。即, 可在粗化处理层的表面形成选自由耐热层、防诱层、铭酸盐处理层及硅烷偶合处理层所构 成的群中的1种W上的层,也可在极薄铜层的表面形成选自由耐热层、防诱层、铭酸盐处理 层及硅烷偶合处理层所构成的群中的一种W上的层。
[0110] 此处所谓铭酸盐处理层,意指经利用含有铭酸酢、铭酸、重铭酸、铭酸盐或重铭酸 盐的液体处理的层。铭酸盐处理层也可含有钻、铁、儀、钢、锋、粗、铜、侣、憐、鹤、锡、神及铁 等元素(可为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形态)。作为铭酸盐处理层的具体 实施例,可列举经铭酸酢或重铭酸钟水溶液处理的铭酸盐处理层,或是经含有铭酸酢或重 铭酸钟及锋的处理液处理的铭酸盐处理层等。 阳111] 作为耐热层、防诱层,可使用公知的耐热层、防诱层。例如,耐热层及/或防诱层 也可为含有选自儀、锋、锡、钻、钢、铜、鹤、憐、神、铭、饥、铁、侣、金、银、销族元素、铁、粗的群 中的一种W上的元素的层,也可为由选自儀、锋、锡、钻、钢、铜、鹤、憐、神、铭、饥、铁、侣、金、 银、销族元素、铁、粗的群中的一种W上的元素构成的金属层或合金层。又,耐热层及/或防 诱层也可含有包含选自儀、锋、锡、钻、钢、铜、鹤、憐、神、铭、饥、铁、侣、金、银、销族元素、铁、 粗的群中的一种W上的元素的氧化物、氮化物、娃化物。又,耐热层及/或防诱层也可为含 有儀一锋合金的层。又,耐热层及/或防诱层也可为儀一锋合金层。上述儀一锋合金层可为 除不可避免的杂质W外,含有儀50wt%~99wt%、锋50wt%~Iwt%者。上述儀一锋合金层 的锋及儀的合计附着量为5~lOOOmg/m2,优选为10~500mg/m2,优选也可为20~IOOmg/ m2。又,上述含有儀一锋合金的层或上述儀一锋合金层的儀附着量与锋附着量之比(=儀的 附着量/锋的附着量)优选为1. 5~10。又,上述含有儀一锋合金的层或上述儀一锋合金 层的儀附着量优选为0. 5mg/m2~500mg/m2,更优选为Img/m2~50mg/m2。在耐热层及/或 防诱层为含有儀一锋合金的层的情形时,通孔(throu曲hole)或通路孔(viahole)等的 内壁部与除胶渣(desmear)液接触时铜锥与树脂基板的界面难W被除胶渣液腐蚀,铜锥与 树脂基板的密合性会提升。 阳11引例如耐热层及/或防诱层可为将附着量为Img/m2~lOOmg/m2、优选为5mg/m2~ 50mg/m2的儀或儀合金层、与附着量为Img/m2~80mg/m2、优选为5mg/m2~40mg/m2的锡层依 序积层而成,上述儀合金层也可由儀一钢、儀一锋、儀一钢一钻中的任一种构成。又,耐热层 及/或防诱层的儀或儀合金与锡的合计附着量优选为2mg/m2~150mg/m2,更优选为IOmg/ m2~70mg/m2。又,耐热层及/或防诱层优选为[儀或儀合金中的儀附着量]/[锡附着量] =0. 25~1
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