0,更优选为0. 33~3。若使用该耐热层及/或防诱层，则将附载体铜锥加工成 印刷配线板W后的电路的剥离强度、该剥离强度的耐化学品性劣化率等会变得良好。
[0113] 再者，硅烷偶合处理所使用的硅烷偶合剂可使用公知的硅烷偶合剂，例如可使用 胺系硅烷偶合剂或环氧系硅烷偶合剂、琉基系硅烷偶合剂。又，硅烷偶合剂也可使用乙締基 S甲氧基硅烷、乙締基苯基S甲氧基硅烷、丫 一甲基丙締氧基丙基S甲氧基硅烷（丫 一me thac巧Ioxyprop^trimetho巧silane)、丫一环氧丙氧基丙基S甲氧基硅烷（丫 一glycido xyp;ropylt;rimethoxysilane)、4-环氧丙基下基S甲氧基硅烷、丫一胺基丙基S乙氧基娃 烧、N- 0 (胺基乙基）丫一胺基丙基S甲氧基硅烷、N- 3 - (4 - (3 -胺基丙氧基）下 氧基）丙基一3 -胺基丙基=甲氧基硅烷、咪挫硅烷、=嗦硅烷、丫 一琉基丙基=甲氧基娃 烧等。
[0114] 上述硅烷偶合处理层也可使用环氧系硅烷、胺系硅烷、甲基丙締氧基系硅烷、琉基 系硅烷等硅烷偶合剂等而形成。再者，此种硅烷偶合剂也可将两种W上混合使用。其中，优 选为使用胺系硅烷偶合剂或环氧系硅烷偶合剂所形成者。
[0115] 此处所谓的胺系硅烷偶合剂也可为选自由如下物质所组成的群者：N- (2 -胺基 乙基）一3 -胺基丙基S甲氧基硅烷、3 -(N-苯乙締基甲基一2 -胺基乙基胺基）丙基 =甲氧基硅烷、3 -胺基丙基=乙氧基硅烷、双（2 -径基乙基）一3 -胺基丙基=乙氧基 硅烷、胺基丙基=甲氧基硅烷、N-甲基胺基丙基=甲氧基硅烷、N-苯基胺基丙基=甲氧 基硅烷、N- (3 -丙締氧基一2 -径基丙基）一3 -胺基丙基=乙氧基硅烷、4 -胺基下 基=乙氧基硅烷、（胺基乙基胺基甲基）苯乙基=甲氧基硅烷、N- (2 -胺基乙基一3 -胺基丙基甲氧基硅烷、N- (2-胺基乙基一3-胺基丙基(2-乙基己氧基）娃 烧、6 -(胺基己基胺基丙基甲氧基硅烷、胺基苯基=甲氧基硅烷、3 - (1 -胺基丙氧 基）一3, 3 -二甲基一1 -丙締基S甲氧基硅烷、3 -胺基丙基S(甲氧基乙氧基乙氧基） 硅烷、3-胺基丙基=乙氧基硅烷、3-胺基丙基=甲氧基硅烷、CO-胺基^^一烷基=甲氧 基硅烷、3 - (2 -N-苄基胺基乙基胺基丙基）S甲氧基硅烷、双（2 -径基乙基）一3 -胺基丙基S乙氧基硅烷、（N，N-二乙基一3 -胺基丙基）S甲氧基硅烷、（N，N-二甲基一 3 -胺基丙基）=甲氧基硅烷、N-甲基胺基丙基=甲氧基硅烷、N-苯基胺基丙基=甲氧 基硅烷、3- (N-苯乙締基甲基一2-胺基乙基胺基）丙基=甲氧基硅烷、丫一胺基丙基 S乙氧基硅烷、N- 0 (胺基乙基）丫一胺基丙基S甲氧基硅烷、N- 3 - (4 - (3 -胺基 丙氧基）下氧基）丙基一3 -胺基丙基=甲氧基硅烷。 阳116]硅烷偶合处理层较理想为W娃原子换算设为0. 05mg/m2~200mg/m2、优选为0. 15mg/m2~20mg/m2、优选为0. 3mg/m2~2. Omg/m%范围。在上述范围的情形时，可使基 材树脂与表面处理铜锥的密合性更加提升。
[0117] 又，可对极薄铜层、粗化处理层、耐热层、防诱层、硅烷偶合处理层或铭酸盐处理层 的表面进行下述专利所记载的表面处理：国际公开编号W02008/053878、日本特开2008 -111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号W02006/028207、日本专利第4828427号、 国际公开编号W02006/134868、日本专利第5046927号、国际公开编号W02007/105635、日本 专利第5180815号、日本特开2013 - 19056号。
[0118] 施予粗化处理等的各种表面处理后的极薄铜层的表面（再者，在本发明中，在极 薄铜层的表面施予粗化处理等的各种表面处理的情形时，"极薄铜层的表面"及"极薄铜层 表面"是指施予粗化处理等各种表面处理后的极薄铜层的表面）在一方面中，在利用非接触 式粗糖度计对至少一面，优选为两面进行测定时，将化（十点平均粗糖度）设为0. 5ymW 下在形成窄间距的观点上极为有利。化优选为0. 3ymW下、更优选为0. 1ymW下。然而，Rz 若变得过小，则与树脂的密合力会降低，故而必须根据所使用的基板的与树脂的组合来进 行适当选择。再者，化的下限不需特别设定，例如化为0.0001ymW上，例如为0.0005ym W上，例如为0.OOlOymW上，例如为0. 005ymW上，例如为0. 007ymW上。
[0119] 施予粗化处理等各种表面处理后的极薄铜层的表面在另一方面中，在利用非接触 式粗糖度计对至少一面，优选为两面进行测定时，将Ra(算术平均粗糖度）设为0.12y m W 下在形成窄间距的观点上极为有利。Ra优选为0.10ym W下、更优选为0.08 ym W下，再 更优选为0. 05 y m W下。然而，Ra若变得过小，则与树脂的密合力会降低，故而必须根据所 使用的基板的与树脂的组合来进行适当选择。再者，Ra的下限不需特别设定，例如Ra为 0.0 OOl y m W上，例如为0. 0005 y m W上，例如为0.0 OlO y m W上，例如为0. 005 y m W上，例 如为0.007 ym W上。
[0120] 施予粗化处理等各种表面处理后的极薄铜层的表面在另一方面中，在利用非接触 式粗糖度计对至少一面，优选为两面进行测定时，将化设为1.0y m W下在形成窄间距的观 点上极为有利。化优选为O.SymW下、更优选为O.SymW下。然而，化若变得过小，贝U 与树脂的密合力会降低，故而必须根据所使用的基板的与树脂的组合来进行适当选择。再 者，化的下限不需特别设定，例如化为0.0001ymW上，例如为0.0005ymW上，例如为 0.OOlOymW上，例如为 0. 005ymW上，例如为 0. 007ymW上。 阳121] 上述极薄铜层表面并非如上述般分别单独地控制化、Ra、化的粗糖度，而是通过 控制化与Ra、Ra与Rt,或是化与Ra与化而可更良好地形成窄间距。 阳122] 在本发明中，关于极薄铜层表面的化，是根据JISB0601 - 1994利用非接触式粗 糖度计来进行测定，关于Ra、化的粗糖度参数，是根据JISB0601 - 2001利用非接触式粗 糖度计来进行测定。
[0123] 由此，极薄铜层表面的Rz、Ra、及/或化的粗糖度经控制的本发明的附载体铜 锥适于形成窄间距，例如可形成比被认为是利用MSAP步骤而可形成的极限的线/间隔= 15Jim/15Jim更加细微的配线，例如线/间隔=10Jim/10Jim的细微配线。 阳124] <树脂层>
[0125] 本发明的附载体铜锥的极薄铜层（在极薄铜层经表面处理的情形时，通过该表面 处理而形成在极薄铜层上的表面处理层）上也可具备树脂层。上述树脂层也可为绝缘树脂 层。
[01%] 上述树脂层也可为接着用树脂，即接着剂，也可为接着用半硬化状态度阶段状 态）的绝缘树脂层。所谓半硬化状态度阶段状态），包含如下状态：即便用手指触摸其表 面也无粘着感，可重迭地保管该绝缘树脂层，若进一步进行加热处理，则会引起硬化反应。 [0127] 又，上述树脂层也可含有热硬化性树脂，也可为热塑性树脂。又，上述树脂层也可 含有热塑性树脂。上述树脂层可含有公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电 体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等。又，上述树脂层例如可使用如下文献 中所记载的物质（树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚 合物、预浸体、骨架材料等）及/或树脂层的形成方法、形成装置而形成，该文献是：国际公 开编号W02008/004399号、国际公开编号W02008/053878、国际公开编号W02009/084533、日 本特开平11 - 5828号、日本特开平11 - 140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号 W097/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000 -43188号、日本专利第3612594号、日 本特开2002 - 179772号、日本特开2002 - 359444号、日本特开2003 - 304068号、日本 专利第3992225号、日本特开2003 - 249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004 -82687号、日本专利第4025177号、日本特开2004 - 349654号、日本专利第4286060号、日 本特开2005 - 262506号、日本专利第4570070号、日本特开2005 - 53218号、日本专利 第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号W02004/005588、日本特开2006 -257153号、日本特开2007 - 326923号、日本特开2008 - 111169号、日本专利第5024930 号、国际公开编号W02006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009 - 67029号、国 际公开编号W02006/134868、日本专利第5046927号、日本特开2009 - 173017号、国际公 开编号W02007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号W02008/114858、国际公开编 号W02009/008471、日本特开2011 - 14727号、国际公开编号W02009/001850、国际公开编 号W02009/145179、国际公开编号W02011/068157、日本特开 2013 - 19056 号。 阳12引 < 附载体铜锥>
[0129] 如此，制造具备载体、积层于载体上的剥离层、及积层于剥离层上的极薄铜层的附 载体铜锥。
[0130] 将本发明的附载体铜锥的结构的一实施例示于图1。图1所示的本发明的附载体 铜锥依序具备膜载体、中间层与极薄铜层。极薄铜层是W通过瓣锻而形成的瓣锻铜层及通 过电锻而形成的电解铜层来构成。又，将附载体铜锥自极薄铜层侧贴合于树脂基板并剥离 载体后的极薄铜层表面区分为剥离面侧与树脂面侧。 阳131] 附载体铜锥本身的使用方法为本领域技术人员所周知，例如可将极薄铜层的表面 贴合于纸基材酪树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布一纸复合基材环 氧树脂、玻璃布一玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚醋膜、聚酷亚胺 膜等绝缘基板并进行热压接后，剥离载体而形成覆铜积层板，将接着于绝缘基板的极薄铜 层蚀刻为目标导体图案，最后制造印刷配线板。进一步，通过在印刷配线板搭载电子零件 类，而完成印刷电路板。在本发明中印刷配线板"也形成为含有此种搭载有电子零件类的 印刷配线板及印刷电路板及印刷基板。
[0132] 又，也可使用该印刷配线板而制作电子机器，也可使用搭载有该电子零件类的印 刷配线板来制作电子机器，也可使用搭载有该电子零件类的印刷基板来制作电子机器。W 下，表示若干使用有本发明的附载体铜锥的印刷配线板的制造步骤的实施例。
[0133] 在本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案中，包含下述步骤：准备本发明 的附载