一种茵芋的快速繁殖方法

文档序号:217012阅读:432来源:国知局
一种茵芋的快速繁殖方法
【专利摘要】本发明公开了一种茵芋的快速繁殖方法,包括无菌芽的获得,丛生芽的诱导,丛生芽的增殖,生根诱导,野外炼苗移栽,大田栽培管理。本发明方法建立了茵芋的快速微繁体系,可以在短期内培育大量的茵芋幼苗,并用于大田生产。
【专利说明】一种茵芋的快速繁殖方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及茵芋组织培养的快繁方法,属于植物【技术领域】。
【背景技术】
[0002]茵芋,又名卑山共、莞草、卑共、茵蓣、因预。喜生于树阴下、海拔较高的树林下。主要分布在华东、西南及台湾、湖北、湖南、广东、广西等地。茎皮、叶、根均可入药,是一种药用植物,茎皮和根含呋喃喹啉生物碱7-异戊烯氧基-Y -崖椒碱,茵芋碱,单叶芸香品碱等,叶中含茵芋甙和茵芋碱。主治风湿痹痛,四肢挛急,两足软弱等症。

【发明内容】

[0003]本发明所要解决的技术问题是提供一种茵芋的组培微繁殖方法,由该方法所制备得到的茵芋组培幼苗生长周期短,成活率高,可控性好,可以规模化的进行生产。
[0004]本发明所要解决的技术问题是通过以下方案来实现的:
选用茵芋生长健壮的带芽的茎段,用漂白粉浸泡三分钟,自来水冲洗1.5h,在超净工作台上用75%酒精处理30s,0.2%的升汞消毒10分钟,无菌水冲洗4-5次,接种在DKW+NAA0.2mg/L+6-BA0.6mg/L腋芽诱导培养基上,将诱导出来的腋芽接入增殖培养基DKff+2,4-D0.3mg/L+KT0.3mg/L+PVP上进行增殖培养,培养条件为光照ΙΟΟΟΙχ,光期10h,暗期14h,温度25°C,湿度60%-70%,增殖培养25天,转入生根培养基3/4MS+NAA0.2mg/L+TDZ0.05 mg/L中诱导生根,培养条件为光照20001x,光期12h,暗期12h,温度27°C,湿度60%-70%,试管苗生根后长约5cm进行炼苗移栽,将茵芋幼苗从培养瓶中取出,洗去根部的琼脂,用10-50mg/L的IAA浸蘸根系,迅速移栽入装有消毒基质的盆中,防止在光照培养箱中,光照强度20001x,温度27°C`,光期12h,暗期12h,湿度60%_70%,两周后从光照培养基中取出的小苗,定植于铺好的苗床上,盖上薄膜和阴网,一周后去掉薄膜,两周后去掉阴网,组培苗移栽25天以上就可以移栽大田或推广应用。
[0005]采用本发明培养出来的试管苗长势好,生长速度快,成活率达94%,周期短,操作可控,可进行工业扩大化生产。
[0006]下面将结合【具体实施方式】对本发明作进一步阐述,但本发明要求保护的范围并不局限于下列实施方式。
【具体实施方式】
[0007]实施例1
选用茵芋生长健壮的带芽的茎段,用漂白粉浸泡三分钟,自来水冲洗1.5h,在超净工作台上用75%酒精处理30s,0.2%的升汞消毒10分钟,无菌水冲洗4-5次。接种在DKW+NAA0.lmg/L+6-BA0.2mg/L腋芽诱导培养基上,将诱导出来的腋芽接入增殖培养基DKff+2, 4-D0.2mg/L+KT0.2mg/L+PVP上进行增殖培养,培养条件为光照ΙΟΟΟΙχ,光期10h,暗期14h,温度25°C,湿度60%-70%,增殖培养25天,转入生根培养基3/4MS+NAA0.2mg/L+TDZ0.05 mg/L中诱导生根,培养条件为光照20001x,光期12h,暗期12h,温度27°C,湿度60%-70%,试管苗生根后长约5cm进行炼苗移栽,成活率达94%,成活率达85%。
[0008]实施例2
选用茵芋生长健壮的带芽的茎段,用漂白粉浸泡三分钟,自来水冲洗1.5h,在超净工作台上用75%酒精处理30s,0.2%的升汞消毒10分钟,无菌水冲洗4-5次。接种在DKW+NAA0.2mg/L+6-BAlmg/L腋芽诱导培养基上,将诱导出来的腋芽接入增殖培养基DKff+2,4-D0.5mg/L+KT0.4mg/L+PVP上进行增殖培养,培养条件为光照ΙΟΟΟΙχ,光期10h,暗期14h,温度25°C,湿度60%-70%,增殖培养25天,转入生根培养基3/4MS+NAA0.2mg/L+TDZ0.05 mg/L中诱导生根,培养条件为光照20001x,光期12h,暗期12h,温度27°C,湿度60%-70%,试管苗生根后长约5cm进行炼苗移栽,成活率达90%。
[0009]实施例3
选用茵芋生长健壮的带芽的茎段,用漂白粉浸泡三分钟,自来水冲洗1.5h,在超净工作台上用75%酒精处理30s,0.2%的升汞消毒10分钟,无菌水冲洗4-5次。接种在DKW+NAA0.lmg/L+6-BA 0.6mg/L腋芽诱导培养基上,将诱导出来的腋芽接入增殖培养基DKff+2,4-D0.3mg/L+KT0.3mg/L+PVP上进行增殖培养,培养条件为光照ΙΟΟΟΙχ,光期10h,暗期14h,温度25°C,湿度60%-70%,增殖培养25天,转入生根培养基3/4MS+NAA0.2mg/L+TDZ0.05 mg/L中诱导生根,培养条件为光照20001x,光期12h,暗期12h,温度27°C,湿度60%-70%,试管苗生根后长约5cm进行炼苗移栽,成活率达88%。
[0010]实施例4
选用茵芋生长健壮的带芽的茎段,用漂白粉浸泡三分钟,自来水冲洗1.5h,在超净工作台上用75%酒精处理30s,0.2%的升汞消毒10分钟,无菌水冲洗4-5次。接种在DKW+NAA0.2mg/L+6-BAlmg/L腋芽诱导培养基上,将诱导出来的腋芽接入增殖培养基DKff+2,4-D0.3mg/L+KT0.4mg/L+PVP上进行增殖培养,培养条件为光照ΙΟΟΟΙχ,光期10h,暗期14h,温度25°C,湿度60%-70%,增殖培养25天,转入生根培养基3/4MS+NAA0.2mg/L+TDZ0.05 mg/L中诱导生根,培养条件为光照20001x,光期12h,暗期12h,温度27°C,湿度60%-70%,试管苗生根后长约5cm进行炼苗移栽,成活率达89%。
【权利要求】
1.一种茵芋的快速繁殖方法,其步骤如下: (1)外植体的处理:采用常规的组织培养方法对茵芋带芽茎段进行消毒处理; (2)诱导培养:取步骤(I)获得的无菌带芽茎段接种在接种在DKW+NAA0.2mg/L+6-BA0.6mg/L腋芽诱导培养基上进行芽诱导; (3)增殖培养:取步骤(2)诱导出来的丛生芽接入增殖培养基DKW+2,4-D0.3mg/L+KT0.3mg/L+PVP上进行增殖培养; (4)生根诱导:取步骤(3)增殖培养25天,转入生根培养基3/4MS+NAA0.2mg/L+TDZ0.05mg/L中诱导生根; (5)炼苗移栽。
2.根据权利要求1所述的一种茵芋的快速繁殖方法,其特征是:茵芋的芽经消毒处理,接种在DKW+NAA0.1-0.2mg/L+6-BA 0.2-lmg/L腋芽诱导培养基上,将诱导出来的腋芽接入增殖培养基DKW+2,4-D0.2-0.5mg/L+KT0.2-0.4mg/L+PVP上进行增殖培养25天,转入生根培养基3/4MS+NAA0.2mg/L+TDZ0.05 mg/L中诱导生根,试管苗生根后长约5cm进行炼苗移栽,大田大规模生产。
3.根据权利要求1所述的一种茵芋的快速繁殖方法,其特征是:所述的消毒处理为:选用茵芋生长健壮的带芽的茎段,用漂白粉浸泡三分钟,自来水冲洗1.5h,在超净工作台上用75%酒精处理30s,0.2%的升汞消毒10分钟,无菌水冲洗4-5次。
4.根据权利要求1所述的一种茵芋的快速繁殖方法,其特征是:诱导增殖的条件为光照ΙΟΟΟΙχ,光期10h,暗 期14h,温度25°C,湿度60%-70% ;生根的条件为光照20001x,光期12h,暗期12h,温度27。。,湿度60%-70%。
5.根据权利要求1所述的一种茵芋的快速繁殖方法,其特征是:获得的茵芋增殖后的丛生芽易产生玻璃化现象,在培养基中加入适量的PVP会有效阻止此现象。
6.根据权利要求1所述的一种茵芋的快速繁殖方法,其特征是:炼苗移栽过程中,将茵芋幼苗从培养瓶中取出,洗去根部的琼脂,用10-50mg/L的IAA浸蘸根系,迅速移栽入装有消毒基质的盆中,防止在光照培养箱中,光照强度20001x,温度27°C,光期12h,暗期12h,湿度60%-70%,两周后从光照培养基中取出的小苗,定植于铺好的苗床上,盖上薄膜和阴网,一周后去掉薄膜,两周后去掉阴网,组培苗移栽25天以上就可以移栽大田或推广应用。
【文档编号】A01H4/00GK103444548SQ201310423824
【公开日】2013年12月18日 申请日期:2013年9月17日 优先权日:2013年9月17日
【发明者】杨存 申请人:南京通泽农业科技有限公司
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