专利名称：清洗系统上的喷射装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体领域的化学机械研磨(CMP)后的清洗制程，具体地说， 涉及一种用于CMP后晶圆清洗系统上的喷射装置。
背景技木
晶圆经过CMP制程后需要进行清洗才能进入下一制程。晶圆的清洗制程是 在CMP机台的清洗系统上进行的。清洗系统包括清洗槽以及安装于清洗槽内两 个滚筒毛刷和喷射装置。现有技术中的喷射装置包括位于两个滚筒毛刷上方的 两个喷射管，用于向晶圆正面和背面喷洒清洗液。图l和图2分别为现有喷射 装置1的俯视示意图和剖视示意图。该喷射装置1包括喷射管13、 14分别位于 晶圆100的两侧。液体管ll、 12分别为喷射管13、 14提供清洗液。喷射管13、 14上分别设有三个喷嘴130、 140,以在晶圓1的正面和背面喷洒清洗液。清洗 时，滚筒毛刷配合着喷洒的清洗液清洗晶圓的正面和背面。
喷射装置1虽然可以向晶圆的正面和背面喷射清洗液，但是无法有效地喷 洒到晶圆的边缘，滚筒毛刷也不容易清洗到晶圓的边缘。这样，在后续的淀积 薄膜的制程中，由于晶圆的边缘存在残留杂质，导致淀积在晶圆边缘的薄膜容 易脱落,部分落到晶圓中心部分的器件上，最终影响其电学性能，降低了晶圆 的良率。
发明内容
有鉴于此，本发明解决的技术问题在于提供一种清洗系统上的喷射装置， 其可有效提高清洗晶圆的洁净程度。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种新的清洗系统上的喷射装置。该 喷射装置包括第一喷射管和第二喷射管，所述第一、第二喷射管上分别设有数
个喷嘴，以分别在晶圆的正面和背面喷射清洗液；所述喷射装置还包括第三喷 射管，所述第三喷射管设有对晶圆边缘喷射清洗液的喷嘴。
进一步地，第三喷射管上喷嘴的开口方向与第一喷射管和第二喷射管上喷嘴的开口方向垂直。
进一步地，所述喷射装置包括分别对所述第一喷射管、第二喷射管和第三
喷射管提供清洗液的第一液体管、第二液体管和第三液体管；其中第三液体管 连接至第二液体管上；或者第三液体管是单独的输送管道，这样第三液体管输 送的清洗液是可以与晶圆表面残留物发生化学反应的化学液，第一液体管、第 二液体管输送的清洗液是去离子水。
进一步地，所述第三喷射管设有控制清洗液流量的调节阀。 与现有技术相比，本发明所述的喷射装置不仅设置了喷洒晶圆正面和背面 的喷射管，还设置了喷洒晶圆边缘的喷射管，有效地清除了晶圓边缘的残留杂 质，减少了在后续制程中出现薄膜脱落的现象。
图1为现有喷射装置的俯视示意图。
图2为图1沿A-A方向的剖视示意图。
图3为本发明第一实施例描述的喷射装置的俯视示意图。
图4为图3沿B-B方向的剖^f见示意图。
图5为本发明第二实施例描述的喷射装置的俯视示意图。
具体实施例方式
以下结合附图对本发明提供的清洗系统上的喷射装置的较佳实施例作详细 描述，以期进一步理解发明的技术方案、目的以及有益效果等。
请参阅图3并结合图4，第一实施例的喷射装置2包括位于晶圆100上方两 侧的第一喷射管23和第二喷射管24。第一、第二喷射管23、 24上分别设有均 匀间隔设置的三个喷嘴230、 240，用于对晶圆100的正面和背面喷洒清洗液。 喷射装置2通过第一液体管21和第二液体管22分别为第一喷射管23和第二喷 射管24提供清洗液，所述清洗液可以是去离子水，也可以是与晶圆表面的残留 杂质反应的化学液。
所述喷射装置2还设有向晶圓100边缘喷洒清洗液的第三喷射管26，其通 过第三液体管25使用第二液体管22中的清洗液。所述第三喷射管26与第三液 体管25连接的一端安装有流量调节阀262来控制清洗液的流量，以避免流量过大，影响第二喷射管24对晶圆背面的喷洒效果。所述流量调节阀262可以通过 一个空气阀来实现。第三喷射管26的另一端通过4妄头261安装有一个喷嘴，其 为一个氟素树脂(PFA)管260。所述PFA管260的开口方向与上述喷嘴230、 240的开口方向垂直。PFA管260向晶圓100正面的边缘部分喷洒清洗液，通过 清洗液的沖洗和晶圆IOO的本身的旋转将晶圆100边缘的残留杂质去除。需要 指出的是，本发明提到的晶圆边缘是指晶圆的最大直径的边至喷嘴230、 240所 喷洒到的最外侧的边之间的环形区域。
图5为本发明第二实施例喷射装置3的俯视示意图。该喷射装置3与喷射 装置2基本相同，不同的是，第三液体管35是单独的输送管道，不与第二液体 管32连接。采用喷射装置3可以实现使用不同的清洗液清洗。也就是说，第一 液体管31和第二液体管32可以输送去离子水，而第三液体管输送化学液，这 样第三喷射管36喷洒的化学液与晶圆边缘的残留杂质发生反应，反应后的溶液 通过晶圆IOO的旋转甩出，从而将晶圆100边缘(尤其是晶圆IOO正面的边缘) 清洗干净，相较直接用去离子水沖洗，进一步提高晶圓的洁净程度。
从图3和图5可知，本发明提供的实施例中描述的第三喷洒管是对准晶圆 正面边缘的，可以理解的是，本发明还可以再设置一个喷洒管是对准晶圆背面 边缘的，或者将喷洒管的喷嘴加大，使其不仅可以喷洒到晶圆正面边缘，也可 以喷洒到晶圆背面边缘，也属于本发明的内容。
相较现有技术，本发明通过增加一个喷射管对晶圆的边缘进行清洗，提高 了晶圆的洁净程度，有效地避免了因杂质残留导致后续制程中薄膜脱落的现象。
上述描述仅是对本发明几种较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何 限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，例 如，两种实施例中的第三喷射管和PFA管还可以采用可随意调整角度软管实现， 均属于权利要求书的保护范围。
权利要求
1.一种清洗系统上的喷射装置，所述喷射装置包括第一喷射管和第二喷射管，所述第一、第二喷射管上分别设有数个喷嘴，以分别在晶圆的正面和背面喷射清洗液，其特征在于，所述喷射装置还包括第三喷射管，所述第三喷射管设有对晶圆边缘喷射清洗液的喷嘴。
2. 如权利要求1所述的清洗系统上的喷射装置，其特征在于，第三喷射管上喷 嘴的开口方向与第一喷射管和第二喷射管上喷嘴的开口方向垂直。
3. 如权利要求1所述的清洗系统上的喷射装置，其特征在于，所述喷射装置包 括分别对所述第一喷射管、第二喷射管和第三喷射管提供清洗液的第一液体管、 第二液体管和第三液体管；其中第三液体管连接至第二液体管上。
4. 如权利要求1所述的清洗系统上的喷射装置，其特征在于，所述喷射装置包 括分别对所述第一喷射管、第二喷射管和第三喷射管提供清洗液的第 一液体管、 第二液体管和第三液体管；其中第三液体管输送的清洗液是可以与晶圆表面残 留物发生化学反应的化学液，第一液体管、第二液体管输送的清洗液是去离子 水。
5. 如权利要求3或者4所述的清洗系统上的喷射装置，其特征在于，所述第三 喷射管设有控制清洗液流量的调节阀。
6. 如权利要求5所述的清洗系统上的喷射装置，其特征在于，所述调节阀是空 气阀。
7. 如权利要求1所迷的清洗系统上的喷射装置，其特征在于，所述第三喷射管 由可调节喷嘴角度的软管制成。
8. 如权利要求1所述的清洗系统上的喷射装置，其特征在于，第一喷射管和第 二喷射管上分别设有三个喷嘴，第三喷射管上设有一个喷嘴。
9. 如权利要求1所述的清洗系统上的喷射装置，其特征在于，所述第三喷射管 的喷嘴开口对准晶圆的正面边缘。
10. 如权利要求1所述的清洗系统上的喷射装置，其特征在于，所述第三喷射管 的喷嘴采用的是氟素树脂管。
全文摘要
本发明公开了一种清洗系统上的喷射装置。该喷射装置包括第一喷射管和第二喷射管，所述第一、第二喷射管上分别设有数个喷嘴，以分别在晶圆的正面和背面喷射清洗液；所述喷射装置还包括第三喷射管，所述第三喷射管设有对晶圆边缘喷射清洗液的喷嘴。与现有技术相比，本发明所述的喷射装置不仅设置了喷洒晶圆正面和背面的喷射管，还设置了喷洒晶圆边缘的喷射管，有效地清除了晶圆边缘的残留杂质，减少了在后续制程中出现薄膜脱落的现象。
文档编号B08B13/00GK101590474SQ200810038388
公开日2009年12月2日 申请日期2008年5月30日 优先权日2008年5月30日
发明者陈肖科 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司