能够进行热处理的低辐射玻璃及其制造方法
【专利摘要】本发明涉及在热处理前后也没有特性的变化，因而能够进行热处理，并且耐久性也优秀的低辐射玻璃及其制造方法。本发明的能够进行热处理的低辐射玻璃，其特征在于，包括：太阳光调节金属层，形成于玻璃基材的上部，第一电介质层，形成于上述太阳光调节金属层的下部，第二电介质层，形成于上述太阳光调节金属层的上部，以及最上部保护层，形成于上述第二电介质层的上部；上述第一电介质层具有由最下部电介质层与下部金属保护电介质层层叠的结构，上述最下部电介质层包含金属氧化物，上述下部金属保护电介质层包含金属（氧）氮化物；由此，本发明具有在进行热处理后，低辐射玻璃的特性也没有变化的优点。
【专利说明】能够进行热处理的低辐射玻璃及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及低辐射玻璃及其制造方法，更为详细地，涉及能够进行热处理，并且耐久性也优秀的低辐射玻璃及其制造方法。
【背景技术】
[0002]低福射玻璃(Low-Emissivity glass)是指以薄膜的方式蒸镀低福射层的玻璃，上述低辐射层包含如银(Ag)之类的在红外线区域中反射率高的金属。这种低辐射玻璃为在夏天反射太阳辐射热，在冬天储存从室内的取暖器产生的红外线，从而带来建筑物的节能效果的功能性材料。与低辐射玻璃相关的技术已公知于韩国公开专利公报第10-2010-0021355号等多个文献。
[0003]一般来说，由于用作低辐射层的银(Ag)容易被氧化，因而在上述低辐射层的上部、下部蒸镀电介质层作 为抗氧化膜。并且，这种电介质层还起到增加可见光透射率的作用。
[0004]现有的电介质层由金属氧化物构成，且使用锌(Zn)、钛(Ti )、锡(Sn)等的氧化物或锌和锡的复合金属(SnZn)等。但是，在构成现有的电介质层的金属氧化物的情况下，由于在进行热处理后，在与氧化物相邻的金属层之间容易产生界面反应，因而具有热处理前后的可见光透射率容易改变的缺点。
【发明内容】
[0005]技术问题
[0006]本发明用于解决如上所述的问题，其目的在于，提供在热处理前后也没有辐射率等特性的变化的低辐射玻璃及其制造方法。
[0007]技术方案
[0008]用于实现上述一个目的的本发明的实施例的低辐射玻璃，其特征在于，包括:太阳光调节金属层，形成于玻璃基材的上部，第一电介质层，形成于上述太阳光调节金属层的下部，第二电介质层，形成于上述太阳光调节金属层的上部，以及最上部保护层，形成于上述第二电介质层的上部；上述第一电介质层具有由最下部电介质层与下部金属保护电介质层层叠的结构，上述最下部电介质层包含金属氧化物，上述下部金属保护电介质层包含金属(氧)氮化物。
[0009]用于解决上述其他目的的本发明的实施例的低辐射玻璃的制造方法，其特征在于，包括:步骤(a)，在玻璃基材的上部蒸镀金属氧化物，并在被蒸镀的上述金属氧化物的上部蒸镀金属(氧)氮化物，来形成第一电介质层；步骤(b)，在上述第一电介质层的上部形成太阳光调节金属层；步骤(C)，在上述太阳光调节金属层的上部蒸镀金属(氧)氮化物，来形成第二电介质层；以及步骤(d)，在上述第二电介质层的上部蒸镀金属氧化物，来形成最上部保护层。
[0010]发明的效果
[0011]本发明的低福射玻璃的形成于玻璃基材上的第一电介质层具有由最下部电介质层与下部金属保护电介质层层叠的结构，上述最下部电介质层由金属氧化物构成，上述下部金属保护电介质层由金属(氧)氮化物构成，从而具有上述金属(氧)氮化物从氧化物内的氧的影响中保护太阳光调节金属层的优点。
[0012]因此，由于如上所述的结构性特征，本发明的低辐射玻璃具有在热处理后，可见光透射率也很优秀且辐射率也没有变化的优点。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1为表示本发明的实施例的低辐射玻璃的结构的剖视图。
[0014]图2为简要表示本发明的实施例的低辐射玻璃的制造方法的流程图。
【具体实施方式】
[0015]以下参照附图详细说明的实施例会让本发明的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法更加明确。但是，本发明不局限于以下所公开的实施例，能够以互不相同的各种方式实施，本实施例只用于使本发明的公开内容更加完整，有助于使本发明所属【技术领域】的普通技术人员完整地理解本发明的范畴，本发明仅由发明要求保护范围来定义。在说明书全文中，相同的附图标记表示相同的结构要素。
[0016]以下，参照附图对本发明的低辐射玻璃及其制造方法进行详细说明。
[0017]图1为表示本发明的实施例的低辐射玻璃的结构的剖视图。
[0018]参照图1，所示的低辐射玻璃100具有包括涂敷于玻璃基材110上的第一电介质层120、太阳光调节金属层130、第二电介质层140以及最上部保护层150的结构。
[0019]以下，在基材的“上部(或下部)”或者基材的“上(或下)”形成任意的结构不仅意味着任意的结构与上述基材 的上表面(或下表面)相接触而成，而且并不限定上述基材与形成于基材上(或下)的任意结构之间不包括其他结构。
[0020]上述玻璃基材110可使用用于建筑领域的通常的钠钙玻璃。根据使用目的，使用于本发明的玻璃基材110可自由地使用厚度为2~12_的玻璃。
[0021]本发明的低福射玻璃100包括第一电介质层120,上述第一电介质层120形成于上述玻璃基材110上。当进行低辐射玻璃的热处理时，上述第一电介质层起到阻断向太阳光调节金属层传输的氧或离子的功能。
[0022]本发明的上述第一电介质层120的特征在于，具有由最下部电介质层121与下部金属保护电介质层122层叠的结构，上述最下部电介质层121包含金属氧化物，上述下部金属保护电介质层122包含金属(氧)氮化物。在此，下部金属保护电介质层122包含金属(氧)氮化物意味着包含金属氮化物或金属氧氮化物。即，上述第一电介质层120具有由最下部电介质层121与下部金属保护电介质层122构成的两层结构，上述最下部电介质层121形成于玻璃基材110上，上述下部金属保护电介质层122在上述最下部电介质层121上层叠--? 。
[0023]当进行低辐射玻璃的热处理时，包含上述金属(氧)氮化物的下部金属保护电介质层122起到防止包含金属氧化物的最下部电介质层121与太阳光调节金属层130之间的界面反应，并保护上述太阳光调节金属层130的功能。由此，本发明的低辐射玻璃100具有即使进行热处理也几乎没有可见光透射率等特性的变化，尤其完全没有辐射率的变化的优秀的效果。
[0024]优选地，在第一电介质层120中，上述金属(氧)氮化物和金属氧化物分别由包含相同金属的金属(氧)氮化物及金属氧化物构成。由于上述第一电介质层120由包含相同金属的金属(氧)氮化物和金属氧化物的层叠体形成，因而能够使形成最下部电介质层121及下部金属电介质层122的物质之间的蒸镀活性化，并且具有低辐射玻璃制作工序的简化及减少生产费用的效果。
[0025]优选地，上述第一电介质层120可包含Zn类氧化物及(氧)氮化物而形成，上述Zn类氧化物包含Sn。即，上述第一电介质层120能够以SnZnOx/SnZnOxNy或SnZnOx/SnZnNx的层叠结构形成。上述氧化物及(氧)氮化物的组成范围并不受特殊限制，可根据涂敷时的可控气氛含量，以多种方式适用。
[0026]优选地，上述最下部电介质层121的厚度为10~50nm的范围。若上述最下部电介质层121的厚度小于10nm，则具有涂敷膜的耐久性下降的问题，若大于50nm，则具有低辐射玻璃的光学特性下降的问题。
[0027]并且，优选地，上述下部金属保护电介质层122的厚度为I~IOnm的范围。若上述下部金属保护电介质层122的厚度小于lnm，则具有无法起到作为太阳光调节金属层130的保护膜的作用的问题，若大于10nm，则具有低辐射玻璃的光学特性下降的问题。
[0028]在本发明的低辐射玻璃中，太阳光调节金属层130形成于上述第一电介质层120。优选地，上述太阳光调节金属层130可包括低辐射层131以及金属保护层132、133，上述金属保护层132、133形成于上述低辐射层131的上下部。
[0029]上述低辐射层131执行选择性地透射及反射太阳辐射线的功能。构成本发明的低辐射玻璃的低辐射层131的材料可包含选自由银、金、铜、铝以及钼构成的组中的一种以上的物质，尤其，优选为银。这是因为，在由上述银形成低辐射层131的情况下，可满足在高的电导率、可见光线区域中的低吸收率、优秀的耐久性等。
`[0030]在上述低辐射层131的上部及下部可形成金属保护层132、133。当进行低辐射玻璃的热处理时，上述金属保护层132、133起到防止从玻璃基材中扩散的钠及空气中的氧的移动的屏障作用，并起到有助于低辐射层131的熔敷的作用，使得低辐射层131在高的热处理条件下也能进行稳定的工作。并且，上述金属保护层132、133执行吸收向低辐射层131渗透的氧的功能。上述金属保护层132、133可由镍、铬或镍铬合金构成。
[0031]而且，本发明的低辐射玻璃在上述太阳光调节金属层130上形成第二电介质层140。第二电介质层140执行与上述第一电介质层120相同的功能。即，与第一电介质层120 一样，当进行低辐射玻璃的热处理时，上述第二电介质层140执行阻断向太阳光调节金属层130传输的氧或离子的功能。
[0032]构成上述第二电介质层140的材料并不受特别限制。上述第二电介质层可使用包含选自Al、B、T1、Nb、Sn及Mo的一种以上的元素的金属氧化物或(氧)氮化物等。尤其，优选地，上述第二电介质层120包含含有Sn的Zn类金属氮化物，并且，可包含SnZnOxNy或SnZnNx。上述金属氮化物的组成范围并不受特别限制，并且，可以根据涂敷时的可控气氛含量，以多种方式适用。
[0033]并且，本发明的低辐射玻璃包括最上部保护层150，上述最上部保护层150形成于上述第二电介质层140。上述最上部保护层150也执行与第一电介质层120及第二电介质层140相同的功能。构成上述最上部保护层150的材料并不受特别限制。上述最上部保护层150可使用包含选自Al、B、T1、Nb、Sn及Mo的一种以上的元素的金属氧化物。尤其，优选地，上述最上部保护层150包含含有Sn的Zn类金属氧化物，并且，可包含SnZnOx。
[0034]图2为简要表示本发明的低辐射玻璃的制造方法的流程图。参照图2，图示的低辐射玻璃的制造方法包括:步骤(a)，形成第一电介质层120 (步骤S200);步骤(b)，形成太阳光调节金属层130 (步骤S210);步骤(C)，形成第二电介质层140 (步骤S220);以及步骤(d)，形成最上部保护层150 (步骤S230)。
[0035]步骤(a)为在玻璃基材110上形成第一电介质层120。为形成上述第一电解质层120，首先在上述玻璃基材110的上部蒸镀金属氧化物，并在蒸镀的金属氧化物的上部蒸镀金属(氧)氮化物，来形成第一电介质层120。
[0036]优选地，上述金属氧化物由SnZnOx构成。SnZnOx层可在氧和氩的氛围下，蒸镀于上述玻璃基材110上。并且，优选地，金属(氧)氮化物包含SnZnOxNy或SnZnNx。作为金属氮化物，SnZnNx层能够以在氮和氩氛围下蒸镀于上述金属氧化物层上的方式形成，作为金属氧氮化物，SnZnOxNy层可在氮和氧及氩氛围下蒸镀。
[0037]上述第一电介质层120的蒸镀方式并不受特殊限制，例如，可利用磁控溅射蒸镀机进行蒸镀。
[0038]之后，在步骤(b)中，在第一电介质层120的上部形成太阳光调节金属层130。上述太阳光调节金属层130可包括低辐射层131以及金属保护层132、133，上述金属保护层132、133形成于低辐射层的上下部。即，上述太阳光调节金属层130能够以在上述第一电介质层120的上部蒸镀金属保护层132，并在上述金属保护层132的上部蒸镀低辐射层131之后，在上述低辐射层132的上部再蒸镀金 属保护层132的方式形成。
[0039]上述金属保护层132、133及低辐射层131的蒸镀方式也不受特殊限制，例如，可利用磁控溅射蒸镀机进行蒸镀。
[0040]之后，在步骤(C)中，在上述太阳光调节金属层130的上部形成第二电介质层140，并且，在步骤(d)中，在上述第二电介质层140的上部形成最上部保护层150。
[0041]上述第二电介质层140由金属(氧)氮化物蒸镀而形成，优选地，能够以在上述太阳光调节金属层130上蒸镀SnZnOxNy或SnZnNx的方式形成。而且，以蒸镀金属氧化物的方式形成上述最上部保护层150，优选地，能够以在上述第二电介质层140的上部蒸镀SnZnOx的方式形成。
[0042]可通过如上所述的制造方法制造本发明的低辐射玻璃。
[0043]实施例
[0044]以下，根据实施例及比较例更加详细地说明本发明，只是本发明并不受下述实施例的限制。
[0045]实施例1
[0046]使用磁控(C-Mag)溅射蒸镀机来制作了形成有涂敷层的低辐射玻璃，上述涂敷层具有如下表一所示的结构及厚度。
[0047]在氧/氩(50%的氧，50%的氩)氛围下，在厚度为6mm的透明玻璃基材上蒸镀厚度为21nm的SnZnOx层。接着,在氮/気(50%的氮、50%的気)氛围下，以4nm的厚度蒸镀SnZnNx层，从而形成了第一电介质层。在100%的気氛围下,依次在上述第一电介质层的上部蒸镀NiCr、Ag、NiCr层来形成太阳光调节金属层后，在与上述SnZnNx层的蒸镀条件相同的条件下重新蒸镀SnZnNx层,来形成了第二电介质层。最后，在与上述SnZnOx层的蒸镀条件相同的条件下蒸镀SnZnOx层，来制作了实施例1的低辐射玻璃。
[0048]实施例2~实施例4
[0049]除了使SnZnNx的厚度不同之外，以与实施例1相同的条件制作了低辐射玻璃。
[0050]实施例5
[0051]以与实施例1相同的条件制作低辐射玻璃，但蒸镀了 SnZnOyNx层来代替了上述SnZnNx层。在氮/氧/氩(48.5%的氮、3%的氧、48.5%的氩)的氛围下，以2nm的厚度蒸镀了上述 SnZnOyNx 层。
[0052]比较例I
[0053]以与实施例1相同的条件制作低辐射玻璃，但以除去下部金属保护层及相当于第二电介质层的SnZnNx层的结构来制作了低辐射玻璃。
[0054]表1
[0055]
【权利要求】
1.一种低辐射玻璃，其特征在于， 包括: 太阳光调节金属层，形成于玻璃基材的上部， 第一电介质层，形成于上述太阳光调节金属层的下部， 第二电介质层，形成于上述太阳光调节金属层的上部，以及 最上部保护层，形成于上述第二电介质层的上部； 上述第一电介质层具有由最下部电介质层与下部金属保护电介质层层叠的结构，上述最下部电介质层包含金属氧化物，上述下部金属保护电介质层包含金属(氧)氮化物。
2.根据权利要求1所述的低辐射玻璃，其特征在于，上述最下部电介质层及下部金属保护电介质层分别包含相同的金属。
3.根据权利要求1所述的低辐射玻璃，其特征在于，上述最下部电介质层包含SnZnOx。
4.根据权利要求1所述的低辐射玻璃，其特征在于，上述下部金属保护电介质层包含SnZnOxNy 或 SnZnNx0
5.根据权利要求1所述的低辐射玻璃，其特征在于，上述最下部电介质层的厚度为10 ~50nm。
6.根据权利要求1所述的低辐射玻璃，其特征在于，上述下部金属保护电介质层的厚度为I~IOnm0
7.根据权利要求1所述的低辐射玻璃，其特征在于，上述太阳光调节金属层包括低辐射层以及金属保护层，上述金属保护层形成于上述低辐射层的上下部。
8.根据权利要求7所述的低辐射玻璃，其特征在于，上述低辐射层包含选自由银、金、铜、铝以及钼构成的组中的一种以上的物质。
9.根据权利要求7所述的低辐射玻璃，其特征在于，上述金属保护层包含选自由镍、铬以及镍铬构成的组中的一种以上的物质。
10.根据权利要求1所述的低辐射玻璃，其特征在于，上述第二电介质层包含SnZnOxNy或 SnZnNx。
11.根据权利要求1所述的低辐射玻璃，其特征在于，上述最上部保护层包含SnZnOx。
12.—种低辐射玻璃的制造方法，其特征在于，包括: 步骤(a)，在玻璃基材的上部蒸镀金属氧化物，并在被蒸镀的上述金属氧化物的上部蒸镀金属(氧)氮化物，来形成第一电介质层； 步骤(b)，在上述第一电介质层的上部形成太阳光调节金属层； 步骤(C)，在上述太阳光调节金属层的上部蒸镀金属(氧)氮化物，来形成第二电介质层；以及 步骤(d)，在上述第二电介质层的上部蒸镀金属氧化物，来形成最上部保护层。
13.根据权利要求12所述的低辐射玻璃的制造方法，其特征在于，上述金属氧化物包含 SnZnOx ο
14.根据权利要求12所述的低辐射玻璃的制造方法，其特征在于，上述金属(氧)氮化物包含 SnZnOxNy 或 SnZnNx。
15.根据权利要求12所述的低辐射玻璃的制造方法，其特征在于，上述太阳光调节金属层包括低辐射层以及金属保护层，上述金属保护层形成于上述低辐射层的上下部。
16.根据权利要求15所述的低辐射玻璃的制造方法，其特征在于，上述低辐射层包含选自由银、金、铜、铝以及钼构成的组中的一种以上物质。
17.根据权利要求15所述的低辐射玻璃的制造方法，其特征在于，上述金属保护层包含选自由镍、铬及镍铬构成 的组中的一种以上的物质。
【文档编号】C03C17/36GK103748052SQ201280040298
【公开日】2014年4月23日 申请日期:2012年8月6日 优先权日:2011年8月18日
【发明者】金雄吉, 权大勋, 田允淇 申请人:乐金华奥斯有限公司