一种超高透高性能低辐射膜的制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，包括：A、直流溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；B、直流溅射Nb平面靶，在Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；C、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Nb2O5层上磁控溅射AZO层；D、直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；E、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；F、直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；G、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；H、交流溅射ZnSn合金旋转靶，在AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。本发明的目的是提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的超高透高性能低辐射膜的制备方法。
【专利说明】一种超高透高性能低辐射膜的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种超高透高性能低辐射膜的制备方法。
【背景技术】
[0002]低辐射玻璃是指对红外辐射具有高反射率，对可见光具有良好透射率的平板镀膜玻璃。低辐射玻璃具有良好的透光、保温、隔热性能，广泛应用于窗户、炉门、冷藏柜门等地方。
[0003]目前市场上较常见的低辐射玻璃有单银低辐射玻璃、双银低辐射玻璃、热控低辐射玻璃及钛基低辐射玻璃等。现有的这四种低辐射玻璃在380~780纳米的可见光波长范围内透射率不够高，仅为50%左右；在红外辐射波长范围内透射率较高，尤其是在900~1100纳米的波长范围内透射率为10~20%之间。故此，现有的透明玻璃基材有待于进步兀吾。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的超高透高性能低辐射膜的制备方法。
[0005]为了达到上述目的，本发明采用以下方案:
[0006]一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤:
[0007]A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；
[0008]B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；
[0009]C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的Nb2O5层上磁控溅射AZO层；
[0010]D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZO层上磁控溅射Ag层；
[0011]E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射AZO层；
[0012]F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤E中的AZO层上磁控溅射Ag层；
[0013]G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Ag层上磁控溅射AZO层；
[0014]H、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤G中的AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。
[0015]如上所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述Bi2O3层的厚度为10~15nm，所述氩气与氧气的体积比为1:2，所述直流电源溅的溅射功率为 15 ~20Kffo
[0016]如上所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述Nb2O5层的厚度为20~30nm，氩气与氮气的体积比为1:3，溅射压力2.5*10 —3mbar，溅射功率 30 ~45KW。
[0017]如上所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤C中所述AZO层的厚度为20~25nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，交流电源的溅射功率 20 ~25KW。 [0018]如上所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤D所述Ag层的厚度为8~10nm，所述直流电源的溅射功率4~5KW。
[0019]如上所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤E中所述AZO层的厚度为50~65nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电的溅射功率50~65KW。
[0020]如上所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤F中所述Ag层的厚度为8~10nm，所述直流电源的溅射功率为4~5KW。
[0021]如上所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤G中所述AZO层的厚度为20~25nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率为20~25KW。
[0022]如上所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤H中所述ZnSnO3层的厚度为20~30nm，所述ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，交流电源溅射功率为50~75KW。
[0023]综上所述，本发明的有益效果:
[0024]本发明工艺方法简单，操作方便，生产成本相对较低。膜层结构最少，阴极使用量少；节约成本；高透过率，双银透过率达80%左右，
【具体实施方式】
[0025]下面结合【具体实施方式】对本发明做进一步描述:
[0026]实施例1
[0027]一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤:
[0028]A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；所述Bi2O3层的厚度为10nm，所述氩气与氧气的体积比为1:2，SP氩气与氧气的体积流量比为500SCCm: lOOOsccm，所述直流电源溅的溅射功率为15KW。
[0029]B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；所述Nb2O5层的厚度为20nm，氩气与氮气的体积比为1:3，即氩气与氮气的体积流量比为300sccm:900sccm，溅射压力2.5*10一3mbar，溅射功率30KW。
[0030]C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的Nb2O5层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为20nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，交流电源的溅射功率20KW。
[0031]D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为8nm，所述直流电源的溅射功率4KW。[0032]E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为50nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电的溅射功率50KW。
[0033]F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤E中的AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为8nm，所述直流电源的溅射功率为4KW。
[0034]G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Ag层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为20nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率为20KW。
[0035]H、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤G中的AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。所述ZnSnO3层的厚度为20nm，所述ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，交流电源溅射功率为50~75KW。
[0036]实施例2
[0037]一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤:
[0038]A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；所述Bi2O3层的厚度为12nm，所述氩气与氧气的体积比为1:2，SP氩气与氧气的体积流量比为500SCCm: lOOOsccm，所述直流电源溅的溅射功率为18KW。
[0039]B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；所述Nb2O5层的厚度为25nm，氩气与氮气的体积比为1:3，即氩气与氮气的体积流量比为300sccm:900sccm，溅射压力2.5*10一3mbar，溅射功率35KW。
[0040]C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的Nb2O5层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为23nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，交流电源的溅射功率23KW。
[0041]D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为9nm，所述直流电源的溅射功率4.5KW。
[0042]E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为60nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电的溅射功率55KW。
[0043]F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤E中的AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为9nm，所述直流电源的溅射功率为4.5KW。
[0044]G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Ag层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为23nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率为23KW。
[0045]H、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤G中的AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。所述ZnSnO3层的厚度为25nm，所述ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，交流电源溅射功率为66KW。
[0046]实施例3
[0047]一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤:
[0048]A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层； 所述Bi2O3层的厚度为15nm，所述氩气与氧气的体积比为1:2，SP氩气与氧气的体积流量比为500SCCm: lOOOsccm，所述直流电源溅的溅射功率为20KW。
[0049]B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；所述Nb2O5层的厚度为30nm，氩气与氮气的体积比为1:3，即氩气与氮气的体积流量比为300sccm:900sccm，溅射压力2.5*10一3mbar，溅射功率45KW。 [0050]C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的Nb2O5层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为25nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，交流电源的溅射功率25KW。
[0051]D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为10nm，所述直流电源的溅射功率5KW。
[0052]E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为65nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电的溅射功率65KW。
[0053]F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤E中的AZO层上磁控溅射Ag层；所述Ag层的厚度为10nm，所述直流电源的溅射功率为5KW。
[0054]G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Ag层上磁控溅射AZO层；所述AZO层的厚度为20~25nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率为20~25KW。
[0055]H、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤G中的AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。所述ZnSnO3层的厚度为20~SOnmJy^iZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，交流电源溅射功率为50~75KW。
[0056]以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【权利要求】
1.一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤: A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层； B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层； C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的Nb2O5层上磁控溅射AZO层； D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZO层上磁控溅射Ag层； E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射AZO层； F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤E中的AZO层上磁控溅射Ag层； G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Ag层上磁控溅射AZO层； H、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤G中的AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。
2.根据权利要求1所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述Bi2O3层的厚度为10~15nm，所述氩气与氧气的体积比为1:2，所述直流电源溅的溅射功率为15~20KW。
3.根据权利要求1所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述Nb2O5层的厚度为20~30nm,気气与氮气的体积比为1:3,派射压力2.5*10 —3mbar,溅射功率30~45KW。
4.根据权利要求1所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤C中所述AZO层的厚度为20~25nm，氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，交流电源的溅射功率20~25KW。
5.根据权利要求1所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤D所述Ag层的厚度为8~10nm，所述直流电源的溅射功率4~5KW。
6.根据权利要求1所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤E中所述AZO层的厚度为50~65nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电的溅射功率50~65KW。
7.根据权利要求1所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤F中所述Ag层的厚度为8~10nm，所述直流电源的溅射功率为4~5KW。
8.根据权利要求1所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤G中所述AZO层的厚度为20~25nm，掺铝氧化锌陶瓷旋转靶中按质量百分比掺铝2%，所述交流电源的溅射功率为20~25KW。
9.根据权利要求1所述的一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于步骤H中所述ZnSnO3层的厚度为20~30nm，所述ZnSn合金旋转靶中Zn与Sn的摩尔比为48:52，交流电源溅射功率为50~75KW。
【文档编号】C03C17/36GK103641333SQ201310567790
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2013年11月14日 优先权日:2013年11月14日
【发明者】陈路玉 申请人:中山市创科科研技术服务有限公司