超厚铜箔、高导热覆铜板的制作方法
【专利摘要】本发明公开了超厚铜箔、高导热覆铜板的制作方法，步骤为：配制胶液-上胶-叠合、热压。其中，胶液成分包括：低溴环氧树脂/酚醛固化体系、偶联剂、咪唑类固化促进剂及无机填料，用丁酮作为溶剂配制。本发明通过对生产工艺条件方面的调整，解决了超厚覆铜板制作困难的难题，方法简单便捷，其制作的超厚覆铜板平整度较好，且超厚铜箔和基材的结合力度较好；同时通过在配方上大量添加优良高效导热填料，使成型后的基板具有高效的导热性能，其导热率>1.6W/mk，可以很好的解决大电流基板快速散热问题；其制作的超厚、高导热覆铜板还有极佳的耐热性，T260>30min；同时本发明也能满足PCB无铅制程的需求。
【专利说明】超厚铜箔、高导热覆铜板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及覆铜板领域，尤其涉及一种大电流PCB用超厚铜箔、高导热覆铜板的制作方法。
【背景技术】
[0002]目前提高PCB元器件散热能力是依靠宽导线、厚铜箔、薄板或多层结构、大面积铺铜或芯层内置厚铜箔层、添加金属底板(如金属基PCB的采用)、增加导热孔等设计方案去实现；考虑到电子产品向着薄、轻、小型化发展、以及高密度发展的趋势和当今PCB制造技术的发展，更加注重采用厚铜箔来解决大功率PCB散热功效等问题；大电流基板一般都为大功率、高电压的基板，它多用于汽车电子、通讯设备、航空航天、电力、新能源(光伏发电、风力发电)、电力机车等行业领域，所以基板性能可靠性、稳定性的进一步提高，是目前制作大电流基板的重中之重，特别是随着电子产品薄型、小型化的发展，基板导热性的优良显得尤为关键。
[0003]通常将60Z以上铜箔称为超厚铜箔，目前制造覆铜板使用最厚铜箔基本上不超过50Z，因为铜箔越厚，其生产制作越困难，即使能生产，也会面临产品平整性不佳、铜箔与内材结合强度不佳等诸多问题。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种大电流PCB用超厚铜箔、高导热覆铜板的制作方法(铜厚> 60Z)，通过对配方、内材结构、以及生产工艺条件等方面的调整，解决超厚铜箔覆铜板制作困难、板材平整性不佳、铜箔与内材结合力度较差等及导热性较差等问题。
[0005]为了实现上述目的，本发明提供的超厚铜箔、高导热覆铜板的制作方法，其步骤为:配制胶液一上胶一叠合、热压；
[0006]胶液成分包括:低溴环氧树脂/酚醛固化体系、偶联剂、咪唑类固化促进剂及无机填料，用丁酮作为溶剂配制；
[0007]上胶过程包括贴面层上胶及内层上胶，其上胶过程为:采用电子级玻璃纤维布作为增强材料，浸以上述胶液，经立式上胶机烘得B-阶段半固化片；
[0008]叠合、热压过程为:将上好胶的半固化片整齐叠合，经组合工序，双面覆以超厚铜箔；将组合好的板材，经真空热压机压制成型。
[0009]在一些实施方式中，胶液中各成分重量份为:
[0010]
【权利要求】
1.超厚铜箔、高导热覆铜板的制作方法，其步骤为:配制胶液——上胶——叠合、热压； 其特征在于，所述胶液成分包括:低溴环氧树脂/酚醛固化体系、偶联剂、咪唑类固化促进剂及无机填料，其用丁酮作为溶剂配制； 所述上胶过程包括贴面层上胶及内料层上胶，其上胶过程为:采用电子级玻璃纤维布作为增强材料，浸以上述胶液，经立式上胶机烘得B-阶段半固化片； 所述叠合、热 压过程为:将上好胶的半固化片整齐叠合，经组合工序，双面覆以超厚铜箔；将组合好的板材，经真空热压机压制成型。
2.根据权利要求1所述的超厚铜箔、高导热覆铜板的制作方法，其特征在于，所述胶液中各成分重量份为:
3.根据权利要求2所述的超厚铜箔、高导热覆铜板的制作方法，其特征在于，所述低溴环氧树脂为环氧当量410~440g/eq的低溴环氧树脂，其溴含量为20%。
4.根据权利要求2所述的超厚铜箔、高导热覆铜板的制作方法，其特征在于，丙二酚酚醛树脂为环氧当量为185~210g/eq的丙二酚酚醛树脂。
5.根据权利要求2所述的超厚铜箔、高导热覆铜板的制作方法，其特征在于，所述酚醛固化剂为氢氧基当量llOg/eq的酚醛树脂。
6.根据权利要求2所述的超厚铜箔、高导热覆铜板的制作方法，其特征在于，采用二甲基咪唑作为所述咪唑类固化促进剂。
7.根据权利要求2所述的超厚铜箔、高导热覆铜板的制作方法，其特征在于，所述偶联剂为硅烷偶联剂KH560。
8.根据权利要求2所述的超厚铜箔、高导热覆铜板的制作方法，其特征在于，采用氧化铝、高纯氧化镁、二氧化硅作为填料。
9.根据权利要求1所述的超厚铜箔、高导热覆铜板的制作方法，其特征在于， 上胶步骤中，上胶速度为15~21m/min，控制参数；贴面层固体含量为48%~53%，内层固体含量为43%~53%，凝胶化时间为105~130S，流动度为20%~32% ； 叠合步骤中，铜箔吸盘使用直径为2.5 cm~3.5 cm的吸嘴，L9夹具运行速度为900000"~1000000"； 热压步骤中，压制参数控制为:真空度20torro — 60torro,面压力0.4Mpa~3.6Mpa,升温速率2~3°C /min，热盘温度120~210°C，总共压制时间120~160min。
【文档编号】B32B37/06GK104002538SQ201410159158
【公开日】2014年8月27日 申请日期:2014年4月18日 优先权日:2014年4月18日
【发明者】包晓剑, 罗光俊 申请人:南通诺德电子有限公司