显示面板的开口率(ApertureRat1)ο
[0080]本实施例的第一重复单元300更包括对应第一像素电极PEl设置的第一颜色滤光图案层CFl以及对应第二像素电极PE2设置的第二颜色滤光图案层CF2。在本实施例中，第一颜色滤光图案层CFl可与第一像素电极PEl设置在同一基底上，第二颜色滤光图案层CF2可与第二像素电极PE2设置在同一基底上，进而构成一彩色滤光片在阵列(color filteron array,C0A)上的结构。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，第一、二颜色滤光图案层CF1、CF2亦可设置在对向于所述基底的另一基底上。
[0081]在本实施例中，对应第一像素电极PEl的第一颜色滤光图案层CFl可选择性地为红色或绿色滤光图案层，而对应第二像素电极PEl的第二颜色滤光图案层CF2可选择性地为蓝色滤光图案层。换言之，开口率较高的第二像素结构(即第二主动元件T2与第二像素电极PE2)是对应蓝色滤光图案层，而开口率较低的第一像素结构(即第一主动元件Tl、第二像素电极PEl与遮光图案层SM)是对应红色或绿色滤光图案层。由于人眼对红光及绿光比对蓝光来地敏感，意即，以相同强度的红光(或绿光)与蓝光而言，人眼感受到红光(或绿光)的亮度较高而感受到的蓝光亮度较低，因此将开口率较高的第二像素结构搭配上人眼敏感度较低的蓝色滤光图案层、将开口率较低的第一像素结构搭配上人眼敏感度较低的红色(或绿光)滤光图案层时，有助于采用第一重复单元300的显示面板的演色性。
[0082]图13为本发明另一实施例的主动元件阵列基板的上视示意图。请参照图13，主动元件阵列基板1000F包括基底30以及阵列排列在基底30上的多个第一重复单元300。基底30的可适用的材质可参照前述基底10的可适用的材质。关于第一重复单元300的结构，请参照图12及对应的说明。图14为本发明又一实施例的主动元件阵列基板的上视示意图。主动元件阵列基板1000G包括基底30、配置在基底30上的多个第一重复单元300以及配置在基底10上的多个第二重复单元200。关于第二重复单元200的结构，请参照图8及对应的说明。第一重复单元300与个第二重复单元200搭配排成一阵列。举例而言，在图14实施例中，多个第一重复单元300与多个第二重复单元200可在行方向y及列方向x上交替排列。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，第一重复单元300与第二重复单元200亦可以其他适当方式排列。主动元件阵列基板1000F、1000G均具有前述的负载低与开口率高的优点。
[0083]图15为本发明再一实施例的第一重复单元的上视示意图。图15的第一重复单元300A与图12的第一重复单元300类似，因此以相同或相对应的标号表示相同或相对应的构件。图15的第一重复单元300A与图12的第一重复单元300的主要差异在于:第一重复单元300A的第一、二半导体图案层310A、320A的形状与第二重复单元300的第一、二半导体图案层310、320的形状不同。以下主要就此差异做说明，二者相同之处还请依照图15中的标号对应地参照前述说明，于此便不再重述。
[0084]请参照图15，第一重复单元300A包括第一扫描线SL1、第一数据线DL1、第二数据线DL2、第一主动元件T1、第一像素电极PE1、第二主动元件T2、第二像素电极PE2以及遮蔽图案层SM。第一主动元件Tl包括与第一扫描线SLl电性连接的第一栅极G1、与第一栅极Gl重叠设置的第一半导体图案层310A、与第一半导体图案层310A电性连接且与第一数据线SLl电性连接的第一源极SI以及与第一半导体图案层310A电性连接的第一漏极D1。第一像素电极PEl与第一主动元件Tl的第一漏极Dl电性连接。第二主动元件T2包括与第一扫描线SLl电性连接的第二栅极G2、与第二栅极G2重叠设置的第二半导体图案层320A、与第二半导体图案层320A电性连接且与第二数据线DL2电性连接的第二源极S2、以及与第二半导体图案层320A电性连接的第二漏极D2。第二像素电极PE2与第二主动元件T2的第二漏极D2电性连接。遮蔽图案层SM与第一半导体图案层310A重叠。第二半导体图案层320A不与任何遮蔽图案层SM重叠，亦即第二半导体图案层320A与基底10之间不具有任何遮蔽图案层与第二半导体图案层320A重叠。
[0085]与图12的第一重复单元300不同的是，第一重复单元300A的第一、二半导体图案层310A、320A可选择性地均为L形半导体图案层。更进一步地说，第一半导体图案层310A的一端位于第一扫描线SLl的一侧，且第一半导体图案层310A的另一端位于第一扫描线SLl的另一侧。第二半导体图案层320A的一端位于第一扫描线SLl的一侧，且第二半导体图案层320A的另一端位于第一扫描线SL的另一侧。
[0086]图15的第一重复单元300A可用以取代前述的图13、图14的主动元件阵列基板1000F、1000G中的第一重复单元300，而构成各式的主动元件阵列基板，于此便不再重复绘示。此外，当第一重复单元300A取代前述的图14的第一重复单元300而与第二重复单元200搭配排列成时，第二重复单元200 (如图8所示)更可包括与其像素电极PE对应的滤光图案层(未绘示)，而与像素电极PE对应的滤光图案层的颜色可依实际需求而定。以第一重复单元300A构成的所述各式主动元件阵列基板具有与主动元件阵列基板1000F类似的功效与优点，于此亦不再重述。
[0087]图16为本发明一实施例的第一重复单元的上视示意图。图16的第一重复单元300B与图12的第一重复单元300类似，因此以相同或相对应的标号表示相同或相对应的构件。图16的第一重复单元300B与图12的第一重复单元300的主要差异在于:第一重复单元300B的第二半导体图案层320B的形状与第二重复单元300的第二半导体图案层320的形状不同。以下主要就此差异做说明，二者相同之处还请依照图16中的标号对应地参照前述说明，于此便不再重述。
[0088]请参照图16，第一重复单元300B包括第一扫描线SL1、第一数据线DL1、第二数据线DL2、第一主动元件T1、第一像素电极PE1、第二主动元件T2、第二像素电极PE2以及遮蔽图案层SM。第一主动元件Tl包括与第一扫描线SLl电性连接的第一栅极G1、与第一栅极Gl重叠设置的第一半导体图案层310、与第一半导体图案层310电性连接且与第一数据线SLl电性连接的第一源极SI以及与第一半导体图案层310电性连接的第一漏极D1。第一像素电极PEl与第一主动元件Tl的第一漏极Dl电性连接。第二主动元件T2包括与第一扫描线SLl电性连接的第二栅极G2、与第二栅极G2重叠设置的第二半导体图案层320B、与第二半导体图案层320B电性连接且与第二数据线DL2电性连接的第二源极S2以及与第二半导体图案层320B电性连接的第二漏极D2。第二像素电极PE2与第二主动元件T2的第二漏极D2电性连接。遮蔽图案层SM与第一半导体图案层310重叠。第二半导体图案层320B不与任何遮蔽图案层SM重叠，亦即第二半导体图案层320B与基底10之间不具有任何遮蔽图案层与第二半导体图案层320B重叠。
[0089]与图12的第一重复单元300不同的是，第一重复单元300B的第一、二半导体图案层310、320B的形状可选择性地不相同。举例而言，第一半导体图案层310可为U形半导体图案层，而第二半导体图案层320B可为L形半导体图案层。更进一步地说，第一半导体图案层310的两端可位于第一扫描线SLl的一侧，且第一半导体图案层310的中心部310c位于第一扫描线SLl的另一侧，且第二半导体图案层320B的一端位于第一扫描线SLl的一侦U，且第二半导体图案层320B的另一端位于第一扫描线SLl的另一侧。然而，本发明不限于此，在本发明另一实施例中，第一半导体图案层310亦可为L形半导体图案层，而第二半导体图案层320B亦可为U形半导体图案层。此外，本发明亦不限制第一、二半导体图案层310、320B必需为L形或U形，第一、二半导体图案层310、320B亦可为其他适当形状。
[0090]图16的第一重复单元300B可用以取代前述图13、图14的主动元件阵列基板1000F、1000G中的第一重复单元300，而构成各式的主动元件阵列基板，于此便不再重复绘示。此外，当第一重复单元300B取代前述的图14的第一重复单元300而与第二重复单元200搭配排列成时，第二重复单元200 (如图8所示)更可包括与其像素电极PE对应的滤光图案层(未绘示)，而与像素电极PE对应的滤光图案层的颜色可依实际需求而定。以第一重复单元300B构成的所述各式主动元件阵列基板具有与主动元件阵列基板1000F类似的功效与优点，于此亦不再重述。
[0091]图17为本发明另一实施例的第一重复单元的上视示意图。图17的第一重复单元300C与图12的第一重复单元300类似，因此相同或相对应的构件，以相同或相对应的标号表示。图17的第一重复单元300C与图12的第一重复单元300的主要差异在于:第一重复单元300C更包括第三数据线DL3、第三主动元件T3以及第三像素电极PE3。以下主要就此差异做说明，二者相同之处还请依照图17的标号对应地参照前述说明，于此便不再重述。
[0092]请参照图17，第一重复单元300C包括第一扫描线SL1、第一数据线DL1、第二数据线DL2、第一主动元件T1、第一像素电极PE1、第二主动元件T2、第二像素电极PE2以及遮蔽图案层SM。第一主动元件Tl包括与第一扫描线SLl电性连接的第一栅极G1、与第一栅极Gl重叠设置的第一半导体图案层310、与第一半导体图案层310电性连接且与第一数据线SLl电性连接的第一源极SI以及与第一半导体图案层310电性连接的第一漏极D1。第一像素电极PEl与第一主动元件Tl的第一漏极Dl电性连接。第二主动元件T2包括与第一扫描线SLl电性连接的第二栅极G2、与第二栅极G2重叠设置的第二半导体图案层320、与第二半导体图案层320电性连接且与第二数据线DL2电性连接的第二源极S2以及与第二半导体图案层320电性连接的第二漏极D2。第二像素电极PE2与第二主动元件T2的第二漏极D2电性连接。遮蔽图案层SM与第一半导体图案层310重叠。第二半导体图案层320不与任何遮蔽图案层重叠，亦即第二半导体图案层320与基底10之间不具有任何遮蔽图案层与第二半导体图案层320重叠。
[0093]与图12的第一重复单元300不同的是，第一重复单元300C更包括第三数据线DL3、第三主动元件T3以及第三像素电极PE3。第三主动元件T3包括与第一扫描线SLl电性连接的第三栅极G3、与第三栅极G3重叠设置的第三半导体图案层330、与第三半导体图案层330和第三数据线DL3电性连接的第三源极S3以及与第三半导体图案层330电性连接的第三漏极D3。第三像素电极PE3与第三主动元件T3的第三漏极D3电性连接。特别是，第三半导体图案层330不与任何遮蔽图案层重叠，亦即第三半导体图案层330与基底10之间不具有任何遮蔽图案层与第三半导体图案层330重叠。
[0094]在本实施例中，第一主动元件T3可选择性地为双栅极薄膜晶体管。详言之，第一主动元件T3的第一栅极G3包括二栅极区G31、G32。二栅极区G31、G32可为第一扫描线SLl的不同二区域。第三半导体图案层330包括连接区334、源极区336与漏极区338、分别与二栅极区G31、G32重叠设置的二通道区332a、332b。通道区332a设置在源极区336与连接区334之间。连接区334设置在二通道区332a、332b之间。连接区334可为一重掺杂区，以降低二通道区332a、332b之间的阻值。通道区332b设置在连接区334与漏极区338之间。第三半导体图案层330