显示基板、具有其的显示装置及其制造方法

专利名称：显示基板、具有其的显示装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种显示装置。更具体地，本发明涉及一种能够防止颜色坐 标偏移以提高颜色再现性的显示基板，具有该显示基板的显示装置和制造该 显示基板的方法。
背景技术：
液晶显示器(LCD)装置包括显示基板、位于显示基板上的覆盖基板和 设置在显示基板和覆盖基板之间的液晶层。
通常，显示基板包括多根独立驱动多个像素的信号线、多个薄膜晶体管 (TFT)和多个像素电极。覆盖基板包括具有红色滤色器、绿色滤色器和蓝 色滤色器的滤色层、和位于像素电极上的公共电极。
具有阵列上滤色器(COA)结构的LCD装置已得到发展。在具有COA 结构的LCD装置中，滤色层被形成在显示基板上以便防止显示基板和覆盖 基板之间的未对准。
然而，在具有COA结构的LCD装置中，在低灰度区域中颜色坐标变得 更低并且然后在特定区域快速增加。因此，在低灰度区域中颜色偏移，使显 示平滑图像变得很困难。

发明内容
本发明提供一种显示基板，能够防止颜色坐标偏移以提高颜色再现性。 本发明还提供一种具有该显示基板的显示装置。本发明更还提供一种制造该 显示基板的方法。
在一个方面，本发明是一种显示基板，其包括基板、形成在该基板上的 薄膜晶体管(TFT)层、滤色层和像素电极。该TFT层包括栅极线、通过栅 极绝缘层与该栅极线电绝缘的数据线、电连接到该栅极线和数据线的TFT、 和形成在由栅极线和沿不同于栅极线的方向延伸的数据线限定的每个像素 中的存储电极。该存储电极由与栅极线相同的层形成。该滤色层包括延伸到该TFT层对应于存储电极的部分的存储孔。该存储孔具有大于存储电极的水 平横截面面积。该像素电极形成在滤色层上和存储电极上方的存储孔中以形 成存储电容器。该栅极绝缘层置于像素电极和存储电极之间。该滤色层可以包括形成在每个像素中的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色 滤色器。该显示基板可以还包括覆盖存储孔的边缘部分和存储电极的边缘部分 之间的区域的阻光层。该显示基板可以还包括形成在像素电极上的柱状间隔体。该柱状间隔体 可以具有大于存储孔的水平横截面面积，并且可以利用阻光材料形成。在另一个方面，本发明是一种显示装置，其包括上述显示基板，覆盖基 板和液晶层。该覆盖基板实质上平行于该显示基板定位并包括形成在覆盖基 板面向显示基板的表面上的公共电极。该液晶层设置在显示基板和覆盖基板 之间。在又一个方面，本发明是一种通过提供基板并在其上形成TFT层的制造 显示基板的方法。该TFT层包括栅极线、数据线、TFT和存储电极。该数 据线通过栅极绝缘层与栅极线绝缘并与栅极线交叉。该TFT连接到栅极线和 数据线。通过形成栅极线的过程在每个像素中形成该存储电极。形成滤色层。 该滤色层包括延伸到TFT层对应于存储电极的部分并具有大于存储电极的 水平横截面面积的存储孔，其中在平行于基板的平面中测量该水平横截面面 积。该方法还需要形成像素电极。该像素电极形成在滤色层上和存储孔中， 并与存储电极重叠。该栅极绝缘层^皮插在像素电极和存储电极之间。因此， 由像素电极、存储电极和栅极绝缘层形成存储电容器。该滤色层可以通过形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器而形成。 利用具有实质上相同的设计的掩模形成该红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤 色器。依据本发明的显示基板，显示装置和方法，在低灰度区中颜色坐标可以 不偏移。这样，低灰度区中的颜色可以不改变。


通过参照附图详细描述其示例性实施例，本发明的上述和其它特征及优 点将变得更加明显，附图中图1是示出依据本发明第一实施例的显示基板的平面图2是沿图1中的线I-I，的横截面图3是示出依据本发明第二实施例的显示基板的平面图4是沿图3中的线n-n，的横截面图5是示出依据本发明实施例的阻光膜的平面图6是示出依据本发明第三实施例的显示基板的横截面图7是示出依据本发明第四实施例的显示基板的横截面图8至10是示出依据本发明实施例制造显示基板的方法的横截面图;
及
图11是示出依据本发明实施例的显示装置的横截面图。
具体实施例方式
现在将参照附图更完整地说明本发明，附图中示出本发明的示例性实施 例。然而，本发明能够以很多不同方式实施，并且不应解释为局限于这里提 出的实施例。相反，提供这些实施例是使得本公开更彻底而完整，并向本领 域技术人员充分传达本发明的范围。为清晰起见，图中层和区域的尺寸和相 对尺寸纟皮方欠大。
可以理解的是，当一元件或一层被认为"在…上"、"连接到"或"耦合 到，，另一元件或层时，它可以是直接在其它元件或层上、连接到或耦合到其 它元件或层，或者可以存在居间元件或层。相反，当一元件被称为"直接在… 上"、"直接连接到"或"直接耦合到"另一个元件或层时，不存在居间元件 或层。自始至终相同的附图标记指示相同的元件。这里所使用时，术语"和 /或"包括相关列出项目的一个或多个的任何和所有组合。
将可以理解的是，尽管术语第一、第二、第三等可以在这里被用来描述 不同的元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和 /或部分可以不由这些术语限定。这些术语仅用于区分一个元件、部件、区域、 层或部分和另一个区域、层或部分。这样，下述的第一元件、部件、区域、 层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不脱离本发明的 教导。
为了便于描述，空间相对术语例如"在......之下"、"在.......下面"、"低
于"、"在上方"、"上面的"等可以在这里被使用，以便描述附图中所示的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。将可以理解的是，空间相对术语 意味着除了附图中所示的方位之外，还包括使用中或操作中的装置的不同方 位。例如，如果附图中的装置被翻转，那么所述为在其它元件或特征"下面，， 或"之下"的元件将定位在其它元件或特征"上方"。这样，术语"在.......下面"可以包括上方和下面两个方位。另外该装置可以被另外定位(旋转90 度或在其它方位)，并且相应地解释这里所使用的空间相对描述语。这里使用的术语仅用于描述特定实施例且无意限制本发明。这里使用 时，单数形式"一"和"该"意在也包括复数形式，除非上下文另外地清楚 描述。还将理解，当在本说明书中使用时术语"包含"和/或"包括"指定所 陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除 一个或更多其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和或其群组的 存在或增力口。这里参照剖视图描述本发明的示例性实施例，剖视图是本发明的理想化 实施例的示意图。因此，由于例如制造技术和/或容差导致的图示形状的变化 是可以预期的。因此，本发明的实施例不应被理解为局限于这里示出的区域 的特定形状，而是将包括例如制造所导致的形状的偏差。例如，示出为矩形 的注入区域将通常在其边缘具有圆化或弯曲的特征和/或注入浓度梯度，而不 是从注入到非注入区域的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该 埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示 的区实质上是示意性的，它们的形状不意图示出器件的区域的实际形状并且 不意图限定本发明的范围。除非另外定义，这里使用的所有术语(包括科技术语)具有与本发明所 属技术领域的普通技术人员一般理解的意思相同的意思。还将理解，术语， 例如一般使用的字典中定义的那些术语，应被理解为具有与它们在相关技术 和本公开的背景中的意思一致的意思，且将不会在理想化或过于正式的意义 上来理解，除非这里清楚地这样定义。在下文中，将参考附图详细解释本发明。图1是示出依据本发明第一实施例的显示基板100的平面图。图2是沿图i中的线i-r的橫截面图。参见图1和2,显示基板100包括薄膜晶体管(TFT)层110、钝化层 120、滤色层130和像素电极140。TFT层110形成在透明绝缘基板150上。该透明绝缘基板150可以包括 玻璃或塑料。该TFT层110包括栅极线GL、数据线DL、 TFT和存储电极SE。该数 据线DL沿不同于栅极线GL延伸方向的方向延伸。栅极绝缘层111将数据 线DL与栅极线GL绝缘。TFT电连接到每根栅极线GL和每根数据线DL。 存储电极SE由与像素区域中的栅极线GL相同的层形成。该栅极线GL形成在绝缘基板150上。例如，该栅极线GL可以沿第一 方向延伸并为每个像素限定上边界和下边界。该栅极绝缘层111形成在其上形成有栅极线GL的绝缘基板150上。该 栅极绝缘层111保护栅极线GL和存储电极SE,并电绝缘栅极线GL和存储 电极SE。可用于栅极绝缘层111的绝缘材料的实例包括氮化硅(SiNx)、氧 化硅(SiOx)等。这些可以单独使用或组合使用。数据线DL形成在栅极绝缘层111上。该数据线DL通过栅极绝缘层111 与栅极线GL绝缘。例如，数据线DL可以沿实质上垂直于第一方向的第二 方向延伸，并限定每个像素的右边界和左边界。该TFT电连接到栅极线GL和数据线DL。至少一个TFT形成在每个像 素中。该TFT接收来自数据线DL的数据电压并响应于从栅极线GL施加的 栅电压而施加该数据电压到像素电极140。该TFT可以包括栅电极G、有源图案A、源电极S和漏电极D。作为TFT的栅极端子的栅电极G电连接到栅极线GL。对应其上方形成有栅电极G的位置，该有源图案A形成在栅极绝缘层 lll上。该有源图案A可以包括半导体层112和欧姆4妻触层113。例如，该 半导体层112可以利用非晶硅(a-Si)形成，该欧姆接触层113可以利用通 过高浓度注入n型杂质形成的n+非晶硅(n+a_Si)形成。源电极S形成在有源图案A上。作为该TFT的源极端子的源电极S电 连接到数据线DL。漏电极D形成在有源图案A上并与源电极S间隔开。该漏电极D是TFT 的漏极端子。该漏电极D通过穿过钝化层120和滤色层130的接触孔CNT 电连接到像素电极140。通过使用相同的蚀刻掩模蚀刻数据线DL、源电极S、漏电极D和有源 图案A。这样，在平面图中有源图案A的轮廓与数据线DL、源电极S和漏电才及D的轮V郭匹配。存储电极SE由与栅极线GL相同的层形成。这样，利用与栅极线GL 相同的材料形成该存储电极SE。在一个实施例中，该存储电极SE形成在两 根栅极线GL之间并沿实质上平行于栅极线GL的方向延伸。该栅极绝缘层111和钝化层120形成在存储电极SE和像素电极140之 间。这样，存储电极SE、栅极绝缘层lll、钝化层120和像素电极140形成 存储电容Cst。公共电压Vcom可以被施加到存储电极SE,并且存储电容 Cst可以在一帧期间维持通过TFT施加到像素电极140的数据电压。钝化层120形成在包括栅极线GL、数据线DL、 TFT和存储电极SE的 TFT层110上。该钝化层120保护该TFT并电绝缘该TFT。可用于该钝化层 120的绝缘材料的实例包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等。这些可以 单独使用或组合使用。滤色层130形成在钝化层120上。该滤色层130可以包括具有用于显示 彩色图像的颜料的感光有机成分。例如，滤色层130可以包括红色滤色器、 绿色滤色器和蓝色滤色器。该红色滤色器包括具有用于显示红色的红颜料的 感光有机成分。该绿色滤色器包括具有用于显示绿色的绿颜料的感光有机成 分。该蓝色滤色器包括具有显示蓝色的蓝颜料的感光有机成分。该红色滤色 器、绿色滤色器和蓝色滤色器被以预定图案设置在钝化层120上。例如，红 色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器可以沿第一方向或沿实质上垂直于第一 方向的第二方向被交替设置，从而在每个像素中有三个滤色器。滤色层130的厚度可以增加以平面化显示基板100。例如，滤色层130可以具有大约2.5pm至大约3.5um的厚度。当滤色层130被形成不是作为覆盖基板的一部分而是作为显示基板的一部分时，已形成作为传统显示基板 的一部分的用于平面化传统显示基板的有机绝缘层可以被省略。这样，光透射率可以被提高并且制造显示基板的成本可以被降低。为了增加存储电容Cst的静电容量，滤色层130包括存储孔SEH，其形 成在对应存储电极SE的位置上。该存储孔SEH具有大于存储电极SE的顶 部表面面积的水平横截面面积，这样它降低了红色滤色器、绿色滤色器和蓝 色滤色器之间的电容差。这里所使用的"水平横截面面积"指的是在显示基 板100沿平行于绝缘基板150的平面切片时的横截面面积。在存储孔SEH 的情况下，其由于侧壁倾斜具有变化的横截面面积，"水平横截面面积"是指最窄部分的水平横截面面积。
当滤色层130形成时，红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器通常利用 相同的掩模或具有相同设计的掩模形成。在图l和2的情况下，红色、绿色 和蓝色滤色器的材料可以彼此不同，这样每个红色、绿色和蓝色滤色器的厚 度、介电常数和存储孔SEH的开口宽度CD等可以彼此不同。例如，当具有 显示基板100的液晶显示器(LCD)装置的面板尺寸大约为40英寸时，红 色、绿色和蓝色滤色器的最大厚度差可以大约为2000A，并且红色、绿色和 蓝色滤色器中存储孔的最大开口宽度差可以大约为3Mm。另外，红色、绿 色和蓝色滤色器的介电常数在大约3.3至大约3.5的范围中变化。
红色、绿色和蓝色滤色器之间的厚度差、介电常数差和存储孔的开口宽 度差改变液晶电容Clc、存储电容Cst和寄生电容Cgs，所有这些都会影响像 素的电特性。通过液晶电容Clc、存储电容Cst和寄生电容Cgs的变化，用 于红色、绿色和蓝色滤色器的回扫电压Vkb之间的差增加。
当LCD装置由相对于公共电压Vcom具有负极性的信号和具有正极性 的信号交替驱动时，红色、绿色和蓝色滤色器的回扫电压Vkb的差改变灰度 电压。当回扫电压Vkb之间的差增加时，在低灰度区域中，通过回扫电压 Vkb之间的差，示出为电压函数的透射率的曲线的斜率增加。这样，即使相 同的像素电压被施加到红色、绿色和蓝色滤色器，红色像素、绿色像素和蓝 色像素的伽马电压之间的差显著改变了低灰度区域中的颜色坐标。
回扫电压Vkb的变化主要由存储电容Cst的变差导致。该存储电容Cst 由形成存储孔的区域中存储电极SE和像素电极140之间的重叠面积确定。 这样，随着红色、绿色和蓝色滤色器中开口宽度CD之间的差增加，红色、 绿色和蓝色像素中的存储电容之间的差增加。
每个红色、绿色和蓝色滤色器的开口具有大于存储电极SE的水平横截 面面积的水平横截面面积，这样存储电极SE和像素电极140之间的重叠面 积保持恒定。只要重叠面积保持恒定，即使每个红色、绿色和蓝色滤色器的 开口宽度CD改变，存储电容Cst也将没有变化。当红色、绿色和蓝色滤色 器中的最小开口具有大于存储电极SE的水平横截面面积的水平横截面面积 时，每个滤色器的开口具有大于存储电极SE的水平横截面面积的水平横截 面面积。
当每个红色、绿色和蓝色滤色器的开口宽度CD大于存储电极SE的宽度SD时，形成在每个像素中的存储孔的水平横截面面积大于存储电极SE 的水平横截面面积，并且对应于每个红色、绿色和蓝色滤色器的像素电极140 和存储电极SE之间的重叠面积实质上相等。当红色、绿色和蓝色像素的存储电容Cst的差减小时，像素之间的回扫颜色再现性可以被提高。像素电极140形成在滤色层130上以对应于每个像素。利用透明导电材 料形成该像素电极140以透射光。可用于像素电极140的透明导电材料的实 例包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)等。像素电极140通过穿过滤色层130和钝化层120延伸的接触孔CNT电 连接到漏电极D。该像素电极140与存储电极SE和钝化层120重叠，并且 栅极绝缘层111置于像素电极140和存储电极SE之间。因此，由像素电极 140、存储电极SE、钝化层120和栅极绝缘层111形成存储电容器Cst。像素电极140可以具有图案化开口 ，其将每个像素划分成多个域以便提 高LCD装置的视角。替代地，像素电极140可以被划分为被施加不同电压 的主电极和子电极。当像素电极140被划分为主电极和子电极时，每个像素 可以具有两个TFT,分别连接到主电极和子电极。每个像素电极140被独立形成在每个像素中，并且这样开口可以形成在 相邻的像素之间以部分地暴露滤色层130。杂质可以通过部分地暴露滤色层 130的开口进入液晶层，污染液晶层。为了防止杂质进入液晶层，可以在滤 色层上形成无机绝缘层(未示出)。当存储孔SEH的开口具有大于存储电极SE的水平横截面面积的水平横 截面面积时，光可以通过存储孔SEH的边缘和存储电极SE的边缘之间的部 分漏出。因此，显示基板100可以还包括阻光部件，其防止光通过存储孔 SEH的边缘和存储电极SE的边缘之间的部分漏出。图3是示出依据本发明第二实施例的显示基板的平面图。图4是沿图3 中的线n-n，的横截面图。图5是示出依据本发明实施例的阻光膜的平面图。参见图3、 4和5,显示基板100可以包括阻光层160，其防止光通过存 储孔SEH的边缘和存储电极SE的边缘之间的部分漏出。阻光层160由与数据线DL相同的层形成并设置在每个像素中。该阻光 层160覆盖存储孔SEH的边缘和存储电极SE的边缘之间的部分。例如，阻光层160可以沿栅极线GL延伸的方向延伸以覆盖存储电极SE的上部边缘 和下部边缘。如图5所示，该阻光层160可以包围存储电极SE的整个边缘。 该阻光层160形成在存储电极SE和存储孔SEH的边缘之间以防止来自背光 的光泄漏。
该阻光层160与数据线DL间隔开并通过栅极绝缘层111与存储电极SE 电绝缘以保持浮置。替代地，该阻光层160可以连接到设置在阻光层160任 一侧上的数据线DL之一。
图6是示出依据本发明第三实施例的显示基板的横截面图。
参见图6,显示基板100可以还包括形成在像素电极140上的柱状间隔 体170。该柱状间隔体170维持显示基板100和覆盖基板之间的距离。
该柱状间隔体170形成在其上形成有存储孔SEH的区域中并且具有大 于存储孔SEH的水平横截面面积的水平横截面面积，以防止光从存储孔SEH 的边缘和存储电极SE的边缘之间的部分漏出。该柱状间隔体170可以利用 阻挡光的材料的形成。例如，该柱状间隔体170可以利用有机黑矩阵材料形 成。
图7是示出依据本发明第四实施例的显示基板的横截面图。 参见图7，该显示基i反100可以包括柱状间隔体170和阻光层160。 该柱状间隔体170形成在存储孔SEH中并具有大于存储孔SEH的水平 横截面面积的水平^t截面面积以防止光泄漏。该阻光层160通过形成数据线 DL的工艺形成在柱状间隔体170的边缘以防止光泄漏。
在下文中，将描述依据本发明另一实施例的制造显示基板的方法。 图8至10是示出依据本发明实施例的制造显示基板的方法的横截面图。 参见图1和8,栅极线GL、电连接到栅极线GL的栅电极G和设置在 栅极线GL之间的存储电极SE形成在显示基板150上。栅极线GL、栅电极 G和存储电极SE利用单个掩模同时在一个光刻工艺中形成。
参见图1和9,栅极绝缘层111形成在其上形成有栅极线GL、栅电极G 和存储电极SE的显示基板150上。
用于形成半导体层112的非晶硅(a-Si)层、用于形成欧姆接触层113 的n+非晶硅(n+ a-Si)层和用于数据线的金属层顺序地形成在栅极绝缘层 lll上。有源图案A、数据线DL、电连接到凄t据线DL的源电极S、和与源 电极S间隔开的漏电极D利用狭缝掩模(slit mask)或半色调掩模(halftonemask)通过一个光刻工艺形成。数据线DL、源电极S、漏电极D和有源图案 A通过一个光刻工艺同时蚀刻，从而数据线DL、源电极S和漏电极D具有 与有源图案A实质上相同的轮廓。这样，完成TFT层llO。如图4和7所示，防止光通过存储电极SE的边缘泄漏的阻光层160在 与形成数据线DL、源电极S和漏电极D相同的过程中形成。在一些实施例 中，阻光层160可以由实质上与数据线DL、源电极S和漏电极D相同的层 形成。参见图1和10，钝化层120形成在绝缘基板150上以覆盖TFT层110。包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器的滤色层130形成在钝化层 120上。对应于存储电极SE的存储孔穿过滤色层130形成以便形成存储电 容器Cst。另外，暴露漏电极D的接触孔CNT穿过滤色层130形成。红色、绿色和蓝色滤色器规则地设置在钝化层120上以形成均匀的图案。 例如，红色、绿色和蓝色滤色器可以沿第一方向或第二方向交替设置，这样 滤色器分别对应像素。红色、绿色和蓝色滤色器分别在单独的光刻工艺中形成。利用同一掩模 或具有相同设计的掩模分别实施用于形成红色、绿色和蓝色滤色器的光刻工 艺以降低制造成本。红色、绿色和蓝色滤色器包括彼此不同的材料，这样滤 色层130的每个红色、绿色和蓝色滤色器的厚度、介电常数和存储孔SEH 的开口面积可以;波此不同。当穿过每个红色、绿色和蓝色滤色器延伸的开口具有大于存储电极SE 的水平横截面面积的水平横截面面积时，存储电极SE和像素电极140之间 的重叠面积保持一致，即使穿过红色、绿色和蓝色滤色器延伸的开口尺寸彼 此不同。因此，根据红色、绿色和蓝色滤色器的存储电容Cst之间的差可以 减小。延伸到漏电极D的接触孔CNT穿过钝化层120形成。接触孔CNT可以 在形成滤色层130之前形成。参见图2，对应于每个像素的像素电极140形成在滤色层130上。像素 电极140通过穿过滤色层130和钝化层120的接触孔CNT电连接到漏电极 D。此外，该像素电极140与存储电极SE和钝化层120重叠，并且栅极绝 缘层111被插入像素电极140和存储电极SE之间以形成存储电容器Cst。如图6和7所示，柱状间隔体170可以形成在像素电极140上以防止光通过存储电极SE的边缘泄漏。柱状间隔体170具有大于存储电极SE的水平横截面面积的水平横截面面积并利用阻光的不透明材料形成。 图11是示出依据本发明实施例的显示装置的横截面图。 参见图11，显示装置200包括显示基板100、实质上平行于该显示基板100定位的覆盖基板300、以及设置在该显示基板100和覆盖基板300之间的液晶层400。该显示基板100实质上与图1至7中所示的显示基板相同。这样，关于 显示基板100的任何重复说明将被省略。该覆盖基板300实质上平行于显示基板100定位，并且液晶层400被插 在显示基板100和覆盖基板300之间。该覆盖基板300包括绝缘基板310和 形成在该绝缘基板310面对该显示基板100的相对表面上的公共电极320。 利用透明导电材料形成该公共电极320以透射光。可用于公共电极320的透 明导电材料的实例包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)等。公共电极320 可以包括图案化开口从而提高视角。覆盖基板300可以还包括黑矩阵330。该黑矩阵330在对应于存储孔SEH 的区域中形成并具有大于存储孔SEH的水平横截面面积的水平横截面面积。 因此，该黑矩阵330可以防止光从存储孔SEH的边缘和存储电极SE的边缘 之间的部分漏出。供选地，该黑矩阵可以形成在像素之侧。液晶层400包括以预定图案排列的液晶分子。液晶分子具有各向异性折 射、各向异性介电常数等光学和电学特性。像素电极140和公共电极320之 间的电场改变液晶分子的排列从而控制穿过液晶层400的光的量。依据上述的显示基板、具有该显示基板的显示装置、和制造该显示基板 的方法，形成在红色、绿色和蓝色滤色器中的存储孔的开口的水平横截面面 积大于存储电极的水平横截面面积，从而最小化形成在不同像素中的存储电 容器之间的差异。结果，像素的回扫电压的变化可以降低并且可以在低灰度 区域防止颜色坐标的偏移。阻光层形成在存储孔的边缘和存储电极的边缘和/或具有大于存储孔的 水平横截面面积的柱状间隔体之间。利用阻光材料在存储孔中形成该阻光层。因此，阻光层和/或柱状间隔体可以防止光泄漏。已描述了本发明的示范性实施例及其优点，但应注意，在不脱离权利要 求限定的本发明的精神和范围的情况下可以进行各种变化、替换和变型。
权利要求
1、一种显示基板，包括基板；形成在该基板上的TFT层，该TFT层包括栅极线、通过栅极绝缘层与该栅极线电绝缘并沿不同于栅极线的方向延伸的数据线、电连接到该栅极线和数据线的TFT、和形成在每个像素中的存储电极，其中该存储电极由与栅极线相同的层形成；滤色层，包括延伸到该TFT层的对应于该存储电极的部分的存储孔，该存储孔具有大于该存储电极的水平横截面面积，其中在平行于该基板的平面中测量该水平横截面面积；及像素电极，形成在该滤色层上和该存储电极上方的该存储孔中从而形成存储电容器，该栅极绝缘层置于该像素电极和该存储电极之间。
2、 如权利要求1的显示基板，其中该滤色层包括形成在每个像素中的 红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。
3、 如权利要求2的显示基板，其中该滤色层具有2.5nm至3.5um的 厚度，并且红色、绿色和蓝色滤色器的最大厚度差为2000A。
4、 如权利要求2的显示基板，红色、绿色和蓝色滤色器中该存储孔的 最大开口宽度差为3nm，并且每个红色、绿色和蓝色滤色器的介电常数在 3.3至3.5的范围内。
5、 如权利要求1的显示基板，还包括阻光层，覆盖该存储孔的边缘部 分和该存储电极的边缘部分之间的区域。
6、 如权利要求5的显示基板，其中该阻光层由与该数据线相同的层形成。
7、 如权利要求6的显示基板，其中该阻光层处于浮置状态。
8、 如权利要求1的显示基板，还包括形成在该像素电极上的柱状间隔 体，该柱状间隔体具有大于该存储孔的水平横截面面积。
9、 如权利要求8的显示基板，其中利用阻光材料形成该柱状间隔体。
10、 如权利要求9的显示基板，还包括阻光层，由与数据线相同的层形 成并设置在该柱状间隔体的边缘部分。
11、 一种显示装置，包括显示基板，该显示基板包括 基板；形成在该基板上的TFT层，该TFT层包括栅极线、通过栅极绝缘 层与该栅极线电绝缘并沿不同于栅极线的方向延伸的数据线、电连接到 该栅极线和数据线的TFT、和形成在每个像素中的存储电极，其中该存 储电极由与该栅极线相同的层形成；滤色层，包括延伸到该TFT层对应于该存储电极的部分的存储孑L, 该存储孔具有大于存储电极的水平横截面面积，其中在平行于该基板的 平面中测量该水平4黄截面面积；及像素电极，形成在该滤色层上和该存储孔中从而与存储电极重叠并 形成存储电容器，该栅极绝缘层置于该像素电极和该存储电极之间； 覆盖基板，实质上平行于显示基板定位，该覆盖基板包括形成在覆盖基 板的面向该显示基板的表面上的公共电极；及液晶层，设置在该显示基板和该覆盖基板之间。
12、 如权利要求11的显示装置，其中该显示基板还包括阻光层，该阻 光层由与该数据线相同的层形成并覆盖存储孔的边缘和存储电极的边缘之 间的部分。
13、 如权利要求11的显示装置，其中该显示基板还包括柱状间隔体， 其形成在对应于该存储孔的像素电极上并具有大于该存储孔的水平横截面 面积。
14、 如权利要求13的显示装置，其中利用阻光材料形成该柱状间隔体。
15、 如权利要求13的显示装置，其中该显示基板还包括阻光层，其由 与数据线相同的层形成并设置在该柱状间隔体的边缘。
16、 如权利要求11的显示装置，其中该覆盖基板还包括黑矩阵，其对 应于该存储孔并具有大于该存储孔的水平横截面面积。
17、 如权利要求16的显示装置，其中该显示基板还包括阻光层，其由 与数据线相同的层形成并对应于该黑矩阵的边缘部分。
18、 如权利要求16的显示装置，其中该显示基板还包括柱状间隔体， 其形成在对应于该存储孔的像素电极上并具有大于该存储孔的水平横截面 面积。
19、 如权利要求14的显示装置，其中利用阻光材料形成该柱状间隔体。
20、 如权利要求14的显示装置，其中该显示基板还包括阻光层，其由与数据线相同的层形成并设置在该柱状间隔体的边缘部分处。
21、 一种制造显示基板的方法，包括 提供基板；在该基板上形成TFT层，该TFT层包括栅极线、通过栅极绝缘层与该 栅极线电绝缘的数据线、电连接到该栅极线和数据线的TFT、和由与栅极线 相同的层形成在每个像素中的存储电极，该数据线沿不同于栅极线的方向延 伸；形成滤色层，其包括延伸到该TFT层对应于该存储电极的部分的存储 孔，该存储孔具有大于该存储电极的水平横截面面积，其中在平行于该基板 的平面中测量该水平横截面面积；及在该滤色层上和该存储孔中形成像素电极，该像素电极与存储电极重叠 以形成存储电容器，该栅极绝缘层被插在该像素电极和该存储电极之间。
22、 如权利要求21的方法，其中形成该滤色层包括 形成红色滤色器；形成绿色滤色器；和 形成蓝色滤色器。
23、 如权利要求22的方法，其中利用具有相同设计的掩模形成该红色 滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。
24、 如权利要求2I的方法，其中该TFT层还包括阻光层，其由与该数 据线相同的层形成并覆盖该存储孔的边缘和该存储电极的边缘之间的部分。
25、 如权利要求21的方法，还包括形成柱状间隔体，其形成在对应于 该存储孔的像素电极上并具有大于该存储孔的水平横截面面积。
26、 如权利要求25的方法，其中形成该柱状间隔体包括采用阻光的材料。 一
27、 如权利要求26的方法，还包括由与该数据线相同的层形成阻光层，该阻光层设置在柱状间隔体的端部处。
全文摘要
本发明涉及显示基板、具有其的显示装置及其制造方法。一种显示基板包括薄膜晶体管(TFT)层、滤色层和形成在基板上的像素电极。该TFT层包括栅极线、与栅极线电绝缘并沿不同于栅极线的方向延伸的数据线、电连接到栅极线和数据线的TFT、和由与栅极线相同的层在每个像素中形成的存储电极。该滤色层包括延伸到TFT层对应于存储电极的部分的存储孔。该存储孔具有大于存储电极的水平横截面面积，其中在平行于基板的平面中测量该水平横截面面积。该像素电极形成在滤色层上和存储孔中以与存储电极一起形成存储电容器。
文档编号G02F1/136GK101304034SQ20081012775
公开日2008年11月12日 申请日期2008年2月13日 优先权日2007年2月7日
发明者申暻周, 蔡钟哲, 金彰洙 申请人:三星电子株式会社